不同二极管“结”结构的差异与其对性能的影响

引言：“结”的 物理结构与 电极接触方式共同决定了器件的电学特性，就像不同二极管属性的“身份证”，是半导体器件的核心设计逻辑。

一、“结”的结构：载流子运动导电的基础

（一）“结”是什么？

• 二极管之所以叫“二极”，是在强调引脚（与外部电路交互的接口）数量为2。其有两个电极，决定了电流的输入和输出方向，不可逆反，也称为“单向导电性”；
• 而实现二极管单向导电性的物理基础便是内部结构（比如P区与N区，后面会讲），两个区域相交的部分称为“结”，其作为第三个区域“耗尽层（载流子的传输通道，自身不提供载流子）”，决定了载流子是否能通过（电流是否被允许流过），是实现单向导电性的物理屏障。

（二）传统同质PN结（TVS本质还是PN结）

1.原理

本质：P区与N区的材料性质使各自分别带正负电荷，交界处形成具有单一指向性的电场，外接电流方向符合电场允许的正负电荷移动方向时，便能导通，这也是单向导电性的来源。

• P区：掺入三价元素（如硼），形成大量带正电的“空穴”，可看作“带正电的电荷”
• N区：掺入五价元素（如磷），形成大量带负电的自由电子
• 耗尽层：两区域交界处形成一层缺乏载流子的区域，，留下不可移动的正负离子（N侧正，P侧负），只接受电流方向由P区到N区，反向则会截止。
  

2.类型与特点

类型	特点	代表型号	主要应用
整流二极管	大电流、高耐压（面接触型）	1N4007, 1N5408	电源整流、逆变器
开关二极管	快速开关、低结电容（点接触型）	1N4148, 1N914	逻辑电路、信号切换
齐纳二极管	反向击穿稳压（精准控制击穿电压）	BZX55C, 1N4733A	电压基准、过压保护
变容二极管	结电容随反向电压变化	BBY40, MV209	调谐电路、压控振荡器
PIN二极管	本征层（I层）扩大耗尽区	HSMP-3860	射频开关、衰减器

3.可能存在的误区

？？？
“二极管导通后，自由点子从N区移动到P区，正空穴从P区移动到N区，再反接时不应该正好导通让正负极移动回来吗？”

• P区与N区的材料性质使各自分别带正负电荷，相应载流子浓度远高于移动过来的相反电荷离子浓度，所以相反电荷移动过来后立马被中和掉，生存时间极短
• 而这部分疑问揭示了 少数电荷漂移形成微小电流的情况
  • 反向饱和电流（Iₛ）的来源：
    • P区的热激发产生少数载流子（电子） 被拉向N区
    • N区的热激发少数载流子（空穴） 被拉向P区
  • 电流极小：因少子浓度极低（硅的Iₛ≈10⁻⁹~10⁻¹²A）

刚刚提到的“热激发”是“热能打破共价键产生自由载流子”的过程，也是半导体某区中出现少数相反电荷的唯一来源

（三）新型 金属结、异质结

现代半导体器件的设计核心在于平衡高频性能与大功率处理能力之间的矛盾，对传统PN结进行优化。肖特基二极管、GaAs点接触二极管和硅面接触二极管分别针对不同场景优化了这一矛盾

1.原理

（1）金属结（如肖特基结）

肖特基二极管（SBD）以金属-半导体结替代传统PN结

• 多数载流子导电机制
  • 仅依赖电子（多数载流子）导电，避免了PN结中少数载流子的存储与复合过程，使反向恢复时间（trr）缩短至几纳秒，比硅PN结二极管快100倍以上。 正向导通后突然加反向电流，二极管不会立即变为截止状态，而是由反向电流在一小段时间后减小为0，达到截止状态。在高频开关电源中，二极管需要频繁地在导通和截止状态之间切换，反向恢复时间短的二极管能减小开关损耗，增大电源效率
  • 无反向恢复电荷（Qrr），开关损耗极低，适用于MHz-GHz级高频开关电路
• 低正向压降与高温稳定性
  • 正向压降仅0.3–0.4V（硅PN结为0.7V），降低导通损耗，提升能效，尤其适合低压大电流场景（如开关电源）
  • 高温下漏电流稳定性优于锗器件，工作温度可达150°C以上
• 结构设计弥补耐压短板
  • 传统SBD耐压较低（40–100V），但采用碳化硅（SiC）材料后，击穿电压提升至650V以上，同时保持低trr特性，完美适配新能源汽车OBC（车载充电机）等高功率场景

这也可以解释5G通信选用GaAs点接触二极管、电动汽车整流桥选用硅面接触二极管的原因了

（2）异质结（顾名思义，两区材质不同）

• 解决传统PN结部分问题：
  • <1> 电子与空穴注入后易在结区复合，但发光效率低（如硅PN结几乎不发光）
  • <2> 基区电阻大，载流子渡越时间长（如硅BJT截止频率<100GHz）
  • <3> 单结硅电池理论效率上限29%
• 异质结方案：
  • <1> 宽带隙材料（如AlGaAs）作P区，窄带隙材料（如GaAs）作N区
  • <2> 发射区用宽带隙材料（如InP），基区用窄带隙材料（如GaInAs）
  • <3> 非晶硅（a-Si）与晶体硅（c-Si）形成异质结
• 效果：
  • <1> 光子发射效率提升10-100倍
  • <2> 基区渡越时间降低， 截止频率 > 500GHz
  • <3> 效率突破26%（量产水平）

应用：
<1> 激光二极管（如GaAs/AlGaAs）、高亮LED（如InGaN/GaN）
<2> 5G毫米波功率放大器（如GaAs HBT）、太赫兹电路。
<3> 松下HIT太阳能电池、钙钛矿/硅叠层电池（效率>33%）。

2.类型与特点

（1） 金属-半导体结（肖特基结）

类型	特点	代表型号	核心优势
肖特基二极管	金属（如铂）与N型半导体接触	BAT54S, 1N5819	超快开关（纳秒级）、低正向压降（0.3V）
SiC肖特基二极管	碳化硅基肖特基结	C3D08060A	高耐压（650V+）、高温稳定性

（2） 异质结二极管

类型	特点	材料组合	应用场景
砷化镓二极管	GaAs/AlGaAs异质结	HSMS-286x	5G毫米波检波（60GHz）
LED发光二极管	InGaN/GaN多量子阱异质结	任意贴片LED	照明、显示屏
激光二极管	多层异质结结构（产生受激辐射）	FP/DFB激光管	光纤通信、激光传感

（四）结型与选型

不同结对应了不同的技术需求，以下是不同场景需要的类型

结类型	响应速度	耐压/电流	高频特性	典型场景
PN结	中速（ns-μs）	高压大电流	一般（kHz级）	整流、稳压、开关电路
肖特基结	超快（<1ns）	低压中电流	优（GHz级）	开关电源、射频检波
异质结	超快（ps级）	低电压小电流	极优（THz）	激光器、毫米波通信
无结型	依赖物理效应	定制化	特殊功能	浪涌保护、微波振荡

例如：
需求为 输入电压：12V 、输出电压：3.3V 、输出电流：2A（最大值3A） 、开关频率：1MHz
传统PN结二极管（如1N5819）：正向压降 0.7V、结电容150pF、反向恢复时间 50ns
肖特基二极管（如BAT60A）：正向压降0.35V、结电容45pF、反向恢复时间<5ns
此时选用肖特基BAT60A

（五）半导体器件都要有“结”吗？不

工程中常说的“无结二极管”特指“无PN结（如肖特基管）”，但金属-半导体界面、异质GaAs仍然是严格意义的”结“，物理性质与PN结等价。

但是！

新型器件如GaAs器件具有多样性，一些GaAs器件（如耿式二极管）没有结结构，而有独特的“双能谷导带结构”；而一些GaAs器件则明确利用异质结工作。

所以，像耿式二极管和光电导开关这类器件是没有结结构的，但我们平常学到的二极管确实都采用经典“结”结构。

耿式二极管

二、“结”的形状：接触方式

（一）面接触

内部PN结构采用合金法或扩散法制成的二极管，PN结的面积较大，能通过较大的电流，工作频率较低，常用作整流（可将交流整成直流）元件

优势：

• 大电流：结面积大，散热好，允许通过大电流
• 高反向耐压：耗尽层较宽 ， 反向击穿电压高

应用场景：工频整流（如电源适配器）、大功率电路

劣势点：工作频率低的原因（公式推导）
1.结电容大

• 电容公式：（A为结面积，d为耗尽层宽度）
  面积A极大 ，结电容大
  2.结电容大，高频时容抗小 ，高频信号无法有效通过PN结

3. 载流子渡越时间长

• 载流子需穿越较厚的耗尽层 ,扩散速度有限 , 响应速度慢
• 截止频率上限低 （通常<3 kHz）

（二）点接触

相较于面接触，点接触型二极管PN结面积较小，由一根很细的金属丝与一块N型半导体晶片表面接触，使触电和半导体牢固熔接构成PN结。
点接触的接触面积小，只能通过较小的电流，承受较低的反向电压，高频特性好，主要用于高频和小功率电路或数字电路中的开关元件。

优势：

• 结电容极小 接触面积A微小，通过上文的公式，结电容仅0.1~1pF
• 容抗在高频时仍较大 ，信号可通过
• 载流子渡越时间极短 耗尽层窄，载流子可快速穿越

劣势：

• 电流容量小 接触面积小导致散热能力差 , 最大正向电流仅10~100mA（过流易烧毁）
• 反向耐压低 耗尽层极窄 ，电场强度易超过临界值 ，反向击穿电压低

应用场景：高频检波（收音机）、高速开关电路