模电知识点总结

本文总结了模电中的晶体二极管知识,包括半导体的基础概念,如本征半导体的本征激发及空穴运动,以及杂质半导体中的N型和P型半导体的区别。还介绍了导电机理——漂移和扩散电流的概念。
摘要由CSDN通过智能技术生成

模电知识点总结

第一章 晶体二极管

1.1 半导体物理基础知识

半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

1.1.1 本征半导体
硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。

本征激发
共价键具有很强的结合力。 当T=0K(无外界影响)时,共价键中无自由移动的电子。
当T升高或光线照射时->产生自由电子空穴对。这种现象成为本征激发

注意:空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。

空穴的运动
当原子中的价电子激发为自由电子时,原子中留下空位,同时原子因失去价电子而带正电。
当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动,该运动可等效地看作是空穴的运动。
注意:空穴运动方向与价电子填补方向相反。

半导体中有两种导电的载流子

  1. 自由电子 — 带负电
  2. 空穴-带正电

热平衡载流子浓度

本征半导体中
本征激发——产生自由电子空穴对。
电子和空穴相遇释放能量——复合。

温度一定时:
激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。
T上升或光照增强,会导致热平衡载流子浓度增强,导电能力增强。

1.1.2 杂质半导体

N型半导体
本征半导体中掺入少量五价元素构成。
N型半导体 多子&#

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