EP1C20F400C8N FPGA Altera 的 Cyclone® 系列 FPGA 以其低成本、低功耗和灵活的 I/O 支持而著称。 作为 Cyclone I 家族中规模最大的成员之一,提供约 20 060 个逻辑单元,面向通信、工业控制、视频处理等多种嵌入式应用场景。
芯片概述
EP1C20F400C8N 基于 0.13 µm 全铜层 SRAM 工艺制造,核心电压典型值为 1.5 V,I/O 电压支持从 1.5 V 到 3.3 V。该器件封装为 400‑FBGA(21 × 21 mm,0.8 mm 球间距),共 301 条可编程 I/O 引脚,最高内部逻辑工作频率可达 275 MHz 左右。
核心架构与制造工艺
EP1C20F400C8N 采用成熟的 130 nm CMOS 工艺,所有金属层均使用铜互连,兼顾了性能、功耗与成本。SRAM 型架构使得该器件在每次上电或重新配置时需加载位流,但也带来了更高的可编程灵活性。
逻辑与存储资源
-
逻辑单元(LE):20 060 个,可组成 2 006 个逻辑阵列块(LAB)。
-
片上 RAM:总计 294 912 位(36 864 字节),分布于多个 M4K 块 RAM;另外,逻辑单元内部可配置为分布式 RAM。
-
全局与局部时钟网络:每行 LAB 提供多达 8 条全局时钟线,其中 6 条可用于时钟资源。
这些丰富的资源使得 EP1C20F400C8N 能够胜任复杂的信号处理和数据路径计算任务。时钟与时序管理
器件内置多达 2 个相位锁定环(PLL),支持时钟倍频、分频及相位偏移,可为内部逻辑或外部 I/O 提供精确时钟。此外,全局时钟网络保证了高性能设计的时序闭合。
I/O 与接口
-
可编程 I/O 数量:301 条。
-
支持标准:LVTTL、LVCMOS(1.5 V/2.5 V/3.3 V)、SSTL‑2、SSTL‑3。
-
高速差分 I/O:支持 LVDS(高达 640 Mbps)、低速 LVDS(311 Mbps)、RSDS(311 Mbps)。
-
总线接口:原生支持 33/66 MHz、32/64 位 PCI。
这使得 EP1C20F400C8N 可无缝连接各类高速存储器、ASIC/ASSP 及外设。
电源管理与热特性
-
核心电压:1.425 V 至 1.575 V(典型 1.5 V)。
-
I/O 电压:最高可达 3.3 V。
-
工作温度范围:0 ℃ 至 +85 ℃(商用级)。
-
功耗:基于 130 nm 工艺,静态与动态功耗较低,适合对能耗敏感的嵌入式系统。
配置方式与安全
Cyclone I 系列 FPGA 为 SRAM 型器件,常用配置方案包括:
-
主动串行(AS):FPGA 通过配置闪存(如 EPCS/EPCQ)自动加载位流;
-
被动串行(PS):外部控制器并行推送配置数据;
-
JTAG:使用 USB‑Blaster/ByteBlaster II 等下载电缆,基于 IEEE‑1149.1 接口直接配置;
-
并行配置:借助并行配置器件实现快速上电配置。
此外,SRAM 型 FPGA 在上电、复位或动态重配置时均需重新加载位流,设计时需考虑位流完整性与安全性。