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RSS订阅原创 Floating buck激光驱动
对比测试开环high side buck和floating buck的输出，输出用三个LED串联，对比两种buck电路的差异，仿真测LED上的电流是没有差异的，难道这样电路结构的唯一好处就是buck的高侧开关管变成了低侧的，不需要自举驱动了。上面原理的仿真都是基于开环的电路，也是有相关的floating buck驱动芯片的，比如下面的LM3407。下图为一个开环的buck电路，D=Vout / Vin，负载R4一侧是接地了，没有浮起来。这些关系也buck的也是一样的。还有TI这个TPS92511。
2024-07-18 16:12:45
586
原创 DDR的拓扑与仿真
Fly-by只是daisy chain的stub为0的特殊情况，长线远端匹配daisy chain的仿真原理图如下图所示，信号源上升下降时间0.5ns，脉宽10ns，周期20ns，高电平1v，三段stub的传输时延设置为td，td的参数从0.05ns到0.2ns，步长0.05ns。长线源端匹配daisy chain的仿真原理图如下图所示，信号源上升下降时间0.5ns，脉宽10ns，周期20ns，高电平1v，三段stub的传输时延设置为td，td的参数从0.05ns到0.2ns，步长0.05ns。
2024-07-06 15:29:59
948
原创 放大器的输入电容Cin对放大电路的影响
综上，在反馈上增加Cf电容可以补偿放大器输入寄生电容的构成的零点，使放大电路的带宽更大，如果想减小这个零点的影响，可以减小R6//R7，使零点后移，或者增加Cf电容补偿零点，还能使放大电路的带宽更大。由传递函数可知Cin与R6//R7构成的零点，零点频率为fz = 1 / 2pi*R6//R7 *Cin，去掉OPA859的spice模型中的Cin，看还有没有零点。由于需要在放大电路上加带宽的限制，所以在OPA859放大电路上有个低通限制了放大电路的带宽，也就是上图中的C152和R162，截至频率。
2024-07-02 14:24:52
493
原创 DDR自学笔记
以下面的DDR3读取为例，下图中共有8条数据线，每一条数据线都是一个8选1模拟开关的输出，每个输出前面还有8个输入，这个8个输入分别来自8个bank，8个输入会先存在fifo中缓存，MUX读出的时钟就是内核时钟的4倍，由于DDR的时钟上下边沿采样，所以读出8个数据的时间就是1个内核时钟，8个输出就对应64个输入，prefetch的8n的n是指DQ的IO位宽，表示以位宽的8倍来预取数据，n也就是DQ的数量一般可以是4，8，16，对应预取数据就是32，64，128。每行有1024列，每列包含8位数据。
2024-06-29 13:25:58
879
原创 巴伦在接收链路中的应用
"巴伦"（Balun），是一种平衡-不平衡转换器，通常用于将平衡信号（如差分信号）转换为不平衡信号（如单端信号），或者反之。以MABA-009250-CT0068为例通过S参数文件放真S11,S21，仿真电路如下图所示：1PORT 对应5脚，2PORT 对应1脚，3PORT 对应3脚。巴伦的参数给出了一个阻抗阻抗比1：2，这个表示的是不平衡输入与平衡输出之前的阻抗比值，这个阻抗比和匝比之间是什么关系？在设计和选择巴伦时，需要考虑其频率范围、阻抗比、插入损耗、相位平衡等参数，以确保最佳性能。
2024-06-12 18:10:37
403
原创 激光雷达的盲区与高反膨胀
sipm输出的接收波形如下图所示，一般sipm输出的上升时间1.5ns，恢复时间10~100ns，无论同轴旁轴的光机，在发射打在窗口片上都会有回波直接反射回来，这个反射回来的光就是杂散光，杂散光会被sipm响应，sipm需要时间恢复，在恢复的时间这段再有回波就很难分辨，雷达的盲区就变大了。2、在窗口片上增加抗反射涂层，也就是AR增透。1、在光机设计上解决。这个我也不懂，就不瞎说了。
2024-04-20 16:31:43
299
原创 二极管使用总结
之前工作中遇到过一个典型的实例就是因为反向偏压不够导致光通信出错的问题，光通信pin接收电路如下图所示：由于光路的影响导致光电流大小不一样，在光电流较小时，接收的高电平可能只有2.7v，但是在光电流较大的是时候，这个高电平可能就是大于3.3v了，pin管就可能都正偏了，导致Cd电容很大，脉冲的上升下降时间变的很大，光通信就出错了，此时可以减小R115电阻的大小，减小光电流，但最好还是把偏压加大到5v甚至是12v。为截至电压，也就是漏电流开始增加的电压点，此时对应的电流为Irm。
2024-03-21 11:31:37
322
原创 Ansys SIwave仿真阻抗与串扰
用Ansys SIware的Impedance Scan功能可以快速的对layout的阻抗仿真，给出走线各部分的阻抗大小，可以一目了然的看出阻抗的控制情况。下图为阻抗仿真的结果，从图中可以看出走线不同的颜色大小表示阻抗的大小，左侧为阻抗的参考图例，我们也可以鼠标点各段走线来获取精确的阻抗大小。放大BGA器件这里，可以看出扇出过孔的位置由于线宽的限制，线的宽度比较小，所以阻抗会偏大一些，有80Ω左右，造成阻抗的不连续，那就要尽量减小这个窄线宽的长度。
2024-03-19 18:01:33
1060
原创 buck电路的前馈电容
不加前馈电容时的相位裕度只有63°,穿越频率为20kHz，可以看到相位裕度不如加47pF时的情况好。相位裕度少了20°。对比无前馈电容，47pf，140pF，1nF电容时系统的动态响应，通过大的负载切换时，看电压的波动大小。按上面的电路分析环路的bode图，当前馈电容为47pF时的相位裕度为83°左右，穿越频率为25kHz。先确定无前馈电容时环路的穿越频率fc，利用增加前馈电容后零极点的算数平均值等于穿越频率计算。下图为降压dcdc MPQ4316的应用电路图，R4，R5，C5构成分压反馈电路，由。
2024-01-27 09:17:09
931
原创 数字调制学习总结
利用乘法器AD835仿真解调电路，调制的信号为模拟开关的输出接到乘法器的X1端，，V2输入为与载波信号同相位的相干信号，乘法器的W引脚输出相乘后的信号。调制电路可以用开关实现，基带信号在模拟开关的选通控制上，载波信号接在二选一的模拟开关一端。二极管的包络检波，调制好的信号经过二极管的半波整流 + 低通滤波后输出原始的1MHz信号，AD835的W引脚的输出如下图所示，W的输出为0.5v /2 =0.25v。原理如下图所示，基带信号为单极不归零码，与载波信号相乘，得到调制信号。
2023-12-25 17:52:22
629
原创 ADC学习总结
就是通过过采样来提升有效位。由于采样率较低，有效位数较高的特点，在静态精密测量的场合应用非常广泛，比如在锂电池充放电检测设备，个比较器，虽然使用一些方法可以减少一些比较器的数量。，具有低功耗，尺寸小的特点，也是目前应用最广泛的。，不需要在模拟输入端加抗混叠滤波，以内，位数一般可以做的很高，比如。的模拟量模块中，都有广泛的应用。是一个位数、采样率都不高不低的。，缺点就是位数一般最大就是。由后端数字滤波器进行。是目前转换速度最快的。由大量的比较器构成，
2023-12-12 14:27:29
643
原创 无线通信系统接收~超外差
超外差接收机在相位法激光测距上得到了应用，下图为激光测距仪的原理框图，通过锁相环芯片输出两个相差1kHz的100M信号，一方面通过电路混频出1kHz的信号，另一方面把100M和100.001M信号分别调制到激光器和APD上，然后通过APD把光信号混频，输出相移后的1kHz的信号，然后通过FFT计算1KHz信号的相移来计算tof时间。上面混频后输出的是1kHz的信号，1MHz=1us，1us的光速走过距离为，3*10^8 *10^(-6) / 2 = 150m，这个就是精度。为镜像信号，虚线为滤波器，
2023-11-27 17:14:06
1131
原创 矢量网络分析仪KC901S
工作这些年，硬件工作中基本没有接触过射频类的工作，但是对射频这个领域还是很感兴趣的，所以准备利用业余时间来提升一下，工欲善其事必先利其器，所以斥巨资2000块在闲鱼上买了这个二手的矢量网络分析仪。不建议在淘宝上买几百块的那种DIY的网络分析仪。这个KC901S买回来没带校准的配件，所以下面的测量可能是存在偏差的。
2023-09-08 19:01:29
241
原创 ADS仿真设计低噪放大器
图：最终LNA原理图。下面的第一个模版，再把上面的原理图放入模版里面仿真。得出的结果如下，可以看到噪声系数最小为。，调谐的源极的电感起到负反馈的作用，电感越大，，生成电阻匹配网络，按生成的阻值做。就又变的更大了，调谐发现在电感大于。时的回波损耗也是很低的，已经小于。时的回波损耗也是很低的，已经小于。为实际的电容电感，再看稳定性，按下图所示配置圆图匹配的参数，，这里取输入阻抗的共轭。按下图所示配置圆图匹配的参数，，这里取输出阻抗的共轭。仿真，可以从下图中看出，参数模块，稳定性分析的。，输入输出的阻抗分别为。
2023-09-06 15:05:07
290
原创 射频有源器件的动态范围和交调失真
典型放大器的影响如下图所示，图中横轴的输入的功率Pin，纵轴为输出功率Pout，dBm为功率与1mW的比值，x = 10 log ( PmW / 1 mW )，图中我们定义放大器的理想输出功率与实际输出功率相差1dB的位置叫做1dB压缩点，这个点定量的描述了放大器的线性工作范围。1阶的线性响应和3阶的交调产物输出随输入功率的变化如下图所示，在功率较小的时候，3阶交调产物比较小，但是在输出的功率较大时，3阶交调响应就需要考虑了，2阶交调产物由于没有在带内，所以不需要考虑。图：2阶和3阶的交调产物。
2023-08-24 17:53:38
302
原创 spad芯片学习总结
输出的直方图横坐标为时间信息，具体表示的是bin的数量，比如一个单点的spad芯片有1024个bin，量程为15m，TOF时间100ns,那么每个bin的时间就是100ps，这个100ps对应的就是spad芯片内部的TDC的分辨率，纵轴Counts表示的是bin深度，一般表示多少bit位，常见的是10bit，也就是最大容纳的光子数为1024个。
2023-08-18 10:08:43
1495
3
原创 问题：交流耦合放大电路的阻抗匹配
电路如下图所示，信号源是一个上升时间1ns，下降时间15ns的脉冲信号，经过传输线的时延为5ns，然后通过放大器的同向交流耦合放大，这里我们可以明确的直到，下图中的R25就是端接电阻，这样信号经过远端端接解决信号反射的问题。这样看反向放大电路的端接需要考虑输入电阻Rin和反馈的电阻Rf，但是如果要放大，Rf肯定要大于Rin的，那么这时候怎么解决信号反射的问题呢？我理解应该就是R21，因为对反向放大电路的输入电阻就是R21，那这个R21也可以认为是信号源的负载，但实际情况是还和反馈电阻R20也有关系。
2023-07-17 18:44:34
564
2
原创 避免冲击电流的缓启动设计
如下图的电路，V1是一个5V的供电电源，供电启动的上升边沿为1000ns，R2为供电线上的内阻，这里我们设置为2R，C1为被供电输入的去耦电容，R1为负载电阻。减小冲击的电流的思路还是想在启动的瞬间串的电阻大一些，启动完成后电阻再减小，mos管正好就有这样的特性，由于在高侧所以为了驱动简单选用pmos，V1开启的边沿到来时，C2两端的电压不突变，所以pmos的栅极和源极两端开始是很接近的，也就满足开始的DS之间的电阻很大，V1到了稳定的5v后，pmos的栅极电压会放电到0v，放电的时常数为R2*C2。
2023-05-31 11:54:42
1211
原创 Ansys仿真TDR
打开Ansys的TDR电路例程，单端电路和TDR源的设置如下图所示，被测的DUT为4段传输线和一个电容，一个电感。TDR测的结果如下：信号到负载电容的时间为1.5ns，然后在容性负载产生发射，又经过1.5ns给到TDR测试源，所以在3ns处看到容性负载的反射，然后又经过3ns的50R传输线到55R的传输线，所以在9ns（4.5ns *2）时，TDR测到55R传输线的阻抗变化，后面以此类推。
2023-05-19 17:56:35
2022
1
原创 Ansys仿真寄生参数对信号反射的影响
短桩线在PCB走线时会经常遇到，这个桩线会对信号的传输产生反射，那么桩线的长度和信号反射的关系可以仿真看一下，电路如下图所示，下图中，我们设置信号源的上升下降时间为0.8ns，桩线的长度也就是传输的时延我们设置为0.08ns，0.16ns，0.32ns，上升或者下降的时间10%，20%，40%，对比信号的反射情况。PCB走线经过过孔换层的时候就就会有寄生电容产生，容性的负载对反射的影响电路如下图所示，通过改变容性负载的容值看信号的反射情况，分别设置容性负载的容值为1pF，2pF，4pF，8pF。
2023-05-15 17:55:52
926
原创 TIA的噪声计算
近似计算的依据是把零点频率当作很低，极点的频率很高。相当于计算的是下图中的红色阴影部分的噪声。、同向输入的电压噪声，这个电压噪声的增益是变化的，由。3、另外一种常用的TIA噪声计算方法。）的意义时到某个频率时的增益，当。为极点时的频率时，这一项就变成了。零点和极点的频率都很低且很接近。时，噪声的功率密度的有效值。更精确的TIA噪声计算方法。、反向输入端的电流噪声。同相输入端的电压噪声。
2023-03-13 17:30:33
1120
2
原创 S参数与插入损耗和回波损耗
相位和实部虚部的对应关系，0°相移虚部为零，90°相移，实部为零，180°相移实部为负，虚部 为零。1端口的反射波比入射波可以用阻抗表示为。的实部和虚部是不一样的。左右，信号没有发射回来。S11的对应时域的理解。为被测系统的输入阻抗。，终端不匹配时，输出。，但是在不同的频率下。
2023-03-10 17:29:44
6193
原创 ADC的信噪比与过采样
1 N位ADC的信噪比公式：6.02N+1.76dB来源首先要了解一下求有效值或均方根值的方法：根据量化噪声与时间的关系：e(t) = (q/T)t-T/2< t
2023-03-06 10:48:17
2836
原创 Σ-Δ_ADC的电路原理
首先0.5v < 2.5v，积分器开始向正电源电压积分，当积到大于2.5v时，比较器U2输出高电平，这时候CLK的上升沿到来时，Q也输出高电平，这个高电平加到误差放大的反向端，使积分开始向负端积分，积到小于2.5v时，比较器U2输出低电平，然后这个过程不断的重复。下图为一个1bit的Σ-Δ ADC，V4为输入的信号，V2为参考信号，COUT是积分器的输出，DOUT为D触发器的输出，AOUT为把脉宽调制信号变成模拟信号的输出，V1为一个时钟源。1、1Bit Σ-Δ_ADC的原理。2>输入电压为2v时的波形。
2023-03-02 09:53:35
797
原创 锁定放大器
𝜔1=𝜔2=𝜔时方波信号的傅里叶级数表示如下：综上可以看出:相乘后除了直流信号最大的频率就是2Ωt，所以只需要把2Ωt和大于2Ωt 的信号滤除掉就可以了。前面分析方波做参考的原理分析时，我们设方波的幅度Am=1。
2023-02-15 11:25:31
142
原创 SAR_ADC的电路原理
SAR(Successive Approximation ADC)是一种常用的ADC，SAR ADC的转换速度通常比闪存（Flash）ADC慢，但比积分型ADC快，由于其工作原理，SAR ADC的功耗通常介于闪存ADC和积分型ADC之间。SAR ADC通过逐个位地确定模拟信号的数字表示，从最高有效位（MSB）开始，然后向下进行。转换过程开始时，SAR ADC假设信号的最大可能值，然后通过比较器与实际信号进行比较，逐步调整其估计值,每次逼近步骤的结果都被存储在寄存器中，这些寄存器通常被称为SAR寄存器。S
2023-01-19 17:46:54
1649
2
原创 Flash_ADC的电路原理
比较器是组建集成ADC的内部基本而又关键的模块；在比较器应用在ADC中一般要求很高的分辨率，也就是很小的差分输入信号，这就要求比较器的增益要非常的大，很小的差分输入信号会容易使比较器输出震荡，这就需要给比较器加入少量正反馈来做迟滞，滞回的电路如下图所示，通过调整反馈电阻R3的值就可以控制滞回电压的大小了，一般比较内部已经做了滞回，滞回的电压一般只有1~2mV，这个滞回的电压大小是不能超过比较器的分辨率的，所以不能为了抗干扰就用较大的滞回电压。亚稳态问题如图3所示。
2023-01-19 16:35:26
3903
原创 增加模拟前端的动态范围
下面两张图分别在sensor正偏置和负偏置时的接收电路，这里我们关注一下输出的波形特征为一个脉冲信号，脉冲信号的共模电压为5V分压得到，信号的摆幅为Iout*RT，Iout为光电流，在应用在雷达接收的中时，发射信号的脉宽很小，ns级别，占空比也很小，比如重频100k，周期有10us。
2023-01-10 18:33:34
600
1
原创 Cuk拓扑产生负压
图中绿色波形为输入端的电流（测的图中MOS上的电流），蓝色的输出端的电流（图中电感L4的电流），可以看出输入端电流不连续，输出端电流连续。图中红色波形为输入端的电流（图中电感L3的电流），绿色的输出端的电流（图中二极管D2的电流），可以看出输入端电流连续，输出端电流不连续。2>Cuk电路中的D1决定了输出的正负，图中的接法就是可以输出的电压，输出电压Vout2为11v左右，这是占空比设置将近50%的情况。1>蓝色的波形为输入端电感L1上的电流波形，绿色的波形为输出端电感L2上的电流。1.3 Cuk拓扑。
2023-01-05 09:45:50
981
1
原创 光电接收的TIA设计
首先输入的电容是不可避免的，那么肯定要加Cf电容的，Cf与Rf构成低通滤波，Rf选择的越大，电路的带宽就会越小，虽然Rf越大，电容可以选择的更小，但是比如电阻增大2倍，电容只减小了0.707倍，这样带宽就减小了0.707倍，并没有维持不变，所以Rf一直增加，带宽也会变小，但是可以选择GBP越大的放大器，这样Cf就可以选择的更小，那么Rf值也可以选择的更大。这里有个地方需要理解一下，就是TIA的增益和带宽的关系，比如输入信号的频率为1k，放大器的带宽的20M，那么Rf电阻最大可以选择多大？
2022-12-30 13:49:02
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原创 模拟前端的开关器件隔离度分析与优化
在需要多路切换的场景时，二极管也可以替代模拟开关，二极管做开关实现多路切换的电路如下图所示，I1和I2为两路输入的信号，当V7输出高5V的时候，二极管D2截至，信号不能通过，注意信号最低时也要比二极管阳极的电压高，当V7输出低0V的时候，二极管D2导通，信号就可以通过去了。可以看到输入1M信号的隔离度有87dB，输入10M的信号隔离度有67dB，输入的信号频率越高，输入输出的隔离度就越差，我们输入信号的边沿有500ps，输入信号的带宽也就是700Mhz，输入信号的频率是比较高的。
2022-12-30 09:19:25
1642
原创 Spice仿真容性负载导致放大器的震荡
1 容性负载接在输出端容性负载接在输出端会与放大器的输出电阻构成一个极点，使电路的开环增益Aol以-40dB的速度下降，那么关闭的速度为：-40dB – 0dB =-40dB，那么此时就是不稳定的。下面的仿真是在放大器输入端加上弱的激励源，那么此时的环路增益:上面的输出结果是Loop_Gain的幅频相位曲线，从曲线上可以看出，环路上有两个极点，相移了180°，在穿越0dB 时，相位的裕量已经只有0.几度了。
2022-12-09 09:49:45
454
原创 ANSYS_Designer仿真串扰
1、边沿RT的大小对串扰的影响仿真电路如下图所示：V1为V_Pulse电压源，设置如图所示：A4为耦合微带线这里一定要设置为9.6mil，因为介质厚度我设置的是4.8mil，如果没阻抗匹配会在串扰的基础上增加信号的反射，得出的串扰波形可能就是这样的了，所以设置线宽的时候一定要根据介质厚度来做阻抗匹配。计算饱和长度在ansys菜单下添加边沿扫描点，0.2ns 0.7ns 1.2ns 1.7ns近端串扰波形：我们耦合长度设置的为1000mil，不同边沿的饱和长度为：0.2ns*3365.75=673.15mil
2022-12-07 19:59:13
1548
原创 均匀传输线的串扰和饱和长度
1、均匀传输线的串扰和饱和长度下图为串扰的电路模型，动态线与静态线之间通过互容与互感联系，这样也说明了动态线的信号耦合到静态线上的条件是存在di/dt或者dv/dt时，也就是说只在信号边沿上产生串扰，当电压或者电流为常数的时候静态线上就不会有串扰的信号。信号前沿可以看作导线的电流源，在整个前沿的时刻，流经互容的总电流为： Ic=Cm*dV / dtCm为上升沿时间段长度的耦合电容，dt为上升沿时间，dV为信号电压。又有Cm=Cml*△X = Cml*v*R
2022-12-06 10:04:18
557
原创 Spice仿真环路稳定性与增益
然后我们也可以在图标上读出极点的位置大概是170M左右，与我们前面计算的极点159M也是很接近的。C3是为了去除直流放大加的，这里不做考虑，C5为了隔直加偏置电压用的，这里也不做考虑；增益G = Vout / Vin = Aol / (1 + Aol*β)，然后把这个关系通过图表的后加工处理，添加上。
2022-12-02 08:54:53
456
原创 激光雷达发射的PCB布局
下图为电容谐振放电的激光驱动电路，由Tc = 2*pi*√LC / 3 可知电容确定后，放电回路的寄生电感越小，那么光脉宽Tc就越小，所以减小寄生电感是布局的关键。那么就看电容、GaN、激光器三部分怎么布局。激光器、GaN、电容三者都在同一层上以最短的铺铜连接，放电的回路也都在顶层上，此时临近的第二层没有铺地。用ANSYS仿真得到此时得回路电感为2nH左右。我们都以500M时得寄生电感来评估。激光器、GaN、电容三者都在同一层上，放电的回路也都在顶层上，但是在紧邻的第二层铺一层完整的地平面。
2022-11-28 09:58:08
1325
原创 ANSYS_Q3D仿真激光发射的寄生电感
1、打开SIwave软件，点击import，点ODB++选择.tgz文件，这就把PCB文件导入到SIwave里面了，然后点击下图中的clip design，把导入的PCB裁剪剩余到需要仿真的大小，如果板子尺寸本身就很小那么就不需要裁剪了。2、仿真回路电感时，经常需要把两个PCB的两个网络给短接起来，在SIwave里面，我们选择下图中红色框中的工程，直接把两个不同的网络合成一个网络。4、点击Export菜单下面的Export to Q3D，弹出的菜单不用设置，直接ok，就会自动启动Q3D软件了。
2022-11-25 16:28:42
3483
原创 SiPM使用总结
除了上面的两种电路结构，还可以选择把RS电阻放在偏置电压这里，但是不推荐这样做，因为电源的噪声会直接给到RS电阻上，上面的两种电路结构可以用SiPM来隔电源上面的噪声。下图为SiPM的电子模型，图中Rq为淬灭电阻，一般为MΩ级别，Cq为淬灭部分的寄生电容，Cd为二极管的体电容，开关表示雪崩的产生。首先我们来看一下二极管的雪崩电子模型，电子模型和雪崩时的电流波形如下图所示，电流上升的快慢是由电容的充放电速度决定的，充电的时常数。，这里Rq>>Rs，所以充放电的波形如上图所示。
2022-11-16 09:17:22
4453
原创 激光驱动电路中的谐振拖尾导致误点亮问题分析
从谐振过程来看，电容先给电感充电，直到电容上面的电流为零，然后电感需要续流，如果没有二极管D5，这个电流会流向电容，因为D5的存在电感给电容充电的电流流向了D5，对比看加这个D5会使光脉宽变大，因为给电容充电的能量变少了，电容反向给寄生电感充电的能量就变小了，这样就把震荡逐渐的降下来了。在上面我们发现可以通过在谐振回路串联二极管阻碍谐振的发生，但我们实际中不能串联二极管，因为串联二极管会使谐振回路变长，增加了布局的难度也使寄生电感更大，
2022-10-27 09:04:52
880
原创 反向衰减的带通滤波器
基本原理：C1和R1构成高通滤波器，R2，R3，C2构成一个低通滤波，R2，C3构成一个低通滤波。由G=-40dB=-100，R2我们设置为500Ω，R1=50k。R3一般不能设置的太大，这里我们选择8.2Ω。
2022-10-17 14:00:20
567
3
精通开关电源设计计算软件SMPSKitV8.5
2020-10-28
空空如也
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