BSB017N03LX3 G替代型号PC003NG-E,30V150A 33mΩ

BSB017N03LX3 G替代型号PC003NG-E,30V150A 33mΩ
型号:PC003NG-E
电压电流:30V150A
内阻:33mΩ
封装:TO-220

 

Description:
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. 
Features:
1) VDS=30V,ID=150A,RDS(ON)<3mΩ @VGS=10V
2) Low gate charge. 
3) Green device available. 
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra low RDS(ON). 
5) Excellent package for good heat dissipation.

 

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