2019年12月_Cherylzzx

原创 8 半导体表面和MIS 结构

前面的几种反型状态都是从半导体器件物理的时候学的，不想再看了。然后CV特性居然也不是我想要的CV界面固定电荷：直接到界面：主要是固定表面电荷，就是引起CV变化，还有使用氧离子注入。认为是在SI和SIO2界面的过剩Si离子导致的，采用的方法就是加上负栅偏压和热处理，果然硅离子在栅偏压的作用下移动。快界面态：外表面态是空气和氧化物的界面上，他们和半导体交换电荷时候，电子必须穿...

2019-12-31 08:38:36 2707

原创 7 金属和半导体接触

功函数：金属的功函数石真空中静止电子的能量和费米能级的差值。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。半导体的功函数：同金属但是半导体存在电子亲和能。导带底和真空能级的差值。接触电势差：真空中的能级E0是相同的，费米能级是相同的，所以需要有能带弯曲，功函数小的那个能带向下弯曲，功函数大的能带向上弯曲。对于n型半导体而言，能将电子导出的接触是形成反阻挡层的，也就是说能带要向下弯...

2019-12-31 08:37:56 7531

原创 5平衡载流子

5.2准费米能级准费米能级：半导体的平衡态受到破坏处于非平衡状态。但是对于夹带和导带中的电子来讲，各自处于平衡态，而费米能级和统计分布函数对各自的导带和价带还是适用的。热平衡状态的费米能级是统一的。当温度和掺杂一定的时候，载流子寿命是一个常数。寿命与多数载流子浓度成反比，或者说，半导体电导率越高，寿命就越短。间接复合：杂质和缺陷具有促进复合的租用，这些促进复合过程的杂质和...

2019-12-26 21:51:35 2364

原创 4半导体的导电性

我们只知道半导体的基本概念和载流子的统计分布，还得知道载流子的运动规律。所以需要学习载流子的漂移运动。电导率和迁移率之间的关系：σ=nqμ载流子在运动的过程中，受到晶格热振东或者电离杂质以及其他杂质离子的影响，不断遭到散射，载流子速度被改变载流子为什么会遭受散射？根本原因是因为周期性势场被破坏。电离杂质散射：主要是一个库伦势场。晶格振动的散射：原子的振动都是若干不同的基本波...

2019-12-26 20:22:40 833

原创第三章半导体中载流子的统计分布

第三章半导体中载流子的统计分布半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，也可以通过杂质电离方式产生。与此同时，电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量子态，发生载流子复合。在一定的温度下，产生和复合达到动态平衡的时候，称为热平衡状态。半导体的导电性强烈的随温度变化，因为载流子浓度会随着温度变化。先要知道允许的量子态能量如何分布，然后还有电子在允许的量子态中如何分布。3....

2019-12-24 09:32:49 5125

半导体物理第二章半导体中的杂质和缺陷能级为什么要研究杂质和缺陷能级啊？第一是因为这事客观存在的：因为现实中有一些偏离理想的复杂情况，首先，原子自己不是静止的，不是在严格的周期性晶格的格点位置就不动了，而是在平衡位置上会发生振动；其次，杂质是必然存在的，再次，实际晶格结构并不是完整无缺的，存在着各种形式的缺陷。晶格中原子周期性排列被破坏，形成缺陷。点缺陷，线缺陷，面缺陷。第二是因为它们会对半导...

2019-12-20 20:17:53 7216

原创半导体物理

半导体物理复习专题-第一章第一章先说半导体中的电子状态半导体中的电子状态为什么要研究半导体中的电子状态：因为物理性质有密切关系电子状态是什么？晶体材料有大量原子周期性排列而成，原子又有许多原子核和电子，利用薛定谔方程和解就可以得到状态，但复杂的多体问题没法求出严格解，所以需要用单电子近似来研究固态中的电子能量状态。什么是单电子近似？电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场和其他...

2019-12-15 20:30:57 3775

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