模拟电子技术-学习笔记 2024 4.1-6.1

Clichesa

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分类专栏：理论课学习文章标签：学习笔记

于 2024-05-04 23:09:32 首次发布

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本文详细介绍了电子技术的基础概念，包括无源和有源器件的区别，模拟电路与数字电路的区分，重点讲解了晶体二极管（包括PN结、伏安特性、电容特性等）以及晶体三极管的工作原理、特性、应用和放大电路的原理与性能。同时概述了稳压二极管、光电二极管等特殊二极管的作用。

摘要由CSDN通过智能技术生成

第一章绪论

1.1 基本概念

电子系统的基本概念：电子技术是研究电子器件和电子系统的分析，设计制造的工程实用技术。
电子器件device：组成电路的基本物理单元，也称元器件。
无源器件和有源器件：无源器件是特性与外加电源无关的电子器件，如电阻，电感，电容。有源器件是特性与外加电源有关的电子器件，如二极管，三极管等，随外接电源的改变呈现非线性的电气特性。
电子信息系统的组成：提取信号-预处理-信号加工-信号执行
模拟电子系统构成原则：满足基本功能指标，电路简单，电磁兼容，调试方便，工艺易行。
模拟电路和数字电路：模电是对模拟信号调制，数电是对数字信号编码。

1.2 应用举例（待补充）

语音放大电路
心电图放大器
射频放大电路
通信控制测试计算机电器机械医学工程航天汽车 etc.

1.3 电子技术发展（略）

第二章晶体二极管及应用电路

2.1 半导体基础知识

2.1.1 半导体特性

参杂特性：导电率随掺入杂质程度增加几百倍的特性（半导体元件）

温度特性：导电率随温度增加而大大增加的特性（热敏元件）

光照特性：导电率因光照二增加且产生电动势的特性（光敏元件）

2.1.2 本征半导体

基本概念：

本征半导体：完全纯净，结构完整的半导体晶体。物理结构为单晶体。（+4的硅，锗等）

载流子：运载电荷的粒子，在模电中有两种，自由电子和空穴，成对出现。

电子流：自由电子定向运动形成的电流，方向与外电场方向相反。

空穴流：价电子替补空穴形成的电流，方向与外电场方向同向。

晶体特征：质点的排列有一定的规律

如图：

可以理解，带负电的自由电子定向移动，等价为正电荷作反方向的定向移动。

区别电子流和空穴流的关键在于，移动的电子是价电子弥补空穴（微观上从空穴流状态获得电子形成4价稳定中性）还是自由电子流挣脱原子核定向移动（微观上从4价稳定失去电子形成电子流）

本征半导体的载流子浓度：

电子浓度ni：单位体积内自由电子数空穴浓度pi：单位体积内空穴数

ni=pi=A0*T^(3/2)*e^[-E/(2KT)] 其中A,K为常数，E为禁带宽度，T为绝对温度

即载流子浓度只与温度，材料，禁带宽度有关。

载流子产生率（复合率R）g:每秒成对产生（复合）电子空穴浓度。R=r*ni*pi

2.1.3 杂质半导体

杂质半导体	参入3价如硼，铝等元素形成P型半导体（空穴型半导体）（+7）(缺少一个电子相当于多一个正电荷）（Positive）
	参入5价如磷，砷等元素形成N型半导体（电子型半导体）（+9）（多一个电子相当于多一个电子）（Negative）//doge

N型半导体：参入5价元素表现为多自由电子，称为施主杂质，贡献电子。参杂元素因此而带正电荷成为正离子。自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子，因为相比于本征半导体的4价单晶体，参杂半导体的参杂元素形成更多电子流（相对空穴流）（类似化学动态平衡方程）

P型半导体：参入3价元素表现为多空穴，称为受主杂质，俘获电子。参杂元素因此而带负电荷成为负离子。空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

补充：价带电子跳迁至导带是指价带中的电子吸收足够能量后，从束缚态跃迁到能量更高的导带，成为自由电子的过程。这一过程通常涉及吸收光子或热激发，使电子克服价带与导带之间的能量差距（即禁带宽度）。在半导体材料中，这一现象是导电性提升的关键步骤。

总结:

N型半导体的5价杂质容易失去电子提供大量自由电子（载流子）（宏观而言）

P型半导体的3价杂质容易俘获电子产生大量空穴（载流子）（宏观而言）

载流子浓度（导电能力）取决于杂质浓度；半导体参杂和温度性质人为可控；ni*pi=C

难点：

价带由于热激发，产生自由电子跃迁到导带上，价带因此形成空穴，是本征半导体的特性。但是这种动态平衡针对P，N型半导体有不一样的宏观体现。具体看杂质表现的电性。

2.1.4 PN结

PN结的形成

扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差产生的运动称为扩散运动。

漂移运动：载流子在电场力作用下产生定向移动，称为漂移运动。

如图：

P区的3价杂质极易俘获大量电子形成空穴，自身获得电子成为负离子，N区的5价杂质贡献大量电子形成自由电子，自身失去电子成为正离子。由此可以理解，PN结因此形成电势差，产生漂移运动，N区的正离子和P区的负离子，在宏观上表现为内电场（F=Eq；方向为N-->P，与电子移动方向相反）。电场力阻碍扩散运动。（对于空穴而言，它相对移动方向向N区，与电场方向相反。对于自由电子而言，它移动方向向P区，与电场方向相同）

总结：扩散运动是一种自发状态，在PN结里对电子而言，N区大量自由电子整体向P区大量空穴扩散。漂移运动主要是由于扩散运动产生的内电场，形成的电势差和电场力作用，继续影响载流子的定向移动。

PN结的接触电位差:

接触电位 $\upsilon_{\phi }$ ：由于PN结的内电场电位差而形成，由材料和参杂浓度决定。

PN结的伏安特性：

如图：

PN结正偏：外接电源E，P区高电位而N区低电位，称为外接正向电压，正向偏置。外电场方向为P区-->N区，内电场方向为N区-->P区。由于外电场作用，PN结电位差增大，扩散电流大大增强，是大量自由电子的定向移动，漂移电流可忽略不计，PN结正偏呈现低阻特性。

PN结反偏：外接电源E，P区低电位而N区高电位，称为外接反向电压，反向偏置。外电场方向为N区-- >P区，内电场方向为N区-->P区。由于外电场作用，PN结电位差减小，扩散电流大大减弱，可以忽略不记，而漂移电流在内电场作用下被增强（外电场增强内电场），但是漂移电流是内电场作用力的少数载流子定向移动，PN结反偏呈现高阻特性，近似截止。

即：PN结具有单向导电性（半导体最为重要的伏安特性）

PN结的结电流方程：

$i_{D}=I_{s}*(e^{u_{D}/U_{T}}-1)$

其中Is 是饱和电流；UT=KT/q是等效电压（正数），与K（玻尔兹曼常数）和q（电荷量）有关；uD是PN结电压；iD是PN结电流。正偏uD>>UT,iD值可趋近无穷大。反偏uD为负值，iD值近似为常数-Is。

PN结的反向击穿特性：

PN结反偏的反向电压达到某一数值，反向电流会激增。

击穿	可逆击穿	雪崩击穿	反向电压增高，少子获能高速碰撞原子产生电离，形成连锁反应使反向电流激增，参杂浓度小二极管易发生
	可逆击穿	齐纳击穿	反向电压增高，强电场将共价电子拉出形成大量载流子使反向电流激增，参杂浓度大二极管易发生
	不可逆击穿	热击穿	反向电压增高，PN结耗散功率超过极限值而过热导致永久损坏

PN结电容特性：

PN结电容效应：PN结外加偏置电压导致PN结电荷数量和两侧载流子数目发生变化，类似于电容。按照产生原理分势垒电容和扩散电容。

耗尽层：半导体器件中，由于掺杂差异或施加偏压而在PN结附近形成的电荷耗尽区域。在这一区域，几乎所有的自由载流子（电子和空穴）都被耗尽，形成了空间电荷区，对电流的流动起到阻挡作用。耗尽层的宽度受控于施加的偏压和半导体的掺杂浓度。

势垒电容：外加不同电压，耗尽层（内电场区域）电荷量随电压改变而改变。，耗尽层宽窄变化的内电场等效的电容就是势垒电容。正偏电流大，耗尽层小，电容小。反偏电流小，耗尽层大，电容大。

扩散电容：外加不同电压，P，N区的扩散区电荷数量发生改变，等效电容为扩散电容。（非线性变化）（扩散区即PN结的边缘区域，存在大量空穴或自由电子。中间区域为耗尽层)

PN结的电致发光特性：

如果在PN结加正偏电压，外电场会消弱内建电场对载流子扩散的阻挡作用，在满足一定条件下，使耗尽层空穴和自由电子复合而产生光子的速率大于其吸收光子的速率，从而使半导体产生光增益。

PN结的光电效应：

在回路的PN结上，光照在PN结材料上时，如果光子能量大于半导体禁带宽度，PN结的P区，N区，耗尽区内会产生电子-空穴对，其在内建电场作用下，自由电子迅速移向N区，空穴移向P区，在回路上产生光电流。P区N区的电子-空穴对由于无内电场，只存在少子的扩散运动，对光电流的形成没有贡献，忽略不计。

2.2晶体二极管的结构与特性

2.2.1晶体二极管的结构类型

按结构分为点接触型，面接触型，平面型。

2.2.2晶体二极管的伏安特性

同PN结的结电流方程，见2.1.4。

补充：

门限电压UR：正偏的电压阈值，超过才会有导通电流产生。 反向击穿电压UBR：反偏电压略微增加导致反向电流激增，发生反向击穿的电压。

温度升高，门限电压UR减小，反向电流IS增大。

2.2.3晶体二极管等效电阻

*注意到此小节由定性分析转为定量计算。

非线性电阻特性	直流电阻（静态电阻）
	交流电阻（动态电阻或微变电阻）

直流（静态）电阻RD的计算方法：

定义：二极管两端直流电压与电流之比 $R_{D}=U_{Q}/I_{Q}$

运用二极管电流方程和电路方程解方程组求二极管静态工作电压和工作电流。

$\left\{\begin{matrix}i_{D}=I_{S}(e^{u_{D}/U_{T}}-1) & & \\ u_{D}=E_{D}-i_{D}*R_{L} & & \end{matrix}\right.$

由图解法在二极管特性曲线上绘制直流负载线和伏安特性曲线，交点坐标为工作电压和工作电流。

如图：

交流电阻rD的计算方法：

定义： $r_{D}=\frac{\mathrm{d} u_{D}}{\mathrm{d} i_{D} }|_{I=I_{Q}}$ rD=UT/IQ 室温状态下*T=300K UT=26mV。

交流电阻 rD=26mV/IQ（mA）即其只与静态工作点Q有关。正偏电阻值较小，反偏电阻值很大。

总结：晶体二极管具有单向导电性。运用回路方程工程分析 $I_{D}*R=E-U_{D}$ 。

2.2.4晶体二极管参数

最大整流电路IF：二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。

最高反向工作电压UBR：二极管工作最大允许反向电压。

反向电流IR：二极管未被击穿的反向电流，近似IS。

最高工作频率fM:二极管工作的上限频率。

2.2.5二极管模型

理想二极管模型：正偏导通，压降为0；反偏截止，反向电流为0。

折线二极管模型：正偏电压大于门限电压导通；反偏电压小于门限电压截止（带符号数）二极管伏安特性曲线工程近似为线性变换

二极管交流模型：等效为交流电阻rD

2.2.6特殊二极管

1.稳压二极管：应用在反向击穿区的特殊二极管

稳压特性：在反向击穿时，电流急剧增加而PN结电压基本保持不变。（稳压管工作区只在反向击穿区）

特性参数：

稳定电压Uz：反向击穿电压。

稳定电流Iz：稳压时的参考电流。

额定功率Pzm:最大工作电流和稳定电压的乘积。

动态电阻rZ：稳压范围内， $r_{Z}=\Delta u_{D}/\Delta i_{D}$ 很小。

稳压原理：在稳压二极管反接，串联一个电阻，输入电压大于输出电压的条件下，负载电压或电流改变，稳压管的电流电压趋于常数，电阻R取出误差信号以达到稳压作用，具体分析略。

如图：

2.变容二极管：利用PN结势垒电容随外电压U变化而变化制成的二极管。

3.发光二极管：将电能转化为光能的半导体元件，原理是PN结电致发光原理。（仅正偏）

4.光电二极管：有光照时有电流产生的二极管。PN结的光电效应

5.肖特基二极管：利用金属和半导体的接触势垒制成，适用于高频高速电路。

2.3二极管应用

LED显示器：如图：

限幅电路：利用二极管单向导电性限定输出信号的幅度。

钳位电路：将周期信号波形的顶部或底部保持在某一确定的直流电平上，且信号波形形状保持不变。

第三章晶体三极管及基本放大电路

3.1 晶体三极管

3.1.1晶体三极管的结构及分类

双极结型晶体管（BJT）（NPN型三极管）：

如图：

其中E为发射极，左N为发射区，P为基区，右N为集电区，C为集电极，B为基极。E-B的PN结为发射结（Je），B-C的PN结为集电结（Jc）。发射结的箭头代表电流方向。

三极管的特点：由三层半导体构成，三个区，三个极，两个PN结；发射区参杂浓度比集电区高得多；基区参杂浓度低，很薄。

3.1.2晶体三极管的工作原理

传感器获得微弱电信号后，必须经过放大和能量来推动后续执行机构，三极管由此进行放大工作。

三极管工作在放大区时外部电压偏置条件	发射结正向电压，发射结正偏
	集电结反向电压，集电极反偏

发射结正偏，发射区向基区扩散自由电子形成发射极电流 $I_{En}$ ；少数电子在基区复合，形成基区复合电流 $I_{Bn}$ ，其余电子扩散到集电区；基区多子空穴向发射区扩散，形成空穴电流 $I_{Ep}$ 。

集电结反偏，发射区自由电子扩散到集电区，在集电结电场作用下，集电极收集电子形成电流 $I_{Cn}$ 。集电结反偏，集电区少子-空穴，基区少子-自由电子在电场作用下形成集电结反向饱和电流 $I_{CBO}$

如图：

NPN管（bjt）工作原理：发射结正偏，集电结反偏。发射区向基区提供载流子，基区传输控制载流子，集电区收集载流子。

三种连接方法：

三种连接方法即是三种组态，三个电极其中两个为输入；发射极作公共电极-共发射极接法CE；集电极作公共电极-共集电极接法CC；基极作公共电极-共基极接法CB。

共基CB组态直流放大系数 $\bar{a}$ ：

定义： $\bar{a}$ = $I_{Cn}/I_{E}$ 表示发射区扩散载流子大多数到达集电区，少数在基区复合。一般在0.9~0.99之间。近似分析认为 $\bar{a}$ = $I_{C}/I_{E}$ 。

共射CE组态直流放大系数 $\bar{\beta }$ ：

定义： $\bar{\beta}$ = $I_{Cn}/(I_{Bn}+I_{Ep})$ ； $\beta =\alpha /(1-\alpha )$ ； $\bar{\beta }=I_{C}/I_{B}$ ;

共集CC组态直流放大系数1+ $\bar{\beta }$ ：

定义：1+ $\bar{\beta }$ = $(I_{E}-I_{CEO})/I_{B}$ ;1+ $\bar{\beta }=I_{E}/I_{B}$ ;

共基CB，共集CC，共射CE组态交流放大系数是认为电压为常数，对相应电流作偏微分。

3.1.3晶体三极管的特性曲线

3.1.4温度对三极管参数影响

3.1.5三极管参数

3.2晶体三极管基本放大电路

3.2.1放大电路的基本概念及性能指标

3.2.2放大电路的分析方法

3.2.3共集，共基放大电路

3.2.4共射，共集，共基放大电路性能比较

3.3多级放大电路