第三章 半导体中载流子的统计分布
逻辑:为什么要研究载流子统计分布呢?这是因为载流子浓度会随着温度变化,这个变化过程是平衡状态和非平衡状态之间的切换。半导体中两种运动:本征激发产生载流子,复合减少载流子,这两种相反的过程在确定的温度下建立热平衡。
半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的,也可以通过杂质电离方式产生。与此同时,电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量子态,发生载流子复合。在一定的温度下, 产生和复合达到动态平衡的时候,称为热平衡状态。半导体的导电性强烈的随温度变化,因为载流子浓度会随着温度变化。
先要知道允许的量子态能量如何分布,然后还有电子在允许的量子态中如何分布。
3.1 状态密度
状态密度是什么:能带中能量E的附近每单位能量见间隔内的量子态数。
G=dz/de
在k空间中计算出量子状态密度,然后算出k空间中能量E~E+dE对应的k空间体积,有了体积有了密度,相乘得到数量,然后在E空间中对能量进行积分。
什么是k空间? 波矢的三个互相正交的分量组成的空间就是k空间。每一族kx ky kz对应的点,一定是一个波矢k,