模拟CMOS集成电路设计（二）1

Booming

于 2024-10-01 14:14:30 发布

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文章标签：硬件工程

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第二章是MOS器件的物理基础

2.1基本概念

2.1.1 MOSFET开关

图2.1是一个n型MOSFET的符号,图中表示了三个端子:栅(G)、源(S)和漏(D)。这种器件是对称的,因而源和漏可以互换。作为开关工作时,如果栅电压VG是高电平,晶体管把源和漏连接在一起;如果栅电压为低电平,则源和漏是断开的。

上图是N型的，如何区分是N型还是P型的呢？大家只要记住箭头指向G的就是P型，不指向的就是N型。

2.1.2MOSFET的结构

n型MOS(NMOS)器件的简化结构如图2.2所示。器件制作在p型衬底上(衬底也称作bulk 或者 body),两个重掺杂n区形成源端和漏端,重掺杂的(导电)多晶硅·区(简称poly)作为栅,一层薄 SiO2(简称栅氧)使栅与衬底隔离。器件的有效作用就发生在栅氧下的衬底区，注意,这种结构中的源和漏是对称的。

栅沿源漏通道的横向尺寸叫栅长L,与之垂直方向的栅的尺寸叫做栅宽W。由于在制造过程中,源/漏结的横向扩散,源漏之间实际的距离略小于L。为了避免混淆,我们定义Leff=Ldrawn-2LD,式中Leff称为有效栅长，Ldrawn是总长度,而LD是横向扩散的长度。正如在以后我们将会看到的那样, Leff和氧化层厚度tox对MOS电路的性能起着非常重要的作用。因此MOS技术发展中的主要推动力就是不使器件的其它参数退化而一代一代地减小这两个尺寸本书写作时这两个尺寸的典型值为Leff≈10nm, tox≈15A。本书以后将用L来表示有效长度,除非另有说明。

衬底的电位对器件特性有很大的影响。也就是说,MOSFET是一个四端器件。由于在典型的MOS工作中,源/结二极管都必须反偏,所以我们认为NMOS晶体管的衬底被连接到系统的最低电压上。例如,如果一个电路工作在0~1.2V,则Vsub.NMOS=0。实际的连接如图2.3所示,通常通过一个p+欧姆区来实现。

在互补MOS(CMOS)技术中同时用到NMOS和PMOS。从简单的角度来看,PMOS器件可通过将所有掺杂类型取反(包括衬底)来实现,如图2.4(a)所示。但实际生产中,NMOS和PMOS器件必须做在同一晶片上,也就是说做在同一衬底上。由于这一原因,其中某一种类型的器件要做在“局部衬底”上,通常称为“阱”。现代CMOS工艺中,PMOS器件做在n阱中[图2.4(b)]。注意n阱必须接一定的电位,以便PMOS管的源/漏结二极管在任何情况下都保持反偏。在大多数电路中,n阱与最正的电源供给相连接。为了简化,有时分别称NMOS和 PMOS器件为“NFETs”和“PFETs”