8月11日报导显示,碳化硅(SiC)半导体领域竞争升级,英飞凌(Infineon)宣布将在马来西亚兴建全球最大的8英寸SiC晶圆厂,为长期合约订单背书,此举颇有跟不久前才宣布在重庆建8英寸晶圆的SiC龙头意法互别苗头的意味。
近年来,随着8英寸SiC晶圆的成本竞争力逐渐凸显,多家SiC制造商相继增加8英寸晶圆产能,英飞凌此举有如向SiC领域投下一颗深水炸弹,英飞凌与意法互的竞争愈演愈烈,其他集成电路制造商也纷纷踏入竞争阵营,这一局面可从几个角度审视。
首先,双方都将目光投向国内市场。年初,英飞凌与国内SiC晶圆厂天岳、天科合达签订了备受关注的合同,共同为国内SiC基板品质保驾护航。外资机构分析指出,英飞凌此前的基板供应方还包括WolfSpeed、安森美(On-Semi)、日本罗姆(Rohm)等,不过国内基板供应已占据其需求的约20%,今后几个季度有望大幅提升。
面对良率难以掌握的问题,「拥SiC基板、拥天下」成显学。英飞凌是极少数未自制SiC基板的IDM厂商之一,年初采取多样化布局被视为新的SiC晶圆工厂即将登场的信号,这是朝着2023年在SiC市场占据30%市场份额的目标迈进。
市场曾观望英飞凌是否会像一线汽车供应商博世(Bosch)一样加大对美国SiC投资,从而助力供应链壮大?鉴于中美关系考虑,这使得国内供应链略感紧张,而如今英飞凌选择在马来西亚建厂,则使国内供应链稍感宽松。
此外,根据东盟贸易协定的免税政策以及地理位置,该工厂有可能更多地支持国内和亚洲市场,不过这也意味着英飞凌在国内建厂的机会相对减少。与之形成对比的是,SiC的主要竞争对手意法与三安合作,在重庆建8英寸SiC晶圆厂,三安还将为其量身打造8英寸基板新厂。
其次,双方锁定不同的客户群。英飞凌的新工厂将依靠各客户的预付款和长期合同,其中包括来自汽车、再生能源、储能、工业等领域的客户。汽车领域的客户有福特、上汽、奇瑞,还有SolarEdge等大型太阳能逆变器制造商,以及国内三家太阳能和储能系统制造商。另外,全球能源管理和自动化巨头施耐德电机也已预定了SiC功率产品。
最后,双方在技术领域的竞争加剧。英飞凌强调,其新建的8英寸工厂将采用行业内领先的SiC沟槽式技术,这有助于市场区隔,是该技术的代表工厂。另一方面,意法互主导平面型技术。
此外,业内人士补充道,沟槽式技术结构较为复杂,难以控制良率,但可以节约SiC基板用量;而平面型技术则相对简单稳定,但需要更多的基板。这两种技术目前仍在激烈竞争中,很难说哪一种更优越。
然而,值得注意的是,最初的决战点似乎出现在特斯拉Model 3率先采用了平面型技术,这使得意法互在SiC领域处于领先地位,也引领其他汽车制造商的跟进。而此刻,英飞凌正加大沟槽式技术的产能,同时也在多个领域积极推进,以侵蚀以汽车为主的平面型市场。实际上,许多厂商也在积极转向沟槽式技术,比如安森美正在开发沟槽式SiC金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),计划在2024年推出样本。