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点我返回：【菜鸡的自动化学习之旅】《电力电子技术》学习笔记1 ———— 电力电子器件
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# 一、绝缘栅双极型晶体管简介 >**GTR是双极型电流控制器件** **优点**：通态压降低，有电导调制效应，通流能力很强； **缺点**：开关速度低、所需驱动功率大、驱动电路复杂。
MOSFET是单极型电压控制器件
优点：开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动功率小、驱动电路简单；
缺点：通流能力低、通态压降大。
绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor —— IGBT）即上述两类器件取长补短结合而成的复合器件
二、IGBT的结构和基本原理
IGBT也是一种三端器件，它们分别是栅极G、集电极C和发射极E
三、IGBT的基本特性
1. IGBT的静态特性
IGBT的静态特性主要包括转移特性和输出伏安特性
2. IGBT的动态特性
图中：
开通过程：
- t d ( o n ) t_{d(on)} td(on)：开通延迟时间
- t r t_{r} tr：上升时间
- t o n t_{on} ton：开通时间， t o n = t d ( o n ) + t r t_{on} = t_{d(on)} + t_{r} ton=td(on)+tr
关断过程：
- t d ( o f f ) t_{d(off)} td(off)：关断延迟时间
- t f t_{f} tf：下降时间
- t o f f t_{off} toff：关断时间， t o f f = t d ( o f f ) + t f t_{off} = t_{d(off)} + t_{f} toff=td(off)+tf
四、IGBT的主要参数
1. 最大集射极间电压 U C E S U_{CES} UCES
由内部PNP晶体管的击穿电压确定
2. 最大集电极电流
包括额定直流电流 I C I_{C} IC和1ms脉宽最大电流 I C P I_{CP} ICP
3. 最大集电极功耗 P C M P_{CM} PCM
正常工作温度下允许的最大功耗
五、IGBT的擎住效应和安全工作区
1. 擎住效应
当IGBT集电极电流 I C I_{C} IC大到一定程度，可使寄生晶闸管导通，从而其栅极对器件失去控制作用，这就是所谓的擎住效应
- 原因：由于IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管存在
- 措施：集电极电流不超过 I C M I_{CM} ICM，或增大栅极电阻，减缓IGBT的关断速度
2. 安全工作区
① 正向安全工作区
IGBT开通时对应的安全工作区，称为正向偏置安全工作区，即FBSOA，图中最大集电极电流
I
C
M
I_{CM}
ICM、最大允许集电极电压
U
C
E
O
U_{CEO}
UCEO、最大允许功耗、三条极限线所限定的区域
导通时间增加安全工作区减小，直流工作时安全工作区最小
② 反向安全工作区
IGBT关断时对应的安全工作区，称为反向偏置安全工作区，即RBSOA，图中最大集电极电流 I C M I_{CM} ICM、最大允许集电极电压 U C E O U_{CEO} UCEO、电压上升率 d U C E d t \frac{dU_{CE}}{dt} dtdUCE三条极限线所限定的区域
- d U C E d t \frac{dU_{CE}}{dt} dtdUCE越大，安全工作区越小
- 可以通过适当选择栅射极电压 U G E U_{GE} UGE和栅极驱动电阻来控制 d U C E d t \frac{dU_{CE}}{dt} dtdUCE，扩大安全工作区
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