第三章 半导体中载流子的统计分布

半导体的导电性取决于载流子浓度,它随温度变化,并在热平衡状态下由本征激发和复合达到动态平衡。状态密度、费米能级和载流子的统计分布(如费米分布和玻尔兹曼分布)是理解这一过程的关键。在本征半导体中,载流子来源于电子从价带激发到导带,而在杂质半导体中,载流子主要来自杂质电离。随着温度升高,本征激发作用增强,影响半导体器件的工作状态。电中性条件和禁带变窄效应也在载流子统计分布中起到重要作用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

第三章 半导体中载流子的统计分布

逻辑:为什么要研究载流子统计分布呢?这是因为载流子浓度会随着温度变化,这个变化过程是平衡状态和非平衡状态之间的切换。半导体中两种运动:本征激发产生载流子,复合减少载流子,这两种相反的过程在确定的温度下建立热平衡。

半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的,也可以通过杂质电离方式产生。与此同时,电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量子态,发生载流子复合。在一定的温度下, 产生和复合达到动态平衡的时候,称为热平衡状态。半导体的导电性强烈的随温度变化,因为载流子浓度会随着温度变化。

先要知道允许的量子态能量如何分布,然后还有电子在允许的量子态中如何分布。

3.1 状态密度

状态密度是什么:能带中能量E的附近每单位能量见间隔内的量子态数。

G=dz/de

在k空间中计算出量子状态密度,然后算出k空间中能量E~E+dE对应的k空间体积,有了体积有了密度,相乘得到数量,然后在E空间中对能量进行积分。

什么是k空间? 波矢的三个互相正交的分量组成的空间就是k空间。每一族kx ky kz对应的点,一定是一个波矢k,

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