EMMC生命周期預估

    NAND闪存并非简单的读取/写入媒介。还需要执行下列几种算法，来维持产品使用的可靠性：NAND内存块管理、故障内存块管理、错误控制和磨损平衡。现今的NAND闪存是透过储存装置上的算法进行管理，而非在主机处理器上进行。这对使用者而言是个优点，因为能让主机对NAND的管理不那么复杂，并简化产品支持及维护的方式。

    如果主机对NAND闪存的写入效率低，可能导致它提前结束使用寿命。对NAND读取和编程操作来说，最小单位是页，但页无法进行擦除。NAND只能针对由多个页面组成的内存块进行擦除。因此，必须先对内存块进行擦除，才能对页进行复写。随着使用次数和时间增加，内存块可能会达到耐用度极限而无法使用。也有可能存在缺陷，导致提早故障。

     NAND闪存可用程序化擦除的周期次数有限。如果达到耐用度极限，表示装置变成「EoL」（产品寿命结束）状态，不再具备可靠性。NAND单元的耐用度因模式不同而异。

单层式储存（SLC）模式：这种模式的耐用度高，且容错率也高。

    eMMC读取和写入的逻辑单元大小是512字节，非物理单元。扇区位址称为逻辑块位址（Logical Block Address）或LBA。当修改资料时，擦除整个内存块并不实际，这会导致未变更的页出现不均匀而低效率的磨损情况。此时逻辑块位址和物理内存块位址（Physical Block Address，PBA）映像方法可将每次写入大小缩小，来平衡各内存块磨损情况，称之为动态磨损平衡。藉由位址转换表，将LBA映像到PBA。此过程能平衡内存块磨损情况，并提高写入速度。

映射位址的過程如下：

eMMC扇区大小为512字节，而NAND的页为16KB。映像表将32个连续扇区位址分组到一个页大小的单元
如果此页群组中有一个扇区被修改，控制器就会读取此页的整组扇区，更新任何要修改的扇区，然后将新数据程序化后写回新页。
将更新的页程序化后，转换表也随之更新。接着，更新后NAND页的页/内存块位址覆盖先前的数据。
即便只修改了一个扇区，NAND Flash也必须对整个页进行程序化。这种低效率的做法称为写入放大。NAND Flash实际写入数据量对比eMMC装置中写入数据量，称为写入放大系数（Write Amplification Factor，WAF）。
小量写入、随机、页不对齐是导致写入放大的最大来源。为了让WAF降到最低，写入时应以页大小为单位的倍数对齐页的边界。此最佳化单元大小是扩展CSD寄存器的最佳写入大小。

   决定写入总量（TBW）的公式很简短：
（装置容量*耐用度系数）/ WAF = TBW
根据主机系统的写入模式不同，WAF通常介于4到8之间。例如，大量数据连续写入时，WAF较低；小量数据在内存块随机写入时，WAF较高。这种情况通常会让储存装置提早故障。
例如，耐久度系数3000和WAF 8的4GB eMMC等同于：
（4GB * 3000）/ 8 = 1.5TB
eMMC装置的TBW为1.5 TB。因此，装置在达到EoL状态前，我们可以在产品的整个生命周期中写入1.5TB的数据量。
请先估计相关装置的每日使用量，才能算出您的TBW需求。例如，每日写入数据量500MB的工作负载，预计产品使用寿命为5年，则装置的TBW必须大于915GB。
0.5GB * 365 = ~183GB/每年，或915GB/5年以上
TBW可用来确认装置允许的最大WAF值，公式是TBW =（DC * EF）/ WAF。如果您的装置使用寿命无法达到产品应用程序的目标TBW，您可以想办法改善。可考虑将其设为pSLC（Pseudo Single Level Cell）模式，将TLC或MLC转换成SLC，耐用度可提高10倍。然而，这会大幅降低可使用的容量：单元件双位（two-bit-per-cell）的MLC装置为50%，而三位的TLC装置则为66%以上。如果您不满意这种解决方案，选择容量更大的装置来处理相同的工作，这样也会有所帮助。两倍容量的装置就等于有两倍TBW。