BJK的输入特性曲线和输出特性曲线的分析

以下的分析都是以共射极放大电路为例哈

输入特性曲线：

我们主要需要讨论的问题就是为什么在U(CE)增大时，图像曲线会右移，当U(CE)增大到一定程度时，图像曲线就几乎不再变化。

要讨论这个问题，我们首先要分析一下横纵坐标之间的关系，

横坐标是U(BE)，纵坐标是I(B)，两个的比值是基极的等效电阻，等效电阻几乎不变，所以，在U(CE)变化的过程中，图像的大概轮廓不会改变。

然后分析为什么U(CE)增大，曲线会右移：

我们首先要知道IB()等于什么，就是那些电流组成了I(B)，然后分析U(CE)增大会对I(B)产生什么影响？

由上图可知，I(B)=I(EP)+I(BN)-I(CBO)，

上图是NPN型的半导体，基极为P型材料，I(EP)和I(CBO)都是空穴相对移动所产生的电流，主要为电子和空穴复合所产生的电流，为基极内部的电流运动，U（CE）的变化会引起U(B)和U(E)之间的电势差增大，更有利于电子从发射极到基极再到集电极的运动，对I(EP)和I(CBO)的值不会产生影响，只会影响I(BN)，随着UCE的增大，集电结由正偏变为反偏，集电结收集电子的能力增强，电子运动到基极的时候，发生复合运动的电子就会减少，对应的I(BN)就会减小，I（B）就会减小，就导致在相同的U(BE)下，I（B）就会减小。

 UBE与IB的关系

• 当UCE（集电极与射极间的电压）为0V时，集电极与射极短路，此时的伏安特性曲线类似于PN结的伏安特性。
• 随着UCE的增大，集电结由正偏变为反偏，集电结收集电子的能力增强，导致在相同的UBE下，IB减小。
• 当UCE大于1V时，集电结已经将发射结扩散到基区的电子全部收集走，因此UCE再增大时，曲线几乎不再变化。

输出特性曲线：

上面是输出特性曲线的分析图：

他的研究跟输入特性曲线一样，都是研究电压变化，对电流的影响。

由IC = ICn + ICBO可知：

UCE的变化只会对ICn产生影响，对ICBO不产生影响，即可根据输入特性曲线的分析方法分析出输出特性曲线的性质。

输出特性曲线的性质如下：

1. 曲线的左右移动：

   • 当UCE从0V开始增加时，输入特性曲线会向右移动。这是因为随着UCE的增加，集电结从正向偏置逐渐变为反向偏置，集电极对电子的收集能力增强，导致在相同的UBE（基极与射极间的电压）下，基极电流IB减小。

2. 曲线的形状变化：

   • 在UCE较小时，集电极和射极之间的PN结接近短路状态，此时输入特性曲线接近于二极管的伏安特性曲线。
   • 随着UCE的增加，曲线的斜率可能会发生变化，因为集电极对电子的收集能力增强，使得在相同的UBE下，IB的变化更加敏感。

3. 曲线的饱和：

   • 当UCE增加到一定程度（通常大于1V）时，集电结已经能够将发射结扩散到基区的几乎所有电子收集走，此时再增加UCE，输入特性曲线基本不再移动。这表明曲线达到了一种饱和状态，UCE的变化对IB的影响变得很小。

4. 工作区域的变化：

   • UCE的不同值决定了BJT的工作区域。在UCE较小时，BJT可能工作在饱和区或截止区；而在UCE较大时，BJT则可能工作在放大区。

总的来说，UCE的变化会显著影响输入特性曲线的形状和位置，进而影响BJT的工作状态和性能。正确理解和控制UCE对于设计和分析BJT放大电路至关重要。