stm32 c8t6 GPIO简介

图片介绍

改错：TTL肖特基触发器改为施密特触发器

图片从左到右分为三大板块分别是：保护二极管，驱动器，寄存器。

一.保护二极管

VDD 3.3V          VSS 0V

二.驱动器

施密特触发器单元：对输入电压进行整形

如果输入电压大于某一阈值，输出就升为高电平。如果输入电压小于某一阈值，输出就升为低电平。

输出控制单元：推挽输出，开漏输出。

推挽输出模式：P-MOS和N-MOS均在工作

1，当数据寄存器为1时，下管断开，上管导通，输出直接接到VDD，输出为高电平

2， 当数据寄存器为0时，上管断开，下管导通，输出直接接到VSS，输出为低电平

开漏输出模式：P-MOS无效，N-MOS处于工作状态。

1，当数据寄存器为1时，下管断开，这是相当于断开，也就是高阻模式

2，当数据寄存器为0时，下管导通，输出为低电平

优势

1，推挽输出 数据寄存器为1时，有较强的驱动能力，也称强推挽输出模式

2，开漏输出 数据寄存器为0时，可以作为通信协议的驱动方式

8种GPIO端口配置寄存器