MOSFET即金属氧化物半导体场效应管,是电路设计中常用的功率开关器件,为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流,具备驱动电路简单,驱动功率小,开关速度快,工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。
MOSFET的主要特性
通常,Power MOSFET器件参数分为静态、动态、开关特性,其中静态特性主要是表征器件本征特性指标。即当器件的工艺结构或材料发生变化时,都需要进行直流I-V特性的测试。MOSFET的静态特性主要指输出特性和转移特性,与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。本文将介绍如何通过ITECH最新图形化源测量单元