第三章 存储系统

第三章 存储系统

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3.1 存储器概述

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1.分类

RAM:随机存取，易失性存储器（主要用作主存和高速缓冲器）

ROM：随机存取，非易失性存储器（可与RAM共同组成主存的地址域）

串行存储器：顺序存储器（磁带）和直接存储器（磁盘、光盘）

2.性能

存取时间：从提交到完成的时间间隔

存取周期：两次连续的读或写操作的时间间隔

存取周期=存储时间+恢复时间

3.多层次的存储系统

追求容量大、速度快、成本低

CPU——cache——主存——辅存

cache——主存，为解决CPU和主存的速度不匹配（数据调动由硬件自动完成，对所有程序员透明）

主存——辅存为解决容量问题（数据调动由硬件和操作系统共同实现，对应用程序员透明）

3.2 主存储器

Cache——SRAM 主存——DRAM

1.RAM

按照是否刷新将RAM分为静态(SRAM)和动态(DRAM)
（1）SRAM的存储单元主要由双稳态触发器构成
（2）DRAM的存储单元主要由电容构成。因此断电后信息丢失
DRAM采用地址复用技术，因此地址线数减半

DRAM的刷新方式：

（1）集中刷新。一个刷新周期内利用一段固定的时间进行刷新操作，期间不能进行读或写操作
（2）分散刷新。将刷新分散到工作周期中，但延长了系统工作周期
（3）异步刷新。将刷新周期除以行数得到刷新间隔

SRAM vs DRAM：

特点	SRAM	DRAM
集成度	低	高
破坏性读出	非	是
运行速度	快	慢
需要刷新	不需要	需要
存储信息	触发器	电容
送行列地址	同时送	分两次送

2.ROM

非易失性存储器，掉电不会抹除信息
（1）MROM(掩膜式存储器)。出厂就设置好，不能更改
（2）PROM。只能改一次
（3）EPROM。多次改写，但次数有限
（4）FLASH（闪存）。不加电长期保存信息，电可擦除重写
（5）SSD（固态硬盘）。以上优点+贵

3.多模块存储器

1.高位交叉编址
不具备局部性原理，模块内连续存放

体号	体内地址

2.低位地址交叉存储器
块号=序号%模块数量

体内地址	体号

总结