作为初学者,我看的是原子的视频,用的是stm32f103vet6的板,所以这个问题纠结了好久,终于在今天解决了,虽然只是第一步,但是已经迈出第一步了。在这里分享给有需要的同学们,祝你们好运。
1、FSMC的其他引脚
关于fsmc的介绍,我就不介绍那么多了,网上已经有好多了,我这里只说两句话
第一:
总感觉这句话才是我们新手想用的。
第二:
第二句话总感觉看不懂,其实我也不是很懂。
下面贴上这些引脚的程序,你们就会清楚多了
//PORTD复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0|GPIO_Pin_1|GPIO_Pin_4|GPIO_Pin_5|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; // //PORTD复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
//PORTE复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_12|GPIO_Pin_13|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; // //PORTD复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
//上面包括了fsmc的WR、RD、DB0-DB15的定义 不信的可以去对比看看
// //PORTG12复用推挽输出 A0
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_11; // //PORTD复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
//这个为什么要分出来定义 我也不清楚 以后能搞懂再分享给大家
//这两个也是至关重要的 PD7就是所谓的RS
// PD11就是那个所谓的FSMC_A[0]有关 也就是那个NE1就是控制Bank1在第一块的控制端
//也就是vet6只有一个Bank1的原因 它只有一个控制端 个人觉得有什么不对的地方见谅
定义好这些引脚 离成功就不远了(CS引脚也要定义好,因为我这块板的原因,CS不用定义)
2、FSMC的定义
这个定义根据原子的程序,就修改一下Bank1的位置,还有使能那个,其他地方没什么问题
readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x01; //地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK 1/36M=27ns
readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到
readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x0f; // 数据保存时间为16个HCLK,因为液晶驱动IC的读数据的时候,速度不能太快,尤其对1289这个IC。
readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
writeTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK
writeTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(A
writeTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; 数据保存时间为4个HCLK
writeTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
writeTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
writeTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;// 这里我们使用NE4 ,也就对应BTCR[6],[7]。原子的是4 我们的是NE1
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; // 不复用数据地址
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; // 存储器写使能
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; // 读写使用不同的时序
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写时序
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &writeTiming; //写时序
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置
FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE); // 使能BANK1 这里要注意
3、RS引脚的修改
看过原子的视频都知道这两句程序的意思
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A10作为数据命令区分线
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 111110=0X3E
#define LCD_BASE ((u32)(0x60000000 | 0x0001FFFE))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
原子的本来是NE4的,我们现在是NE1所以要把0x6C000000改成现在这样,对应的是第一区,因为我们RS接的是A16,所以要在17位写1所以或的数就是上面那个0x0001FFFE
经过这样的修改程序就可以了,可以烧录到开发板上了。
4、烧录好的图片
手机有点渣渣,见谅啊。哈哈
上面就是我的总结,有什么不好的地方联系我,因为我也是初学,好多东西知其然不知其所以然,所以只能先这样,尽量能帮到大家。