四波混频在波导上的应用

材料转换平台的选择对于集成光子学的各种应用领域至关重要，包括传感、电信、射频信号处理、非线性光学和许多其他领域。尽管迄今为止，对于这些各种应用的理想平台还没有达成共识，但人们对某些器件特性的要求很高，包括低插入损耗、紧凑电路以及与大量生产的制造技术（如互补金属氧化物半导体）的兼容性。（CMOS）工艺。绝缘体上的硅（SOI）已成为关键技术，并已找到迄今为止应用最广泛的领域。硅光子学有一个很深的设备库，可通过多个铸造厂获得，这些铸造厂集中在单模纳米线的几何尺寸上，通常为450×220纳米[6]。这类器件已被开发用于上述应用；然而，仍然存在与小尺寸有关的缺点，特别是由于表面粗糙度引起的散射产生的高线性损耗，以及1550 nm多光子吸收产生的非线性损耗。为了解决这一问题，最近的活动主要集中在替代平台上，这些平台不存在非线性损失，但具有允许低线性损失和紧凑弯曲半径的特性，如氮化硅和Hydex[7]。或者，通过移动到更大的硅几何结构，线性损耗降低，强度降低可以减轻非线性损耗。