零基础学习8051单片机（七）

本次主要介绍如何驱动几个I/O口，以及硬件的最后剩余部分。

一、I/O口的驱动

连接方法如图：

高电平驱动不恰当的原因：它的电流是非常小的，电流往外，发光二极管要是这么接就比较暗

二、时钟电路与时序

时钟电路实际上有内部时钟和外部时钟，片外接晶振，再加俩电容和片内的振荡器电路构成了一个时钟发生器，驱动单片机一拍一拍的运行，一般情况下都是先取指令，然后进行译码，最后发出驱动信号使单片机运行。

注：做一个单片机系统时，要有时钟电路和复位电路，时钟频率越高，单片机运行速度越快，时钟电路的稳定性也影响单片机的运行可靠性。

   CPU的时序信号有两类：

（1）对片内各个功能部件控制，用户无须了解；

（2）对片外存储器或I/O端口的控制，这部分时序对分析、设计硬件接口电路至关重要。

2.1  时钟电路设计

   时钟频率直接影响单片机运行速度，电路质量直接影响单片机系统的稳定性。常用的时钟电路有两种方式，一种是内部时钟方式，另一种是外部时钟方式。

   2.1.1 内部时钟方式

   AT89S51内部有一个用于构成振荡器的高增益反相放大器，输入端为芯片引脚XTAL1，输出端为引脚XTAL2。这两个引脚跨接石英晶体振荡器和微调电容，构成一个稳定的自激振荡器，内部时钟电路如图：

这是利用了片内的振荡器，使它产生的控制信号可以发给各个功能部件。

晶振一般选择10~12兆的即可，具体范围通常在1.2~12MHZ，取小数，是因为串行口要保证发送数据的时候，波特率为整数，就需要这样的晶振，8051最高的时钟晶振频率为33MHZ，还要考虑稳定性，电容的典型值为30P，做proteus仿真时，可以不画

注：

C1和C2的典型值通常选择为30pF。电容大小会影响振荡器频率高低、振荡器的稳定性和起振的快速性。

晶振频率范围通常是1.2～12MHz。频率越高，单片机速度就越快。速度快对存储器的速度要求就高，印制电路板的工艺要求也高，即线间寄生电容要小。晶体和电容应尽可能与单片机靠近，以减少寄生电容，保证振荡器稳定、可靠工作。为提高温度稳定性，采用温度稳定性能好的电容。

常选6MHz或12MHz的石英晶体。随着集成电路制造技术的发展，单片机的时钟频率也在逐步提高，已达33MHz。

2.1.2外部时钟方式 

用现成的外部振荡器产生脉冲信号，常用于驱动多个单片机工作，便于多片单片机同步，一般为低于12MHz的方波。外部时钟源接到各个单片机的XTAL1端，XTAL2端悬空，如图:

注：

当使用片内振荡器，XTAL1、XTAL2引脚还能为应用系统中的其他芯片提供时钟，但需增加驱动能力。其引出的方式有两种，如图：

 不需要自己在做一个振荡器驱动那些。

2.2  机器周期、指令周期与指令时序

各种指令时序与时钟周期相关。

2.2.1 时钟周期

时钟周期就是震荡器发出的时钟信号，发送这个信号的周期叫时钟周期，时钟控制信号的基本时间单位。若晶振频率为fosc，则时钟周期Tosc=1/fosc。如fosc=6MHz，Tosc=166.7ns。

2.2.2机器周期

 CPU完成一个基本操作所需时间为机器周期。

执行一条指令需要一个或几个机器周期。每个机器周期完成一个基本操作，如取指令、读或写数据等，这个时间段内叫做机器周期。一个机器周期是由一个或若干个时钟周期组成，51单片机是每12个时钟周期为1个机器周期，新型单片机好多一个机器周期就是一个时钟周期，所以现在新型的单片机速度都很快。

1个机器周期包括12个时钟周期，分6个状态：S1～S6。每个状态又分两拍：P1和P2。因此，一个机器周期中的12个时钟周期表示为S1P1、S1P2、S2P1、S2P2、…、S6P2，如图：

         

      2.2.3 指令周期

        执行一条指令所需的时间。

        简单的单字节指令，取出指令立即执行，只需一个机器周期的时间。

        而有些复杂的指令，如转移、乘、除指令则需两个或多个机器周期。

注：

从指令执行时间看:

（1）单字节和双字节指令一般为单机器周期和双机器周期;

（2）3字节指令都是双机器周期;

（3）乘、除指令占用4个机器周期。

三、复位操作和复位电路

单片机初始化操作，给复位脚RST加上大于2个机器周期（即24个时钟振荡周期）的高电平就使AT89S51复位。

3.1 复位操作

复位时，PC初始化为0000H，程序从0000H单元开始执行。

除系统正常初始化外，当程序出错（如程序跑飞）或操作错误使系统处于死锁状态时，需按复位键使RST脚为高电平，使AT89S51摆脱“跑飞”或“死锁”状态，而重新启动程序。

复位操作还对其他一些寄存器有影响，这些寄存器复位时的状态如图：

复位时，SP=07H ，而P0～P3引脚均为高电平。

在某些控制应用中，要注意考虑P0～P3引脚的高电平对接在这些引脚上的外部电路的影响。

例如，当P1口某个引脚外接一个继电器绕组，当复位时，该引脚为高电平，继电器绕组就会有电流通过，就会吸合继电器开关，使开关接通，可能会引起意想不到的后果。

3.2 复位电路设计

片内复位电路结构见图2-17。

复位引脚RST通过一个施密特触发器与复位电路相连，施密特触发器用来抑制噪声，在每个 机器周期的S5P2，施密特触发器的输出电平由复位电路采样一次，然后才能得到内部复位操作所需要的信号。

复位电路采用上电自动复位和按钮复位两种方式。最简单的上电自动复位电路见图2-18。

对于CMOS型单片机，由于在RST引脚内部有一个下拉电阻，可将电阻R去掉，而将电容C选为10mF。

前者为片内复位电路，后者为上电复位电路，

前者为按键电平复位电路（用的较多），后者为按键脉冲复位电路。

所以，一个单片机小系统，由时钟电路、复位电路加上单片机组成即可。

有的芯片需要外扩其他芯片，需要高低电平，两种复位电路如（这是一个现成的电路，直接拿来用就行）：

 注：

只让单片机复位不行，它外部还有一些器件，让那些器件也要复位，有些器件的复位时间很长，所以当复位以后，PC指针指向00地址时，要在往下加几条NOP指令，即供操作指令，要对复位验实，等待其他芯片都复位好，便于系统内的其他芯片能够可靠的复位。

四、低功耗节能模式（S51特有）

两种低功耗节电工作模式：空闲模式和掉电保持模式。

掉电保持模式下，Vcc可由后备电源供电。两种节电模式的内部控制电路如图：

PD：掉电位    IDL：空闲模式

这两位实际上是寄存器内的某两位

空闲模式：

周围的所有电路仍在工作，RAM和特殊功能寄存器里的东西都保存，只是CPU始终不驱动，省电

退出空闲模式：

两种方法退出：响应中断，硬件复位（一般按一下按钮就行，或者想办法让它那个RESET脚为两个机器周期，高电平大于两个机器周期就可以退出）。

掉电运行模式：

所有的时钟信号都封死了，只要把PD位置为1即可，片内的所有部件也都不用时钟驱动了，时钟过不去，片内的内容也已经被保存了。

注：解决掉电保护问题，首先要把电源接进来，那里面就有一个低电压检测电路，当电压掉了百分之10就把备用电池接上，防止里面的RAM和特殊功能寄存器把数据丢了，用软件就可以控制。

两种节电模式可通过PCON的位IDL和位PD的设置来实现。格式如下：

PCON寄存器各位定义:
SMOD:串行通信波特率选择
— :保留位。
GF1、GFO:用户使用的通用标志位
PD:掉电保持模式控制位，PD=1，则进入掉电保持模式

IDL:空闲模式控制位，IDL=1，则进入空闲运行模式，