基于ADS的低噪声放大电路设计

1. 低噪声放大器设计理论基础

1.1 低噪声放大器在通信系统中的作用

低噪声放大器的主要作用是放大天线从空中接收到的微弱信号，减小噪声干扰，以供系统解调出所需的信息数据。当今，人们对于各种无线通信工具的要求越来越高，如功率辐射要小、作用距离要远、覆盖范围要广等，这就对系统的接收灵敏度提出了更高的要求，系统接收灵敏度的计算公式为：
$$S_{\min }=-144\left(\frac{\mathrm{d}\mathrm{B}\mathrm{m}}{\mathrm{H}\mathrm{z}}\right)+NF+10\lg BW\left(\mathrm{M}\mathrm{H}\mathrm{z}\right)+\frac{S}{N}\left(\mathrm{d}\mathrm{B}\right)$$
从式中可以看出，一旦系统带宽和信噪比确定了，对系统的灵敏度起决定性作用的只有NF，而且从多级级联放大器的噪声系数公式：
$$NF=N{F}_1+\frac{N{F}_1-1}{G_1}+\frac{N{F}_2-2}{G_1{G}_2}+\cdots$$
其中，$N{F}_n$为第n级放大器的噪声系数，$G_n$为第n级放大器的增益。可以看出第一级放大器的噪声在整个接收机中处于重要地位，所有，低噪声放大器的设计对整个接收系统式很重要的，儿提高灵敏度式关键手段之一。

1.2 低噪声放大器的主要技术指标

一个低噪声放大器的性能主要包含噪声系数、合理的增益和稳定性条件等，在整个有用频率范围内不会振荡，且这种放大器的典型工作状态是A类，其特征是，偏置点大约处处于所使用器件的最大电流和电压能力的中心。

1.2.1 噪声系数NF

放大器的噪声系数NF定位如下
$$NF=\frac{S_{\mathrm{i}\mathrm{n}}/N_{\mathrm{i}\mathrm{n}}}{S_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}/N_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}}$$
式中$S_{\mathrm{i}\mathrm{n}}$、$N_{\mathrm{i}\mathrm{n}}$分别为输入端的信号功率和噪声功率；式中$S_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$、$N_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$分别为输出端的信号功率和噪声功率。
噪声系数的物理含义是：信号通过放大器后，由于放大器产生噪声，使信噪比变坏，信噪比下降的倍数就是噪声系数。
通常，噪声系数用分贝数表示，此时
$$NF\left(\mathrm{d}\mathrm{B}\right)=10\lg \left(NF\right)$$
对单级放大器而言，其噪声系数的计算公式为：
$$NF=N{F}_{\min }+4R_{{}_n}\frac{\left|{\Gamma }_{\mathrm{s}}-{\Gamma }_{\mathrm{o}\mathrm{p}\mathrm{t}}\right|}{\left(1-{\left|{\Gamma }_{\mathrm{s}}\right|}^2\right){\left|1-{\Gamma }_{\mathrm{o}\mathrm{p}\mathrm{t}}\right|}^2}$$
其中，$N{F}_{\mathrm{m}\mathrm{i}\mathrm{n}}$为晶体管最小噪声系数，是由放大器的管子本身决定的；${\Gamma }_{\mathrm{o}\mathrm{p}\mathrm{t}}$、$R_n$和${\Gamma }_{\mathrm{s}}$分别为获得$N{F}_{\mathrm{m}\mathrm{i}\mathrm{n}}$时的最佳源反射系数、晶体管等效电阻和晶体管输入端的源反射系数。
在某些噪声系数要求非常高的系统，由于噪声系数很小，用噪声系数表示很不方便，常用噪声温度来表示：
$$N=K{T}_{s}B$$
式中，K为玻尔兹曼常量$1.38\times 10^{-23}J/K$；$T_s$为有效温度，单位为K；B为带宽，单位为Hz。
噪声温度与噪声系数的换算关系为
$$NF\left(\mathrm{d}\mathrm{B}\right)=10\lg \left(1+\left(\frac{K{T}_{s}B}{K{T}_{0}B}\right)\right)=10\lg \left(1+\left(\frac{T_s}{T_0}\right)\right)$$
其中，$T_s$为放大器的噪声温度；$T_0=2900K$；NF为放大器的噪声系数。

1.2.2 放大器增益G

在微波设计中，增益通常被定义为传输给负载$Z_L$的平均功率与信号源的最大资用功率之比：
$$G=\frac{F_L}{F_Z}$$
增益通常式在阻性信号源和阻性负载端接的情况下定义的，这就表明了信号源的资用功率都提供给了负载。放大器的资用功率经输出口适当匹配提供给终端，且增益的值通常式在固定频点上测到的，又由于大多数放大器的增益——频率曲线不平坦，因此还必须说明增益的平坦度。
低噪声放大器都是按照噪声最优匹配进行设计的，噪声最佳匹配点并非最大增益点，因此增益G要下降。噪声最佳匹配情况下的增称为相关增益。通常，相关增益比最大增益大概低2~4dB.

1.2.3 增益

接收系统增益确定后，就要对增益进行分配，增益分配首先要考虑接收机系统的噪声系数，一般来说，低噪声放大器的增益比较高，以减小放大器之后的器件或模块对系统的噪声影响。但是，低噪声放大器的增益又不能太高，太高则会影响后级混频器的失真和接收机的动态范围。
下面以某接收机为例来说明三者之间的关系。
接收机的噪声系数为3dB，线性动态DR为50dB，接收机的匹配信号带宽为3.3MHz，最大输出信号电平为2$V_{\mathrm{p}-\mathrm{p}}$（50Ω系统）。
接收机的灵敏度为：
$$S_{\min }=-144+NF+10\lg \Delta F+\frac{S}{N}\approx -106\mathrm{d}\mathrm{B}\mathrm{m}$$
接收机的最大输入信号电平功率为：
$${\mathrm{P}}_{\mathrm{i}\mathrm{n}}=S_{\min }+DR=-56\mathrm{d}\mathrm{B}\mathrm{m}$$
接收机的最大输出信号电平功率为
$${\mathrm{P}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}=\frac{1}{20}{\left(\frac{V_{\mathrm{p}-\mathrm{p}}}{2\sqrt{2}}\right)}^2=10\mathrm{d}\mathrm{B}\mathrm{m}$$
接收机的增益为66dB.
动态范围的上限受非线性指标限制，要求更加严格时则定义为放大器非线性特性达到指定三阶交调系数时的输入功率值。

1.3 低噪声放大器的设计方法

1.3.1 低噪声放大器的设计步骤

低噪声放大器的一半设计步骤为：

1. 晶体管选择：S参数、噪声参数、功率输出、价格；
2. 稳定性判断：K值计算；如果K<1，计算$G_{ms}$，在${\Gamma }_G$和${\Gamma }_L$平面上画出不稳定区域；满足稳定区域和增益为$G_{ms}$，在$f_2$处设计$M_1$和$M_2$。如果K>1，计算$G_{ms}$，在$f_2$处设计$M_1$和$M_2$（假设$S_{12}=0$）。
3. 画出${\Gamma }_G$和${\Gamma }_L$与频率是否在稳定区域内；
4. 设计直流偏置电路，再次验证稳定性；
5. 完成放大器完整的尺寸结构；
6. 验证稳定性
7. 制版。

1.3.2 放大器稳定性

一个微博管的射频绝对稳定条件是
$$\mathrm{K}=\frac{1-{\left|S_{11}\right|}^2-{\left|S_{22}\right|}^2+D}{2\left|S_{11}{S}_{22}\right|}>1$$
$${\left|S_{11}\right|}^2<1-\left|S_{11}{S}_{22}\right|,{\left|S_{22}\right|}^2<1-\left|S_{12}{S}_{21}\right|$$
其中，$D=S_{11}{S}_{22}-S_{12}{S}_{21}$；K成为稳定性判别系数，K>1时为稳定状态。只有当上面三个条件都满足时，才能保证放大器时绝对稳定的。
实际设计时，为了保证低噪声放大器稳定工作，还要注意使用放大器避开潜在不稳定区。
对于潜在不稳定的放大器，至少有两种可选择的途径。

1. 引入电阻匹配元器件，使$K\ge 1$和$G_{\max }\approx G_{\mathrm{m}\mathrm{s}}$。
2. 引入反馈，使$K\ge 1$和$G_{\max }\approx G_{\mathrm{m}\mathrm{s}}$。
   在实际设计中，为改善微波管自身稳定性，有以下三种方式。
   （1）串联阻抗负反馈。
   在MESFET的源极和地之间串接一个阻抗元器件，从而构成负反馈电路。对于双极型晶体管，则时在发射极经反馈元器件接地。在实际的微波放大器中，电路尺寸很小，外接阻抗元器件难以实现。因此反馈元器件常用一段微带线来代替，它相当于电感性元器件的负反馈。
   （2）用铁氧体隔离器。
   铁氧体隔离器应该加在天线与放大器之间，假定铁氧体隔离器的正向功率衰减为$\alpha$，反向功率衰减为$\beta$，且$\alpha >1$，$\beta >1$。则$\Gamma =\frac{{\Gamma }_0}{\sqrt{\alpha \beta }}$。其中，${\Gamma }_0$为加隔离器前的反射系数；$\Gamma$为加隔离器后的反射系数。
   用以改善稳定性的隔离器应该具有如下特性：
   ► 频带必须很宽 ， 要能够覆盖低噪声放大器不稳定频率范围。
   ► 反向隔离度并不要求太高。
   ► 正向衰减只需保证工作频带之内有较小衰减， 以免影响整机噪声系数， 而工作频带外， 则没有 要求。
   ► 隔离器本身端口驻波比要小。
   （3）稳定衰减器
   Π型阻性衰减器是一种简易可行的改善放大器稳定性的措施， 通常接在低噪声放大器末级输出口， 有时也可以加在低噪声放大器内的级间。由于衰减器是阻型衰减， 因此不能加在输入口或前级的级间， 以免影响噪声系数。在不少情况下， 放大器输出口潜在不稳定区较大， 在输出端加n型阻性衰减器， 对改善稳定性相当有效。

2 ATF54143 DataSheet

本节以 Avago 公司的 ATF54143 为例， 介绍低噪声放大器实例与仿真。有源电路（如放大器和振荡器）的核心都是晶体管， 设计之前必须详细了解晶体管的各方面参数和性能， 这是选择晶体管进行设计的基础。而半导体公司提供的晶体管的芯片资料（DataSheet）是设计者获得有关晶体管信息最重要的资料， 所以如何有效阅读一篇晶体管的芯片资料是每个射频电路设计者必须要掌握的。下面以 Agilent 公司的高电子迁移率晶体管 (PHEMT) ATF54143 的芯片资料为例子， 看看如何阅读一篇晶体管芯片资料。 ATF54143 的 DataSheet资料请读者到安捷伦科技网站下载。ATF54143 是 A护lent 科技半导体部（现为 Avago 科技）出品的一款低噪声增强型高电子迁移率晶体管， 使用表面贴片安装 (SMD) 塑封封装。
第 1 页简要介绍了 ATF54143 的主要性能、 关键参数和主要应用等。
在 Description 中介绍了 ATF54143 是一款低噪声增强型高电子迁移率晶体管， 封装为4引脚SC -70 表面安装塑料封装。 其高增益、 高线性度和低噪声可用于从 450 MHz ~ 6GHz 范围内的系统。
在 Features 里简要说明了该晶体管的特点， 包括高线性度、 低噪声、 800µm 的栅极宽度（在半导体工艺里面， 栅极 ·36.2 dBm output JN order intercept 宽度是决定整个工艺的最核心参数）， 以及低成本的封装。
在 Specifications里面描述了该晶体管在其典型工作频率 (2GHz) 和典型偏置 (3V、 60mA) 时的主要性能， ·0.5dB noi扭figure
包括3阶交调、ldB压缩点、 噪声系数在 Applications 里列举了 ATF54143 的主要应用， 主要用作各类低噪声放大器电路。
第 2 页的表 “ATF54143 Absolute Maximum Ratings” 给出了 ATF54143 可以承受的最大功率、 电压、 电流和温度。 在设计的时候， 尤其注意相关的电压和功率不能超过最大值；否则， 管子会损坏。
第3 页的列表"ATF54143 Electrical Specification" 给出了在一定温度下(TA = 25"C) 晶体管的主要参数
对于不同用途的晶体管， 设计者一般只关注跟具体用途和设计关系密切的参数。例如，
ATF54143 的一个重要应用就是低噪声放大器， 那么在设计低噪声放大器时晶体管的 NF 参数性能就受到特别关注， 表中标明了 NF在频率 2GHz 和 定偏置 (Vds = 3 V, fds = 60mA) 的情况下的噪声参数典型值为 0. 5dB, 在频率 900 MHz 时为 0.3dB。 通常设计者在低噪声放大器晶体管比较选型时， 这个参数是重点。 它的 ldB 压缩点在2 GHz 的时候为 20. 4dBm, 在 900MHz 的时候为 18. 4dBm。 也就是说， 在设计时晶体管的输出功率不能超出对应的值；否则， 会引起失真。
第 4 页和第 5 页 “ATF54143 Typical Performance Curves” 的图描述了在不同频率 (2GHz 、 900MHz) 、不同偏置 (Vds 、Ids）下晶体管关键性能 (Fmin 、 GAIN 、 OIP3 、 PldB) 的变化曲线图。 例如， 当Vc1, =3V 时， Id在 20mA 时， Fmin大约为 0.4ldB, 此时最大增益约为 16. 3dB 。
根据产品的要求， 在设计低噪声放大器时， 工程师都是从放大器的产品指标出发（这些设计指标包括 F111,n 、 GAIN 、 OIP3 、 PldB), 根据这些图表选择适当的偏压 Vc1. 、 偏置电流儿。 如图 5-5 所示的是在有最大 OIP3 时的参数。
从第 6 页到第 9 页列出了在某个特定偏置 (V由，从）下的 S 参数和噪声参数, ADS 的器件库中的 S Parameter Libraray库就是此类 SNP 文件的集合。 S Parameter Library中器件只能进行 S 参数和噪声的仿真， 不能进行直流仿真（直流偏置已确定）。
第 10 页到第 11 页给出了 ATF54143 的典型应用电路的信息。这里面包括 2 个偏置不同的电路，一个为无源偏置， 一个为有源偏置。
第 12 页给出了 A吓54143 的模型, 在 Avago 公司提供的 ATF54143 的 ADS 模型的 zap 文件里的就是这个模型。这是晶体管的完整模型， 可以进行从直流偏置到 S 参数的全部仿真。在没有晶体管的zap 文件的情况下， 设计者可以根据 DataSheet 所提供的模型参数自行在 ADS 里面建模。
第13页给出了关千ATF54143的非线性模型的一些信息。 非线性模型牵涉晶 体管源极的分布电感， 如在PCB上加了接地孔。
第14页给出了噪声参数应用信息。
第15页给出了SOT-343封装尺寸。
第16页为产品的包装信息。

3. LAN实例

本实例采用Avago的一款PHEMT FET来进行低噪声放大器的设计。 设计目标如下。
► 工作频率2.4 ~ 2. 5GHz ISM频段。
► 噪声系数NF<0. 7。
► 增益Gain>l5。
► 输入驻波VSWRin< l. 5, 输出驻波VSW Rout< I. 5。
设计大致步骤如下。
(1) 下载并安装晶体管的库文件。
(2) 直流分析。
(3) 偏置电路设计。
(4) 稳定性分析。
(5) 噪声系数圆和输入匹配。
(6) 最大增益的输出匹配。
(7) 匹配网络的实现。
(8) 版图的设计。
(9) 原理图—版图联合仿真(co-simulation)。

3.1 下载并安装晶体管的库文件

（1) ADS自带元器件库里并无AF54143元器件模型， 可以直接从Avago公司的网站(http://www. avagotech. com) 下载该晶体管的 ADS模型(atf54143_010407. zap)。 然后进入ADS主界面， 执行菜单命令【File]-[Unarchive Workspace or Project … ] , 释放此文件， 如下图所示。

（2）弹出一个 “Convert Project to Workspace Wizard” 的向导对话框。 在向导中按照步骤选择 “alf54143_010407. zap” 文件， 把它释放到目标文件夹， 最终生成一个 “atf54143_ 010407 _wrk” 的ADS 工程。 值得注意的是，解压路径中最好不要有中文， 否则可能报错。

（3）新建一个工程 “LNA_ATF54143_wrk”。 执行菜单命令【File】-【New】-【Work­pace】。 此时弹出一个新建工程向导，按照向导一步一步地设置。
（4）在该设计中， 需要加入ATF54143的模型。 执行菜单命令[ File】-【Manage Librar­es …】， 弹出 " Manage Libraries" 对话框， 单击[ Add Library Definition File …】按钮
（5）弹出的"Select Library Definition File" 对话框中找到"atf54143_010407_wrk" 的文件夹，选择lib. clefs文件，单击打开按钮，最终可以看到"atf54143_010407_wrk"。
（6）在"LNA_ATF54143_wrk"的"Library View" 目录下也可以看到"atf54143_010407_lib"。

3.2 直流分析DC Tracing

设计LNA的第一步是确定晶体管的直流工作点。
（1）新建一个原理图，在"Schematic Design templates" 选择"ads_templates: DC_FET _T" （如下图）, 新建原理图名为"ATF54143_DC_T"。

（2）单击【OK】按钮，打开这个原理图，可以看到它里面已经把"FET DC Tracing" 的控件放置好了（如下图)。

（3）单击元器件库按钮。 打开元器件库列表（如下图)。选择"ATF54143_dt",右击"Placecompnent"添加至原理图。


（4）下面需要设置 DC_FET 控件的参数。 在 ATF54143 的 DataSheet 里面（如下图 ) 可以看到 ATF54143 的 VGS 为 0. 3 ~ 0. 7V。 (ATF54143 为 PHEMT FET, 凡的值需要为负。）

（5）根据上图可以设置相关参数并连接原理图， 如下图所示。

上图中DC_FET中的各项参数设置如下。
► VGS_start: 起始栅极电压。
► VGS_stop: 终止栅极电压。
► VGS_points: 栅电流值的采样点数目。
► VDS_slart: 初始涌—源电压。
► VDS_stop: 终止漏—源电压。
► VDS_points: 漏—源电压值的采样点数目。
（6）开始仿真。 因为原理图用的是模板， 带有显示模板， 所以仿真结果直接就显示了如下图所示的图线。

从ATF54143的DataSheet上可以看到噪声、增益、OIP3与儿和/gs的关系，从而确定晶体管工作点， 如下图所示。

从上图里面可以看到， 在 2GHz 的时候， 当 Vds = 3V 且 Ids = 60mA 时， Fmin 仅仅比 Ids =20mA 时高了 0. ldB, 但是 OIP3 却高出了很多。 综合考虑， ATF54143 直流工作点就设为Vds =3V 、Ids=60mA。

3.3 偏置电路的设计

（1）创建一个新的原理图，命名为"biasCircuit"。在原理图中放入ATF54143的模型，在工具栏的控件下拉菜单中选择 “Transistor Bias” , 选择其中的 “DA_FETBias” 工具， 如下图所示。

（2）ATF54143的芯片资料中列出 了电参数的典型值，如下图所示。

双击DA_FETBias_BiasCircuit控件，在弹出的对话框里按照芯片资料上列出的典型值设置控件参数，如下图所示。

（3）行菜单命令【DesignGuide]­【Amplifier】，弹出放大器设计向导对话框，在Tools里面选择"TransistorBias Utility"。在弹出来的对话框中选择 “Transistor Bias Utility”, 如下图所示。

（4）单击【OK】按钮，弹出"TransistorBias Utility"对话框。这里会自动寻找到在原理图中的DA_FETBiasl控件并导入其中各项参数。
（5）击【Design】按钮， 弹出下一步进入的"Bias Network Selection" 对话框， 单击【OK】按钮， ADS自动生成一个偏置电路， 如下图所示。

在"BiasNetwork Selection"对话框里面有3个偏置网络可以选择，另外两个偏置电路如下图所示。在另两个偏置网络里面，晶体管的源极是有电阻的，但通常在LNA的设计中，S极只接反馈电感（微带线），所以选用第一个偏置网络。


（6）单击[OK】按钮，ADS自动生成偏置网络。可以通过选择"DA_FETBias-1 “控件， 再单击"Push into Hierarchy”图标来看偏置子电路， 如下图所示。

从图中可以看到， Rl 、 R2 和 R4 的电阻值都不是常规标称值， 它们仅仅是理论计算的结果。 后面会用相近的常规标称值电阻代替。
（7）单击进行仿真。仿真结束后，执行菜单命令[Simulate]一【AnnotateDC Solu­tion】，可以看到原理图中电路各节点的电压和电流，如下图所示。

（8）重建一个原理图， 命名为” biasC订cuit2", 添加各种元器件和控件， 并按照下图所示的画好偏置电路。

3.4 稳定性分析

（1）创建一个新的原理图， 命名为"LNA_schematic_l"如下图所示

因为要进行S参数的仿真， 所以加了很多控件， 其中"Term" 是端口，一般都默认50Ohm；“StabFact” 控件是稳定系数， 也就是K, 在这里要求K > 0 ; " MaxGain" 是最大增益控件（注意不是实际增益， 实际增益是S21); “S -PARAMETERS” 控件里面设置仿真的参数。
另外， 放大器的直流和交流通路之间要加射频扼流电路， 它实质是一个无源低通电路， 使直流偏置信号（低频信号）能传输到射频信号通路上， 而晶体管的射频信号（频率很高， 在这里是2. 4GHz的传输信号）无法进入直流偏置， 实际中一般是一个电感， 有时也会加一 个旁路电容接地， 在这里先用【DC_Feed]扼流电感代替。 同时， 直流偏置信号不能传到两端的Term, 需要加隔直电容， 这里先用【DC_Block】隔直电容代替。
（2）单击仿真图标开始仿真。 仿真结束后， 单击数据显示窗口左侧的Ill 图标， 弹出 " Plot Traces&Attributes" 对话框， 如下图所示。

从上图里可以看出， 在2. 45GHz时， 最大增益为20dB, 稳定系数K =0. 98, 小于1。从晶体管放大器理论可知， 只有绝对稳定系数 K>l, 放大器电路才会稳定， 这里K < 1, 不稳定。
（4）使系统稳定的最常用的办法就是加负反馈， 本例将在PHEMT的两个源极加小电感作为负反馈， 如下图所示。 添加变量控件， 为了便于调节参数， 把两个电感的值设成变量 Ls, 通过 VARl 赋值。

注意：添加反馈电感的连接方向要一致。

（5）通过反复调节反馈电感值， 使其在工作频率范围内稳定。 本例通过调节， Ls 的值为0. 45nH, 得到仿真结果如下图所示。

下面就把理想的DC_Feed元器件改成实际真实的器件，本实例选用ATC公司(Ameri­can Technical Ceramics Corp.)的电容和电感。整个原理图如下图所示。

在原理图中，晶体管栅极扼流电路采用ATC0806WL6R8的串联电感和ATC600S6R8的旁路电容，漏极扼流电路采用ATC0805W巨20的串联电感和ATC600S270的旁路电容，隔直电容用ATC600S270。
（6）下面是仿真结果，如下图所示

下面需要把晶体管源极的两个电感换成短路微带线的形式。一方面是因为这两个电感值太小， 实际的分立电感很难做到；另一方面是因为从调节这两个电感值就可以发现， 这两个电感值很小的改变， 就会对整个电路的稳定性产生很大影响。由于分立电感本身的误差和寄生参数等影响太大，所以用微带线来代替。
（1）关于对给定电感值算出等效传输线有现成的公式：
$$l=\frac{11.81L}{Z_0\sqrt{{\epsilon }_{\mathrm{r}}}}$$
式中， l 是微带线的长度（单位 inch); L 是电感值（单位 nH); Z。就是 PCB 上微带线的特征阻抗。 这就需要在原理图中插入 PCB的相关参数信息， 这里用 R04003 射频板。
（2）在 “TLines Microtrip” 元器件库中添加 “MSub” 控件， 微带线用 “MLSC”, 添加 到原理图中， 此时整个原理图如下图所示。 图中， 晶体管源极微带线宽为0.5mm, 特征阻抗为79Ohm, 最后算出来的长度为0. 92mm。
（3）下图给出了上图的仿真结果。

（4）为了对这个负反馈仿真得更精确， 下面在 layout 中对这个短路微带线进行进一步的仿真。 新建 layout, 命名为 “Feedback” 。单击"Substrate Editor"图标，弹出"substrate"对话框。选中左侧微带板三维图中的cond,然后单击右侧"Material"的【EditMaterial】按钮，如下图所示。弹出"Mate­rial Definition"对话框。
在 “Material Definitions” 对话框里， 选择 “Conductors” 选项卡， 单击【 Add From Data­base … 】按钮， 弹出 " Add Materials From Database" 对话框， 如下图所示。
在对话框
中选择 “Conductors” 选项卡， 选择 Copper, 单击【 OK 】按钮， 这样 Copper 就被添加到 Mate­rial 库中。 同样在 Dielectrics 中将 R04003 添加进来， 如下图 所示。

同样在 Dielectrics 中将 R04003 添加进来， 如下图所示。
回到 “substrate” 对话框， 设置 cond 层的 Matrial 为 Copper, 如下图所示。

同样设置 cond2 层和介质层分别为 Copper 和 R04003, 并设置介质层厚度为 0. 508mm。 在 “subsn·a.te” 对话框中， 选中左侧微带板三维图中的介质层， 右击鼠标， 再单击"Map Conductor Via" , 在介质层中加入过孔。 选中该 hole, 将其属性设置为 Copper, 保存所有设置， 如下图所示
回到该 layout 文件， 执行菜单命令【 EM】一[ Component】----+[ Parameters …】， 弹出 “Design Parameters: 7” 对话框， 在对话框里新建两个变量：w 、l, 其中 w 为微带线的宽度， 设定其 为 Subnetwork 类型（另一个为 Nominal/Pe廿ubed 类型， 也就是可以设置初值和扰动的范围），其值为 0.5 。 l为微带线的长度也设为 Subnetwork 类型，其值为 0. 92, 如下图所示。
在 “TLines - Microstrip” 元器件库中选择 “MLIN”, 添加微带线 TLl 到 layout 中。 双击 TLl, 弹出 " Edit Instance Parameters" 对话框， 在其中设置微带线的长宽分别为 w mm 和l mm (mm 为单位， 毫米），如下图所示。
在’“TLines - Microstrip” 元器件库中选择 “VIA2”’ 添加过孔V1到layout中。 双击VIA1, 弹出 “Libra Cylin如calVia Hole in Microstrip: 2” 对话框， 在其中设置过孔的内径D=0.3mm, W=wmm, 设置Condl Layer = “cond: drawing” , Hole Layer = “hole: drawing”、Cond2layer = '“cond2: drawing”, 如下图所示。


将"Toggle Snap Enabled Mode" 图标"Toggle Pin Snap Mode" 图标选上， 然后移动 Vl, 让Vl的pin和TLl 一端的pin重合。在TLl的另外一端加上port, 如下图所示。

注意：在进行版图设计时，单位要设置成（mil），否则通过版图生成的symbol太小。

执行菜单命令【 EM]一【Component】-【 Create EM Model and Symbol… 】， 在接下来的消息框中均单击【确定】按钮， 生成 Feedback 的 component。
从该工程的库中添加两个"Feedback"component至"LNA_schematic_l"原理图中，分别为 X1和 X2, 替代之前的 TLl 和 TL2。 在原理图中可以修改之前在 “Feedback” 中设置了的两个参数：w和l。并在原理图的VAR1中对L进行赋值，如下图所示：

单击仿真按钮，软件会将所有元器件进行联合仿真，因为"Feedback"component是EM仿真，考虑了接地过孔等因素，所以相对更精确。调节变量L的值，得到一个更满意的稳定性系数。这里设置L= 1. 15, 仿真结果如下图所示。

3.5 噪声系数圆和输入匹配

（1）仿真噪声系数需要在 S参数仿真控件里把计算噪声的功能打开。 如下图中选中"Calculate noise" 选项。

（2）仿真结束后用矩形图显示NFmin参数，如下图所示。

从NFrnin的图上可以看出，2. 450GHz时的最小噪声系数为0.449dB。 接下来就要设计一个适当的输入匹配网络来达到这个 最小噪声。
（3）设置S - Parament 仿真控件为单频点仿真，频点为2.45GHz, 如下图所示。

在原理图中加入"NsCircle" 和"GaCircle" 两个控件，设置如下图所示。其中 “NsCirclel=ns_circle(，NFmin,Sopt,Rn/50，51，3，0. 1)”, 返回该频率的NFmin、NFmin+0. 1dB 、 NFmin+0.2dB的3个等噪声圆， “GaC江clel =ga_circle(S, ,51,3,0. 5)”, 返回该频率的maxgain、Maxgain-0. 5dB、Maxgain-1dB的3个等增益圆。

上图中， m1是LNA有最大增益时的输入端阻抗， 此时可获得增益约为16.373dB; m2为LNA有最小噪声系数时的输入端阻抗，此时可获得最小噪声指数为0.449dB。 但是这两点并不重合， 即设计时必须在增益和噪声指数之间作一个权衡和综合考虑。
对千低噪声放大器， 尤其是第一级放大器， 优先考虑噪声系数， 所以输入端阻抗就定为m2点的最小噪声系数阻抗$Z_0\times \left(0.468-j0.297\right)$ , 其中Z。为50Ohm, 输入端阻抗就为24.3-j14.85Ohm。m2处的增益大约为15dB (参考m2旁边的m3点）。 为了达到最小噪声系数， 在晶体管的输入端需要一个${\Gamma }_{opt}$, 而整个电路的输入阻抗为$Z_0$=50Ohm, 所以需要输入匹配网络把${\Gamma }_{\mathrm{o}\mathrm{p}\mathrm{t}}^{\ast }$，(m2处阻抗的共辄， 即24.3+j14.85OhmOhm）变换到输入阻抗。如下图所示

（4）ADS提供了很多的匹配工具，这里用Smith圆图匹配工具DA_SmjthChartMatch。在 “Smith Chart - Matching network” 里面选择 “DA _SmithChartMatch” 工具。 使用"DA_SmithChartMatch" 时需要考虑方向， 如下图所示。

（5）(6) 双击DA_SmithChartMatch 的图标， 弹出对话框， 参数设置如下图所示。

（6）执行菜单命令【 DesignGuide] -->【 amplifier 】， 在弹出 的对话框中选择【 Tool 】一 【Smith Chart Utility】， 单击【 OK] 按钮，弹出 “Smith Chart Utility” 对话框，如下图所示。

如上图所示，在"SmartComponent" 中， 软件会自动选择当前的这个 " Smith Chart Matching" 控件， 即 DA_SmithChartMatching 。 在下面的设计中，原理图中会有多个 “Smith Chart Mate扣ng” 控制， 需要选择当前的 “Smith Chart Matching” 控件。 单击【 Define Source/Load Network Terminations …】按钮， 弹出 “Network Terminations” 对话框， 如下图所示， 在这里可以设置源和负载的阻抗。

在上图 里， 需要把 “Enable Source Termination”、“Enable Load Termination”、“Inter­pret as Output Impedance” 几个单选框的钩都打上， 其中 “Enable Source Termination”、“En­able Load Termination” 这两个单选框是为了配合 “Smith Chart Matching Network” 对话框的 “SourceEnable =True” 和 " LoadEnable = True" , 这样在设置的源和负载阻抗直接导入"Network Termination" 对话框。 设置完成后依次单击【 Apply] 按钮和【 OK] 按钮， 结果如下图所示。

（7）采用微带线匹配，如下图所示。

单击对话框左下角的【Build ADS Circuit】按钮，即生成相应的电路。

（8）重新设置 S-Parameter 仿真控件为扫频模式， 仿真此时的原理图， 结果如下图所示。 从图中可以看到， 在 “NsCirclel” 圆中， m2点的阻抗刚好匹配到50Ohm。

（9）重新设置S-Parameter仿真控件为扫频模式，仿真此时的原理图，结果如下图所示。从图中可以看到，整个电路的噪声系数nf在2.45GHz处等于NFmin，说明在该点的噪声系数已经达到了最优化。

（10）在晶体管输入端的隔直电容会导致电路结构复杂，所以需要把隔直电容移到源端。把隔直电容移到输入匹配网络和源端Term之间。
（11）把输入子电路复制到原理图里面去， 如下图所示。
（12）可以使用Tuning的工具来调节两段传输线的长度（现在原理图中输入匹配电路的微带线显示的是电长度， 就是E)。 双击传输线， 在对话框里面打开 "Tuning"功能， 如下图所示。 设置完成后两次单击【OK】按钮。

（13）单击图标， 弹出 “Tune Parameters” 对话框， 开始调谐， 如下图所示。

在 Tuning 时可以同时观察数据显示窗口的相关曲线的变化， 以达到理想效果。 最后，把TL3和TL4的电长度分别调到25.909和36.729，一个较小的噪声系数和输入反射系数(dB(S (1, 1))) , 结果如下图所示。

3.6最大增益的输出匹配

在一个低噪声放大器里面只有输入匹配电路对噪声系数有影响， 输出匹配电路对噪声没有影响。 所以， 在输出匹配里面主要考虑增益。
（1）在原理图里添加Zin控件并设置，如下图所示。

（2）在数据显示窗口里面单击阻瞿l标，选择Zinl的实部和虚部，如下图所示。

从上图中可以看到输出阻抗为59.5 - j * 39Ohm (即 S22), 输出匹配电路即按照这个来设计。
（3）为了达到最大增益，输出匹配电路需要把50Ohm匹配到 Zin1的共辄，如下图所示。

同样使用DA_S_SmithCharttMatch工具来做输出端匹配电路。在原理图里重新放一个"DA_SmithChartMatch"控件。
（4）双击DA_SmithChartMatch2控件，在"SmithChart Marching Network"对话框里面设置相关参数，如下图所示。

（5）执行菜单命令[ DesignDuide 】-【 Amplifier] , 在弹出的对话框中选择 “Smith Chart Utility” 。 在 “S血th Chart Utility” 窗口中单击【 Define Source/Load Network Terminations 】按钮， 与上面设置输入匹配电路一样， 单击[ DesignGuide] 一【 Amplifier] , 在 “ 工具” 里选择 “Smith Chart Utility”’ 设置。(6) 仍然使用微带线匹配， 如下图 所示。

（6）单击【 Build ADS C皿uit 】按钮， 生成电路。 在原理图里开始仿真， 结果如下图所示
从上图里面可以看到， 输出端的回波损耗很好， 但输入端的回波损耗变差。 输入端 回波损耗可以通过让输出端稍微失配来改善 也可以通过后面的Tuning来改变。
（7）把 DA_Smi thCharLMarch2 的子电路加到原理图中， 并且把输出端的耦合电容放到输出端。
（9）仿真结果和预期的仍然有一些偏差， 需要通过 Tuning 来进行调节， 这里对输入／输出端的 4 段微带线同时进行 Tuning。 Tuning 的目的就是在低噪声放大器的几个性能参数上（例如，S11、 S22、 S21、 噪声系数等）寻找一个平衡点。 最后， Tuning 完成后的原理图仿真结果如下图所示。