模拟电子技术 - (第一章1.14小结)

• 重要结论和概念

1. 理想二极管的特性与简单开关的特性近似符合，除了一个非常重要的方面，即理想二极管只能单向导通。
2. 理想二极管再导通区域认为是短路的，而在非导通区域认为是开路的。
3. 半导体是一种传到性能介于良导体和绝缘体之间的材料。
4. 原子键是通过与相邻原子共享电子形成的，称为共价键。
5. 温度的升高可以引起半导体材料中自由电子数目的大幅度增加。
6. 电子工业中使用的大部分半导体材料具有负温度系数，即阻抗随温度的升高而下降。
7. 本征材料是具有很低掺杂的半导体，而掺杂半导体是经过残杂过程的半导体。
8. n型半导体是通过添加具有5个价电子的施主原子形成较高自由电子浓度而够成的，在n型材料中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
9. p型半导体是通过添加具有3个价电子的受主原子形成较高空穴浓度而构成的，在p型材料中，电子是多数载流子，电子是少数载流子。
10. 二极管靠近p-n结的区域具有很少的载流子，成为耗尽层。
11. 不加外部偏置电压时，二极管电流为0.
12. 在二极管正偏区域，电流随外加电压的增加成指数形式增加。
13. 在二极管反偏区域，电流是非常小的反向饱和电流。直到发生齐纳击穿时，电流将反向流过二极管。
14. 反向饱和电流Is将大约随温度每10倍的增长而加倍。
15. 二极管的直流电阻由特性曲线上某点的电压和电流之比确定，对曲线形状不敏感，直流电阻随二极管电压或电流的升高而降低。
16. 二极管的交流电阻对曲线在研究区域的形状很敏感，再二极管电流或电压处于高等级时，其交流电阻将下降。
17. 硅二极管的阈值电压为0.7V，而锗二极管的阈值电压为0.3V。
18. 二极管的最大功率损耗等级与二极管电压和电流的乘机相等。
19. 二极管的电容随正偏电压的增加成指数形式增加，在反偏区域时处于最低水平。
20. 齐纳二极管的导通方向与二极管符号的箭头方向相反，钱电压的极性与正偏二极管电压的极性相反。