【菜鸡的自动化学习之旅】《电力电子技术》学习笔记1.2 ———— 晶闸管

最新推荐文章于 2024-02-02 16:32:30 发布

Blang233

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一、晶闸管的相关概念

1. 晶闸管简介

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称为可控硅（Silicon Controlled Rectifier —— SCR），能承受的电压和电流容量高，工作可靠，在大量的场合具有重要地位。

2. 管耗和散热

管耗 = 流过器件的电流 X 器件两端的电压
管耗将产生热量，使管芯温度升高。如果超过允许值将损坏器件，所以要进行散热

二、晶闸管的内部结构

晶闸管是一种四层半导体三个PN结，三端大功率电力电子器件，如下图所示：
在这里插入图片描述

晶闸管的外形 a）、结构 b）、电气图形符号 c）
其中，A指的是阳极【Anode，起源于希腊语ἄνοδος (anodos)】，K指的是阴极【Cathode，起源于希腊语κάθοδος (kathodos)】

三、晶闸管的工作原理

在开始介绍晶闸管的工作原理之前，我们先来看看有关PN结的介绍：https://www.bilibili.com/video/BV1iA411x7Ke（这个视频太形象了，要是我能早点看到就好了。。。。。。）

1. 门极不加电压时晶闸管的状态

		正向阻断状态（关断状态）	反向阻断状态
条件		A, K之间加正向电压	A, K之间加反向电压
PN结状态	J₁	承受正向电压	承受反向电压
	J₂	承受反向电压	承受正向电压
	J₃	承受正向电压	承受反向电压
结论		当晶闸管门极不加电压时，无论A, K之间所加电压极性如何，正常情况下晶闸管都不会导通

2. 门极加电压时晶闸管的状态

我们首先将晶闸管的四层结构等效成两个晶体管：

在这里插入图片描述
如上图所示，AK间加正向电压，GK间也加正向电压：
（注意结合之前发的那个视频链接来看下面的步骤，比如在还没饱和的时候，晶体管基极电流越大，集电极电流就越大）

电流 $I_{G}$ 流入晶体管 $V_{2}$ 的基极，导致集电极电流 $I_{C2}$ 的出现
$I_{C2}$ 作为晶体管 $V_{1}$ 的基极电流，导致了集电极电流 $I_{C1}$ 的出现
电流 $I_{C1}$ 和之前的电流 $I_{G}$ 共同作为流入晶体管 $V_{2}$ 的基极电流，使得晶体管 $V_{2}$ 的集电极电流 $I_{C2}$ 增大，形成正反馈
然后上述动作重复直到晶体管 $V_{1}$ 、晶体管 $V_{2}$ 进入饱和导通状态，即晶闸管导通

注：若此时去掉外加的门极电流 $I_{G}$ ，晶闸管会因内部的正反馈仍维持在导通状态，故晶闸管为半控型器件（要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流下降到某一数值以下，可通过增加负载电阻的降低阳极电流或施加反向阳极电压来实现）

根据上述原理我们可以得到以下式子：

$I_{C1} = α_{1}I_{A} + I_{CBO1}$
$I_{C2} = α_{2}I_{K} + I_{CBO2}$
$I_{K} = I_{A} + I_{G}$
$I_{A} = I_{C1} + I_{C2}$

注：

式中 $α_{1}$ 和 $α_{2}$ 分别是晶体管 $V_{1}$ 和 $V_{2}$ 的共基极电流增益
$I_{CBO1}$ 和 $I_{CBO2}$ 分别是晶体管 $V_{1}$ 和 $V_{2}$ 的共基极漏电流

由上式可得：

$I_{A} = \frac{ α_{2}I_{G} + I_{CBO1} + I_{CBO2}} { 1 - (α_{1} + α_{2}) }$

注：

在低发射极电流下α是很小的，而当发射极电流建立起来之后，α迅速增大
阻断状态： $I_{G} = 0$ 时， $α_{1} + α_{2}$ 很小，流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和
开通状态：门极注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致 $α_{1} + α_{2}$ 趋近于1的话，流过晶闸管的电流 $I_{A}$ 将趋近于无穷大，实现饱和导通， $I_{A}$ 实际由外电路决定

3. 晶闸管其他几种可能导通的情况

结温较高
光直接照射硅片，即光触发
阳极电压上升率 $\frac{du}{dt}$ 过高
阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应

注：

光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘，光触发晶闸管称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor —— LTT）
只有门极触发（包括光触发）是最精确、最迅速且可靠的控制手段

四、晶闸管的基本特性

1. 静态特性

静态特性又称为伏安特性，值得是器件端电压与电流的关系。包括：阳极伏安特性和门极伏安特性

在这里插入图片描述

① 阳极伏安特性

a. 正向特性（AK间施加正向电压）

看上图（最开始看这图的时候我是相当懵逼。。。。。。）：

首先要明确的是， $I_{G2} > I_{G1} > I_{G}$ （这里的三个电流跟图中的竖轴没有关系，竖轴的电流是漏电流， $I_{G2}$ 、 $I_{G1}$ 、 $I_{G}$ 指的是外加的门极电流的三种情况）
$I_{G} = 0$ 时，虽然器件两端施加正向电压，但是还是只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态，而此时若加大正向电压，使正向电压超过正向转折电压 $U_{bo}$ ，则漏电流急剧增大，器件开通（注意这里都是在 $I_{G} = 0$ 的基础上）
而当 $I_{G}$ 逐渐增大到 $I_{G1}$ 、 $I_{G2}$ 时，正向转折电压 $U_{bo}$ 逐渐降低（也就是图中左边虚线下方那段曲线会逐渐向右移动，实际上相当于这里有关于 $I_{G2}$ 、 $I_{G1}$ 、 $I_{G}$ 的三条曲线，我最开始还以为那三条是指示线。。。。。。）
当 $I_{G}$ 足够大时你就能用较小的AK间正向电压来使晶闸管导通了
晶闸管本身的压降很小，在1V左右

b. 反向特性（AK间施加反向电压）

还是上图：

晶闸管反向特性类似二极管的反向特性
反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流流过
当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏

② 门极伏安特性

晶闸管的门极与阴极间存在一个PN结 $J_{3}$ ，门极伏安特性是指这个PN结上正向门极电压 $U_{G}$ 与门极电流 $I_{G}$ 间的关系

在这里插入图片描述

图中：
$I_{FGM}$ ：门极正向峰值电流
$U_{FGM}$ ：门极正向峰值电压
$P_{GM}$ ：门极峰值功率
（上面三个就相当于围成了一个限定区域范围）
$I_{GT}$ ：门极触发电流
$U_{GT}$ ：门极触发电压
（图中A—K—D—E—F—G—L—C—B—A 区域为可靠触发区，上面两个 $I_{GT}$ 、U_{GT}$要被限制在其中）

2. 动态特性

器件上电压、电流随时间变化的关系称为动态特性

在这里插入图片描述

① 开通过程

图中：
$t_{d}$ ：延迟时间，0.5~1.5μs
$t_{r}$ ：上升时间，0.5~3μs
$t_{gt}$ ：开通时间， $t_{gt} = t_{d} + t_{r}$

② 关断过程

图中：
$t_{rr}$ ：反向阻断恢复时间
$t_{gr}$ ：正向阻断恢复时间
$t_{q}$ ：关断时间， $t_{q} = t_{rr} + t_{gr}$ ，几百微秒

五、晶闸管的主要参数

在这里插入图片描述

1. 电压参数

① 断态不重复峰值电压 $U_{DSM}$

门极开路时，允许施加于晶闸管的阳极的最大电压值，它是一个不能重复，且每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压， $U_{DSM}$ 值应小于转折电压 $U_{bo}$

② 断态重复峰值电压 $U_{DRM}$

晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最大脉冲电压，每秒50次，每次时间不大于10ms，规定 $U_{DRM}$ 为 $U_{DSM}$ 的90%

③ 反向不重复峰值电压 $U_{RSM}$

门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向峰值电压值 $U_{RSM}$ ，它是一个不能重复施加且持续时间不大于10ms的反向脉冲电压， $U_{RSM}$ 应小于反向击穿电压

④ 反向重复峰值电压 $U_{RRM}$

晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的反向最大脉冲电压，每秒50次，每次时间不大于10ms，规定 $U_{RRM}$ 为 $U_{RSM}$ 的90%

⑤ 额定电压 $U_{R}$

断态重复峰值电压 $U_{DRM}$ 和反向重复峰值电压 $U_{RRM}$ 两者中较小的一个电压值规定为额定电压 $U_{R}$ ，在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值 $U_{M}$ 的2~3倍，以作为安全裕量

⑥ 通态峰值电压 $U_{TM}$

规定为额定电流时的管子导通的管压降峰值，一般为1.5~2.5V，且随阳极电流的增加而略微增加，额定电流时的通态平均电压降一般为1V左右

2. 电流参数

① 通态平均电流 $I_{T(AV)}$ （额定电流）

在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单项、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最大电流平均值（即允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值，选用一个晶闸管时，要根据所通过的具体电流波形来计算容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额定电流对应的有效值，晶闸管才不会损坏）

设单相工频正弦半波电流峰值为 $I_{M}$ 时通态平均电流为：
在这里插入图片描述

则正弦半波电流有效值为：
在这里插入图片描述

有效值与通态平均电流的比值为：
在这里插入图片描述

即有效值为：
在这里插入图片描述
根据有效值相等原则来计算晶闸管的额定电流，若电路中实际流过晶闸管的电流有效值为 $I$ ,平均值为 $I_{d}$ ,定义波形系数：

则
在这里插入图片描述

由于晶闸管的热容量小，过载能力低，因此在实际选择时，一般选取1.5~2倍的安全系数：
在这里插入图片描述

② 维持电流 $I_{H}$ （针对关断过程）

指晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断

③ 擎住电流 $I_{L}$ （针对开通过程）

晶闸管刚从阻断状态转化为导通状态并除掉门极触发信号，此时能维持器件导通所需要的最小电流称为擎住电流，一般擎住电流比维持电流大2~4倍

④ 浪涌电流 $I_{TSM}$

在规定条件下，工频正弦半周期内所允许的最大过载峰值电流（分L，H级）

3.其他参数

① 断态电压临界上升率 $\frac{du}{dt}$

电压上升率过大会使晶闸管误导通，断态电压临界上升率指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率

② 通态电流临界上升率 $\frac{di}{dt}$

如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏，通态电流临界上升率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率

③ 门极触发电流 $I_{GT}$ 和门极触发电压 $U_{GT}$

在这里插入图片描述

在室温下，晶闸管阳极施加6V正向电压时，使元件从断态到完全开通所必需的最小门极电流，称为门极触发电流 $I_{GT}$ ，与之对应的门极电压，称为门极触发电压 $U_{GT}$ （触发电流、电压受环境和器件工作温度影响，温度高时 $I_{GT}$ 、 $U_{GT}$ 会明显降低，温度低时 $I_{GT}$ 、 $U_{GT}$ 也会有所增加，为了保证对同类晶闸管都能正常触发，要求触发电路提供的触发电流、触发电压值略大于标准规定的 $I_{GT}$ 、 $U_{GT}$ ）