超级全面的笔记：模拟电子技术基础-童诗白，第一章常用半导体器件（1.2 半导体二极管）相关知识点

LYPHARD MELODY。

已于 2023-09-05 01:10:07 修改

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分类专栏：模拟电子技术基础文章标签：嵌入式硬件

于 2023-08-11 19:04:47 首次发布

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将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称二极管。

由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极

1.2.1 半导体二极管的几种常见结构

        图(a)所示的点接触型二极管，由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接形成 PN 结。因而结面积小，不能通过较大的电流。但其结电容较小，般在1pF 以下，工作频率可达 100 MH以上。因此适用于高频电路和小功率整流
        图(b)所示的面接触型二极管是采用合金法工艺制成的。结面积大，能够流过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，一般仅作为整流管。
        图(c)所示的平面二极管是采用扩散法制成的。结面积较大的可用于大功率整流，结面积小的可作为脉冲数字电路中的开关管。

图（d）是二极管的标识符。

有了c的扩散工艺，那就可以实现集成，因为外壳是一样的大的，在一块基底里面扩散，可以造出像上图那样的二极管（前两图），三极管（后两个图）

1.2.2 伏安特性

一、伏安特性

1、因为有体电阻的存在，电流比PN结小（因为电阻变大，电流变小）

2、反向电流大一些

        二、温度对特性的影响

                1、当温度升高的时候，正向的特性向左移动（分子热运动，本征激发比较多，载流子的活性较大，所以回导致在相同电压下温度高的电流大），反向特性向下移动（温度升高，对少子的影响越明显）

                2、在室温条件下，温度每升高1℃，正向压降2-2.5mv，温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

——曲线上面处处是宝

O的右侧：那是单向导电性在（有一个器件可以规定电流的路径了）的区域，这样就可以有整流的作用（可以让交流的电流变成直流的电流）反向的饱和电流

O的左侧：平缓的区域：根据刚才提到的，室温升高10℃，电流升高一倍（可以利用这个特性，做温度传感器）

反向击穿：可以做稳压二极管。（相比于正向作为稳压二极管，反向击穿，在温度变化时，电压的变化幅度较大）

1.2.3 二极管的主要参数

        1、 $I_{_F}$ (最大的整流电流)是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与 PN 结面积及外部散热条件等有关。在规定散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值（会超过额定的功率），则将因结温升过高而烧坏。

        2、 $U_{R}$ （最高反向工作电压）是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常 $U_{R}$ 为击穿电压 $U_{BR}$ 的一半（让器件有一定的抗压额度，防止偶尔超压而导致器件损坏）

        3、 $I_{R}$ （反向电流）是二极管未击穿时的反向电流。 $I_{R}$ 愈小，二极管的单向导电性愈好， $I_{R}$ 对温度非常敏感。

        4、 $f_{M}$ （最高工作频率）是二极管工作的上限截频率。超过此值时，由于结电容（势垒电容，扩散电容两个都非常的小（pF））的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。

1.2.4 二极管的等效电路

——等效电路就是，用线性元件将非线性元件表示出来

        一、等效电路

        为了便于分析，常在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称为二极管的等效模型。所以分为以下两种：

        1、外特性等效

        2、根据物理原理，用线性元件替代，可以充当元器件的替代品

二、伏安特性折线化

        图(a)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降（可以理解为电压下降的程度）为零，截止时反向电流为零，称为理想二极管，用空心的二极管符号来表示。
        图(b)所示的折线化伏安特性表明二极管导通时正向压降为一个常量 $U_{on}$ 。n截止时反向电流为零。因而等效电路是理想二极管串联电压源 $U_{on}$ 。
        图(c)所示的折线化伏安特性表明当二极管正向电压 $U$ 大于 $U_{on}$ 后其电流 $I$ 二极管截止时反向电流为零。因此等效与U成线性关系，直线斜率为 1/ $r_{D}$ 。电路是理想二极管串联电压源 $U_{on}$ 。和电阻 $r_{D}$ ，且 $r_{D}=\Delta U/\Delta I$ 。

例子：

本题求的是 $U_{0}$ 的变化曲线：

当 $U_{s}-U_{1}\leq U_{on}$ 时，二极管处于截止状态，所以 $U_{0}=U_{s}$ 图像和 $U_{s}$ 的图像相同；

$U_{s}-U_{1}\geq U_{on}$ 时，二极管处于导通状态，当所以中间变为了一条直线。

这个可以理解为是叠加（先求出直流的情况，在求出交流的情况）

推导过程如下：

$r_{d}$ 为动态等效的电阻，它的大小和静态点相关（ $I_{D}$ ）和温度也相关( $U_{T}$ )

三、二极管的微变等效

        分析过程

        1、需要知道二极管是工作在怎样的直流环境下，二极管的直流，需要求出 $I_{D}$

        2、分析交流的电路，二极管就可以等效为是一个电阻（前提是在交流电的情况下）

在实际分析的时候

先分析直流情况下的情况，可以得出 $I_{D}=(V-U_{ON})/R$

之后就可以利用公式求出 $r_{d}$ ， $r_{d}=\frac{U_{T}}{I_{D}}$

求出 $r_{d}$ 之后，就会有后面两个公式（如果认为二极管是电阻的话，就需要将其处在交流电下）

1.2.5 稳压二极管

一、特点

稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内)，端电压几乎不变，表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限幅申路之中。

小于6V大多是齐纳击穿，大于6V大多是雪崩击穿

二、伏安特性

在反向电流中，在变化很大的电流中，电流的变化非常的小

稳压二极管的示意图上，带有一个90°的小撇

双向稳压二极管

三、主要参数

        1、稳定电压 $U_{Z}$ : $U_{Z}$ 是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。由于半导体器件参数的分散性，同一型号的稳压管的 $U_{Z}$ 存在一定差别。例如，型号为2CW11的稳压管的稳定电压为 3.2~4.5 V。但就某一只管子而言， $U_{Z}$ 应为确定值。

        2、 $\alpha$ 为温度系数，为温度每变化1℃，稳定电压 $U_{Z}$ ，变化多少（小于4V以齐纳击穿为主，温度升高，齐纳击穿越容易，其所需要的电压越小）（大于7V多为雪崩击穿，温度升高，雪崩击穿越困难）

        需要先判断稳压二极管是否击穿

        在一个电路中，稳压电阻必不可少

其他参数

之后的发光二级管请看课本的P25~27页

LYPHARD MELODY。

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超级全面的笔记：模拟电子技术基础-童诗白，第一章常用半导体器件（1.2 半导体二极管）相关知识点

本文主要介绍了半导体二极管的几种常见结构，包括PN结、金属-半导体结和Schottky结。接着讨论了二极管的伏安特性和温度对特性的影响。文章还介绍了二极管的主要参数，如正向电流、反向电压和正向电压降等。然后详细解释了二极管的等效电路，包括伏安特性折线化和微变等效。最后介绍了稳压二极管的特点、伏安特性和主要参数。
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