为什么现在很多产品使用氮化镓？

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什么是氮化镓GaN？

 近些年以来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）为代表的第三代半导体材料凭借耐高压、低功耗、高频等显著优势在不同的领域逐渐得到更多的关注，其中氮化镓（GaN）凭借其优秀的物理性能和广泛的下游应用，逐渐成为半导体功率器件的一颗新星。

 第三代半导体——氮化镓，若仔细回想，绝大部分人首次了解氮化镓，应该都是来自电子设备的快充器件，在氮化镓的加持下，搭载氮化镓器件的充电器件均实现了体积缩减一半，但充电效率提高一倍的能力。这就使得电子设备在拥有更轻薄的机身的同时，拥有更快的充能效率。

       那么氮化镓为什么能够拥有这种能力？这都得从其物理特性说起。首先，第三代半导体是指禁带宽度Eg大于2eV的半导体材料，而氮化镓作为一种无机化合物，化学式为GaN，由氮和镓组成，其具有宽禁带宽度（3.4eV），属于直接带隙半导体。

氮化镓性质

氮化镓具有宽带隙、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压、耐高温等综合优势。更宽的带隙使氮化镓能够在更高的电压下工作，而更高的电子迁移率提高了电流驱动能力和响应速度，显著减少了热散失并提高了功率效率。因此在下游应用方面，氮化镓具有广阔的发展前景，可以满足消费电子、电动汽车、可再生能源以及工业应用及数据中心领域日益增长的高频大功率需求。

氮化镓应用 | Gan

其中氮化镓应用一定是在ZVS、ZCS也就是我们的零电压导通和零电流关断电路的基础上去实现的，是因为ZVS电路会提供零界点给氮化镓器件，这也是氮化镓器件的一个特性，这就是为什么氮化镓器件不适合工作在连续模式下的一个原因，对于同步整流电路而言 ，氮化镓器件更适合工作在临界模式下或者断续模式下，而不适合工作在连续模式下，这是因为氮化镓器件在关断的时候随着电流的增加功耗会变得非常的小。

对于功率比较大的应用来说，使用氮化镓也是一个非常不错的选择，我们就拿一个150W适配器的案子来举例。

该方案采用有桥PFC+LLC全GaN来做，在230Vac和12V输出满载条件下效率能达95.7%以上，在90Vac和12V输出满载时，效率能达93.7%以上。

另外氮化镓器件还可以应用于其他的电源领域。