散射机制

主要的散射机制： 声学形变散射 声学波压电散射 极性光学声子散射 合金无需散射 界面粗糙度散射 位错散射 调制掺杂的远程散射

合金无序散射和调制掺杂的远程散射和势垒层的性质有关 界面粗糙度散射和异质界面的性质有关。

GaN 基异质结中 2DEG 的散射机制中解释如下：

电离杂质散射：

在低温低场的条件下，电离杂质散射起主要的作用。电离 杂质散射是电子遭受到电离杂质的库仑场的作用而发生状态 变化的一种弹性散射，散射前后载流子的能力不发生变化。当 温度升高时，电离杂质散射的作用就会减弱。

压电散射：

压电散射的大小与 2DEG 浓度有着复杂的关系， 当 2DEG 的浓度升高时，压电散射会先降后升。

合金无序散射：金属原子随机分布，原来规则的排布就被打乱了，周期性的排布形成周期性的势场，所以现在的势场不是周期性的了，所以对电子形成无序散射。和AL组分有关，AL组分较低的时候，随着组分升高，无序散射增强，但是大于0.5的时候，因为异质结势垒升高了，所以无序散射降低。

界面粗糙度散射：界面粗糙散射是由于异质结界面的不平整，对 2DEG 沿着 界面方向的输运造成的散射。由于 2DEG 的浓度越大，势阱能带 弯曲也就越大，电子波函数将更靠近界面，对界面的粗糙程度更