模拟电子技术

第一章 半导体器件

半导体的特性

1）半导体、本征半导体、半导体的原理结构、载流子

半导体：通常将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质称为半导体。
本征半导体：纯净的，不含杂质的半导体称为本征半导体。

以硅和锗为例，他们的原子最外层轨道上有4个电子，这种电子通常称为价电子。
为了简单明了，通常用带有+4电荷的正离子和周围4个价电子视为一个4价元素的原子。

每两个相邻的原子共有一对价电子，形成了共价键，在硅或锗中，每个原子都与周围4个原子紧密的联系在一起。

当温度T=0K时（即-273.5℃），价电子不足以挣脱共价键的舒服，因此，晶体中不存在能够导电的载流子，因此，当T=0K时，半导体不能导电。
一旦温度升高，就有一定的价电子获得能量挣脱共价键的束缚成为自由电子。

本征半导体的某些挣脱共价键的束缚成为自由电子时，在原来的共价键中留下一个空位置，这个位置称为空穴，如图所示：

对于这样的空位，附近的共价键中的电子比较容易进来填充，从而在附近的共价键中留下一个新的空穴，同样，其他地方的电子又有可能填补后一个空位，从整体效果上看相当于带正电荷的空穴在运动，因此将空穴视为带正电的载流子。
而自由电子即为带负电的载流子。

由此可见，半导体中存在两种载流子。在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。
本征半导体中载流子的浓度除了与材料有关，还有就是与对帮助其挣脱共价键束缚的温度密切相关，随着温度的增高，载流子的浓度基本上呈指数规律增加，因此本征半导体对温度极其敏感。

2）杂质半导体、N型半导体、P型半导体、载流子浓度、对外中性

杂质半导体：在本征半导体中参入某种特定的杂质，就成为了杂质半导体。

N型半导体：在四价的硅或锗中参入少量的5价杂质元素，一些4价的原子将被5价的原子替代，而5价原子的外层有5个电子，它与周围四个4价原子组成共价键的时候将多余一个电子，这种电子只受自身原子核的吸引，这种吸引比较弱，因此可认为是自由电子，如下图：

在N型半导体中，电子的浓度大大高于空穴的浓度，因此主要依靠电子导电，故称为电子半导体或N型半导体。
在其中的杂质原子即5价原子提供了一个可以移动的自由电子，称为施主原子。
因N型半导体中电子较多，所以电子在N型半导体中，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

P型半导体：在四价的硅或锗晶体中参入少量的3价杂质元素，一些4价的原子会被3价的原子替代，当3价的原子与周围的3价原子形成共价键时，将缺少一个价电子，同时多一个空穴，如下图：

在这种半导体中，空穴的浓度将比电子的浓度高得多，因而主要靠空穴导电，故称为空穴型半导体或P型半导体。
其中的3价原子成为受主原子，同理，多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

载流子的浓度：在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于参与的杂质浓度；而少数载流子的浓度与温度密切相关。

对外中性的原因：拿N型半导体举例，虽然多出一些负电的电子，但参入的5价原子内部也比正常的4价原子多了一个正电，因此对于外部来说依然是中性的。同理，P型半导体虽然正电的空穴较多，但参入了3价的原子，内部比正常的4价原子少了一个正电。

半导体二极管

1）PN结、内电场、两种运动与电流

PN结：如果将一块半导体的一侧参杂P型半导体，另一侧参杂N型半导体，则在二者的交界处将形成一个PN结。
在半导体P型那一侧，空穴浓度远高于N型半导体侧，早半导体N型的那一侧，电子浓度远高于P型半导体侧，因此，P区的空穴向N区扩散，N区的电子也向P区扩散。
当电子和空穴相遇时，将正负想补形成一个只有正负离子形成的空间电荷区，这个区域就称为PN结。又称为耗尽层。

内电场：由于PN结处电子和空穴因为复合而消失，因此就破坏了电中性，进而形成的电场，从N区指向P区。这个电位差称为电位壁垒，这个电场称为内电场。
因为内电场阻挡了多数载流子的运动，所以又称为阻挡层，但内电场却有利于少数载流子的运动，通常载流子在内电场的帮助下的定向运动称为漂移运动。

扩散运动与漂移运动：多数载流子依靠浓度的扩散运动，形成扩散电流；少数载流子依靠内电场的漂移运动，形成漂移电流。
扩散运动会增大PN结，漂移运动会减小PN结，因为扩散后浓度差会减小，因此，扩散运动形成的电流也会减弱，当与漂移电流到达动态平衡时，PN结中的电流等于零，PN结的宽度也达到稳定。
电位差（电位壁垒）的大小与半导体材料有关：硅（0.6到0.8V)，锗（0.2到0.3V）

2）正反偏、单向导电性

正偏：在PN结上外加一个电压，正极接P区，负极接N区，这种接法称为正向接法或者正向偏置，简称正偏，如图所示：

外电场的方向与内电场方向相反，这使得电位壁垒降低，进而有利于多数载流子的运动，不利于少数载流子的运动，因此扩散电流将超过漂移电流，最后在回路中形成一个正向电流，从P区流向N区。
正偏时，仅需一个较小的外电压，就可得到较大的正向电流，为了防止回路电流过大，一般应该接入一个电阻R。

反偏：假设在PN结的P区接入负电压，N区接入正电压，这种接法称为反向接法或反向偏置，简称反偏，如图所示：

这种情况下，外电场和内电场方向相同，这将使得电位壁垒增大，扩散运动更弱，漂移运动更强，最后在回路中产生一个由少数载流子漂移运动形成的反向电流Is，因为反向电流是由少数载流子形成的，因此对温度十分敏感。在温度一定的情况下，当反向电压超过一定值（零点几伏）后，因为温度一定，少数载流子数量一定，反向电流将不在随着反向电压增大而增大，此时的电流称为反向饱和电流。

综上：PN结正偏时，回路中产生较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反偏时，回路中的反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。

补充1：当两级电位相同，则认为是反偏

3）二极管的伏安特性

半导体二极管：在PN结的外面装上外壳，就可以做成半导体二极管，其中正极从P区引出，负极从N区引出，如图：

伏安特性：二极管两端电压与流过的电流之间的关系称为伏安特性。
主要包括正向特性和反向特性，如图：

正向特性：
死区电压：又叫开启电压，只有当正向电压超过一定值以后才电流才开始快速增长（主要是为了平衡内电场），通常把这个值称为死区电压。
正向导通压降：当电流增大时，电压变化却很小，在分析时认为是定值，称为正向导通压降。

反向特性：
反向饱和电流：当反向电压超过一定值后，由于温度一定，因此少数载流子的数量一定，此时反向电流不再增加，此时称其为反向饱和电流。
击穿电压：若反向电压不断增大，超过Ubr以后，反向电流将极具增大，这种现象称为击穿，此时的电压称为反向击穿电压，二极管击穿以后，将不再具有单向导电性。
PS：二极管被击穿后不一定被损坏，只要不使电流过大烧毁二极管，二极管的性能有可能恢复正常。

4）二极管方程

二极管方程如图所示：

二极管的主要参数

1）最大整流电流

指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流，IF的数值由二极管允许的温升决定，使用时，管子的平均电流不得超过此值，否则有可能过热损坏。

2）最高反向工作电压

工作时的反向电压不得超过，否则有可能被击穿，将此电压UR设为Ubr的一半。

3）反向电流

IR是指在二极管两端加上反向电压后产生的反向电流，通常希望IR越小越好，IR越小，二极管的单向导电性就越好。由于反向电流的形成是少数载流子做漂移运动，因此与温度密切相关。

4）最高工作频率

fM主要决定于PN结的结电容大小，结电容越大，二极管允许的频率越低，超过fM时，二极管的单向导电性能降低。

二极管的等效模型

二极管是一个非线性器件， 在一定的条件下可以用线性的元件组成的电路模拟二极管，使线性电路的电压、电流的关系和二极管的外特性一致，那么这个线性电流就称为二极管的等效模型，或者等效电路。

1）理想模型

当二极管正偏时，认为它的压降为零，即正向电阻为零。
当二极管反偏时，认为它的电流为零，即反向电阻为无穷大。
这相当于把二极管看成一个理想开关，也成为理想二极管。

一般在电源电压远大于二极管的导通压降时，可采用理想模型，如图：
黑色虚线为实际特性，理想模型为蓝色实线。

2）恒压降模型

恒压降模型在理想模型的基础上考虑的二极管的正向压降Uon，并认为其是恒定的，相当于在理想模型上串联了一个恒压源Uon。

当二极管上的电压正偏且大于Uon时，二极管导通。
当二极管上的电压反偏或正偏小于Uon时，二极管截止（此时是否Uon就是电位壁垒？补充1已回答），如图：

补充1：回答上面问题，此时的Uon不是电位壁垒，只是二极管的正极电位需要大于负极电位才能导通，在下图中为：
$U正-Uon>U负，即U正-U负大于Uon$
$而U正-U负就是二极管上的电压$

3）折线模型

折线模型认为二极管的正向压降不是恒定的，而是通过流过电流的增加而增加，如图：

二极管分析的一般方法及经典电路

1）一般分析方法

第一步：设零电位点，依次断开所要分析的二极管。
第二步：根据选择的模型判断每个二极管的工作状态。
第三步：根据模型与工作状态替换电路并应用线性电路的分析方法进行分析。
$当电路中有多个二极管，应分别处理，电压差大的优先导通$

2）限幅电路

限幅电路是为了满足工作需要，利用二极管的单向导电性来限制电压的幅度的原理来设计的电路，这将会削弱正负两个方向的峰值。
如下图所示：

语言描述：串联一个电阻R后并联三条支路，两条支路分别串联一个方向相反的二极管和一个恒压源，最后一条支路用于输出降幅后的信号Uo。

降幅效果：降幅的效果与二极管的Uon和E1，E2有关。
$Uo正Max=V①+Uon$
$Uo负Max=V②-Uon$
记忆方法：若把二极管由P到N设为正方向，则Uo的方向与VD1相同。
复习方法：使用一般分析方法分析（a）图即可。

3）逻辑电路（开关电路）

与门，或门的逻辑电路，如图所示：

（a）图为与门电路，只有V11和V12都为高电平才输出高电平。
（b）图为或门电路，只有三个电压都为低电平才输出低电平。
主要差别：与门是低电位的优先导通，或门是高电位的优先导通，谁优先导通输出电压基本上就是谁了。

常见的特殊二极管

2）发光二极管

发光二极管和普通二极管极其相似，唯二的区别如下：
①：正偏后能发光。
②：正向压降大于普通二极管，一般在1.6V~1.8V左右。

其符号如下图：
符号特点，两个箭头从“平板”出射出。

PS：材料不同，发光颜色也不同，常见的如下，无需记忆。

材料	颜色
砷化镓	红光
磷化镓	绿光
碳化硅	黄光
氮化镓	蓝光

3）光电二极管

光电二极管是与发光二极管对偶性质极强的二极管。
光电二极管工作在反向偏置区，当没有光照时，电流很小（通常只有0.1微安），称为暗电流；当有光照时，形成较大电流，（可迅速增大到几十微安），称为光电流，其符号如下图：

综上：光线的变化引起电流的变化，光照强度越大，电流越大，实现了从光信号到电信号的转变，与发光二极管对偶。

—	发光二极管	光电二极管
工作区域	正偏	反偏
特殊能力	电转光	光转电
符号特点	箭头从平板散出	箭头射入平板

4）其余二极管

如变容二极管，肖特基二极管，暂时不讲。

双极结型三极管

双极结型三极管：两个极结的三极管，简称三极管，有PNP和NPN两种。

1）三极管的结构

这种三极管共有三个区域，三个电极，两个PN结。
电极：集电极，基极，发射极
区域：集电区，基区，发射区
PN结：集电结，发射结
如下图所示：

三极管从内部制造工艺来看，有三个特点
①：发射区高参杂，即载流子浓度高。
②：基区很薄，且低参杂。
③：集电极面积大。

双极结型三极管外加电源的方向：发射结正偏，集电结反偏，即Vc＞Vb＞Ve

三极管的符号如下图：

2）内部载流子的运动

因为发射结正偏，外加电场有利于多数载流子的运动，且发射区高参杂，因此发射区发射出大量的多数载流子，到达基区，形成了电子电流，同时基区中的多子——空穴也在外电场的帮助下进入发射区，形成了空穴电流，但由于基区中的参杂浓度很低，因此可以忽略不计。

发射区的多数载流子到达基区后，有一部分和基区的多数载流子复合运动产生了基极电流IBn，基区被复合掉的空穴由电源VBB不断补充。因为基区的参杂度很低，因此产生复合运动的机会很少，大多数来自发射区的载流子继续向上扩散，到达集电极的那一侧。

因为集电结反向偏置，外电场将阻止集电区的多子向基区运动，但是却吸引基区中的从发射区扩散过来的载流子向集电区运动形成集电极电流。与此同时，因为集电极反偏，因此外电场利于其中的少子进行漂移运动，形成反向饱和电流ICBO。

3）三极管的电流分配关系

优先读图，从三极管外部看共分为三处电流。
1，流入集电区的集电极电流Ic
2，流入基区的基极电流IB
3，流出发射区的发射极IE
这三种外部电流由三种内部电流的组合而形成。
1，Icn
2，Ibn
3，Icbo

下面介绍三种内部电流的形成
①：Icn
以NPN型三极管举例，发射结正偏，发射区的电子和基区的空穴在外加电场的帮助下向对方扩散，形成发射结处的Icn，此即上述的电子电流和空穴电流，其中空穴电流可忽略不计。
这从发射区来到基区的同一批电子，在集电结反偏的电场作用下，向集电区扩散，形成了集电结处的Icn。
②：Ibn
从发射区来到基区的电子，和空穴进行复合运动，形成Ibn，由于基区的空穴浓度很低，因此Ibn很小，被消耗的空穴由电源进行补充。
③：Icbo
由于集电结反偏，少子进行漂移运动而形成的反向饱和电流Icbo。

电流组合，再次读图：
①：集电极电流Ic
Ic=Icn+Icbo
②：基极电流Ib
Ib=Ibn-Icbo
③：发射极电流Ie
Ie=Icn+Ibn

3）三极管的特性曲线

输入特性
当三极管的Uce不变时，输入回路中的电流Ib和电压Ube之间的关系曲线称为输入特性：

当Uce为0时，三极管的集电区和发射区短接，此时相当于两个二极管并联，其输入特性相当于二极管的正向偏置特性，如下1图和2图中左曲线：

当Uce＞0时，此时集电结反偏，外电场会收集从收集从发射区来到基区的电子，导致电子和基区中的空穴复合运动的机会减少，因此，在同样的UBe下IB将减小很多，最终使得特性曲线向右移，如上2图的右曲线.
当Uce继续增大时，严格说特性曲线应继续向右移动，但当Uce达到一定值以后，集电结处的电压已经足以把电子都收集到集电区了，此时即使Uce再增大，IB也不会减小很多。因此，当Uce大于某一数值后，许许多多条曲线重叠在一起，常常用Uce大于2V代表更高的情况。

输出特性
当IB不变时，三极管的集电极电流Ic与电压Uce之间的关系曲线称为输出特性：

输出特性曲线如下图，可分为三个区域：截止区，放大区，饱和区。

①：截止区
当IB≤0时，称为截止区，此时P区的电位小于两个N区的电位，即UBE＜0，UBC＜0
此时两个PN结均处于反偏状态，三极管处于截止状态。
②：放大区
当集电极C电位最大，基极B电位次之，发射极E电位最次时，工作在放大区，此时发射结正偏，集电结反偏，此时的三极管具有放大作用。
③：饱和区
当基极B电位最大，集电极C电位最大，发射机E电位最次时，工作在饱和区，此时两个PN结均处于正偏状态，此时电流Ic基本不随基极电流IB的变化而变化，三极管失去了放大作用。

4）三极管的主要参数

电流放大系数
共基系数为α和上划线α，一般为0.95~0.99
共射系数为β和上划线β，一般为几十~几百
有上划线为直流参数，无上划线为交流参数
对于大多数三极管来说，有无上划线基本相同，以后的计算中不再严格区分

详细说明
共射电流放大系数β（交流）

共射电流放大系数上划线β（直流）

共基电流放大系数α（交流）

共基电流放大系数上划线α（直流）

α与β的关系

记忆方法
分式上面永远是流入三极管的外部电流Ic
分式下面是与共基或共射相反的那个电流
例如：阿尔法α为共基，则下面不是基极电流，而是发射极电流。

补充1：Ie=Ic+Ib

反向饱和电流
1，集电极和基极之间的反向饱和电流Icbo
当发射极开路时，集电极c和基极b之间的反向电流
2，集电极和发射极之间的穿透电流Iceo
当基极开路时，集电极c和发射极e之间的电流

3，二者的关系

这两个电流的值越小，表示三极管的质量越好

5）三极管的极限参数

集电极允许的最大电流Icm
当集电极电流过大时，β值要减小，当Ic=Icm时，β值下降为原来的三分之二

集电极允许的最大耗散功率Pcm
当三极管工作时，管子两端的压降为Uce，集电极流过的电流是Ic，因此损耗的功率Pc为二者乘积。集电极消耗的电能将转换为热能使得管子温度升高，温度过高为使得管子的性能下降甚至被损坏，所以集电极的耗散功率有一定的限制，在三极管的输出特性上，将Pcm的各点连起来，可以得到一条双曲线，在双曲线下方，耗散功率没超过Pcm，是安全的，上方则称为过损耗区。

由图知，Pcm，Icm，U（BR）CEO，三者可以在三极管的输出特性上画出安全工作区。

极间反向击穿电压

结型场效应管

结型场效应管根据其导电沟道不同又分为两种类型：N沟道结型场效应管，P沟道结型场效应管，他们的工作原理是类似的。

1）结型场效应管的结构

栅极：将两侧的P型区连接起来，引出一个电极称为栅极。
在N型沟道的两端各引出一个电极，一个称为源极，另一个称为漏极。

2）工作原理

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