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RSS订阅原创 模拟CMOS集成电路设计（二）1
器件制作在p型衬底上(衬底也称作bulk 或者 body),两个重掺杂n区形成源端和漏端,重掺杂的(导电)多晶硅·区(简称poly)作为栅,一层薄 SiO2(简称栅氧)使栅与衬底隔离。器件的有效作用就发生在栅氧下的衬底区，注意,这种结构中的源和漏是对称的。由于在典型的MOS工作中,源/结二极管都必须反偏,所以我们认为NMOS晶体管的衬底被连接到系统的最低电压上。图2.1是一个n型MOSFET的符号,图中表示了三个端子:栅(G)、源(S)和漏(D)。指向G的就是P型，不指向的就是N型。
2024-10-01 14:14:30
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原创 模拟CMOS集成电路设计（一）
设计者可以根据所关心的结果或感兴趣的程度,在器件物理级、晶体管级、结构级或系统级对一个复杂电路进行研究也就是说,可以从器件的内部电场和电荷传输方面考虑分立器件的行为,如图1.5(a)所示,也可以根据器件的电特性研究一组器件间的相互作用[图1.5(b)。作为模拟电路设计者,必须以工程师的眼光快速而直觉地理解一个大的电路,以数学家的智慧量化那些在电路中难以捉摸的而又重要的效应,以艺术家的灵感发明新的电路结构。此外还通过认真引导读者了解每种电路的发展以及介绍在新的电路技术开发期间的思维过程来培养读者的创新能力。
2024-09-26 19:59:07
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空空如也
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