关于存储的TBW和写入放大

关于存储的TBW和写入放大

TBW（Total Bytes Written）是评估闪存存储器寿命和耐用性的核心指标。然而，由于写入放大的影响，实际TBW值可能与理论值有所偏差。本文将探讨TBW的概念、写入放大系数以及降低写入放大影响的方法。

TBW：

TBW代表在整个闪存存储器寿命内可以写入的总字节数，它等于存储产品的容量乘以PE（Program/Erase）次数。然而，由于写入放大现象，实际写入的数据量与期望的数据量可能存在差异。
例如，“瀚海微”128GB工业级存储卡的TBW高达3840 TBW，对应3万次P/E周期。

写入放大系数：

写入放大系数是衡量闪存存储器性能的指标，表示实际写入存储介质的数据量与主机请求写入的数据量之间的比率。写入放大的主要原因涉及闪存的工作原理，包括存储介质的组织结构，如page、block、plane、die和闪存片等。

写入放大过程：

当主机请求写入较小的数据块时，闪存可能需要先读取整个block，并将原有数据和新数据一并写入新的block中，然后再擦除原有的block。这个过程导致实际写入的数据量大于主机请求的数据量，即产生了写入放大。

如何减少写入放大系数：

为了降低写入放大系数，可以采取以下方法：

块对齐写入： 确保主机写入的数据以闪存块为单位进行，避免跨多个闪存块的写入操作，减少数据冗余。

块擦除： 在更新闪存块之前，先执行块擦除操作，确保整个闪存块为空白状态，避免数据合并写入。

垃圾回收： 定期进行垃圾回收操作，清除无效或已删除的数据块，整理闪存存储，减少数据碎片，从而降低写入放大。

数据合并： 将新写入的数据合并到闪存中存在的空白区域，减少数据冗余。

写入放大感知算法： 实现写入放大感知的算法，通过调整写入策略和数据管理，尽量减少写入放大的发生。

使用高质量的闪存控制器： 选择性能良好的闪存控制器，更好地管理写入操作，减少不必要的写入。

避免频繁的小写入： 尽量避免频繁进行小块的写入操作，优先进行较大块的写入，降低写入放大。

使用SLC NAND： 选择SLC（Single-Level Cell）闪存而不是MLC（Multi-Level Cell）或TLC（Triple-Level Cell）闪存，以降低写入放大系数，尽管成本较高。

总结：

存储产品的TBW值由PE、容量和写入放大系数共同决定。为了最大效率地利用TBW，写入数据应以page为单位，否则可能导致TBW的浪费。减少写入放大系数对于提高存储器性能和延长寿命至关重要。合理的数据管理、写入策略和硬件选择是实现这一目标的关键。根据具体情况选择适合的优化策略，将为存储设备提供更好的性能和可靠性。