结型场效应管和绝缘栅型场效应管的联系与区别

结型场效应管（JFET）

1. 结构：JFET由一个n型或p型半导体材料构成，其两端之间夹有一层相反类型的半导体材料（即形成p-n结）。这个p-n结被称为“通道”。
2. 工作原理：JFET通过在栅极和源极之间施加电压来控制电流的流动。当在栅-源之间加负向电压时，可以保证耗尽层承受反向电压，在漏-源之间加正向电压则形成漏极电流。JFET的漏极电流与施加的栅极电压成正比。
3. 特点：JFET的输入电阻较高，输出电阻较低，且具有良好的线性特性。

绝缘栅型场效应管（MOSFET）

1. 结构：MOSFET由源极、漏极和栅极构成。其显著特点是源、漏极之间没有p-n结，而是由一层绝缘材料隔开。栅极与基片之间存在一层氧化层，称为栅氧层。
2. 工作原理：MOSFET通过调控输入信号电压，通过栅极控制输出电流。栅极电压影响绝缘层下方的电子浓度，从而控制电流流动。
3. 特点：与JFET相比，MOSFET具有更低的输入电容、更高的输入电阻、更好的噪声特性以及更高的可靠性和稳定性。此外，MOSFET具有更高的绝缘强度，适用于高压应用场景。

结型场效应管与绝缘栅型场效应管首先在结构上具有很大的不同，

前者是一个杂质半导体在它的周围挖俩洞，里面填的是另一种类型的杂质半导体。场效应管本身就自带的有（沟道）也就是主体的杂质半导体的大量载流子所构成的通道，栅极所连接的就是两个杂质半导体，所以就直接导致了U(GS)不能加正向电压，因为如果加了正向电压，两个杂质半导体就会与主体形成PN结，PN结会处于正向偏置状态，正向电压会使通道区域拓宽，导致漏极和源极之间的电阻降低，电流增大，这违背了JFET通过栅极电压控制电流的目的。

同时长时间的正向偏置可能导致PN结损坏，因为JFET不是设计来在这种条件下工作的。这会破坏JFET的控制机制。

所以结型场效应管设计的很巧妙。

这也就是它的转移特性曲线的U(GS)不能大于0。

结型场效应管的输出特性曲线就与绝缘栅型场效应管的无太大差别，不过，在横流区中，结型场效应管的曲线会更加平坦一些。

工作原理上的联系与区别

JFET:

• JFET通过栅源电压（V.gs）控制PN结的宽度，从而调节漏极电流（I.d）。
• 当V.gs为负值时，PN结变宽，阻碍电流流动；当V.gs为正值时，PN结变窄，允许电流流动。

IGFET (MOSFET):

• MOSFET通过栅源电压（V.gs）在半导体表面形成一个导电通道（对于N沟道MOSFET，通道为电子；对于P沟道MOSFET，通道为空穴）。
• 当V.gs达到一定阈值时，通道形成，电流可以流过；当V.gs低于阈值时，通道消失，电流被切断。

特性上的联系与区别

输入阻抗:

• JFET的输入阻抗非常高，但不如MOSFET。
• MOSFET的输入阻抗极高，因为栅极与半导体之间是绝缘的。

线性范围:

• JFET的线性范围较窄，容易进入饱和区。
• MOSFET的线性范围较宽，适用于多种放大应用。

噪声性能:

• JFET通常具有较低的噪声，适用于低噪声放大器。
• MOSFET的噪声性能取决于制造工艺，某些类型的MOSFET（如耗尽型MOSFET）也可以具有低噪声特性。

制造工艺:

• JFET的制造工艺相对简单。
• MOSFET的制造工艺更复杂，但可以实现更高的集成度和更小的器件尺寸。

应用上的联系与区别

JFET:

• 通常用于低频和小信号放大。
• 由于其线性特性和低噪声，常用于音频放大器和射频前端。

IGFET (MOSFET):

• 广泛应用于数字和模拟电路，特别是在集成电路中。
• 由于其开关特性，MOSFET在数字逻辑电路中非常流行。
• 在功率电子领域，MOSFET可用作高效的开关器件。

总结来说，JFET和MOSFET都是通过电场控制电流的FET器件，但它们在结构、工作原理、特性和应用方面存在显著差异。MOSFET因其高输入阻抗、宽线性范围和易于集成等特点，在现代电子技术中更为常见。而JFET则因其特定的性能优势，在某些特定的应用领域中仍然占有一席之地。

其次，他们的符号也有所不同，这个需要注意一下。