霍尔高斯计G81在地磁测量上的运用

概述：

通常，用户使用基于磁通门或磁阻原理的磁测量设备来测量地球磁场，例如磁通门磁强计，磁阻高斯计或指南针等。

GaN材料具有强原子键，高导热性，良好的化学稳定性和强抗辐射性的特性。 COLIY的第三代半导体氮化镓（GaN）霍尔传感器具有良好的温度稳定性，高线性度和低噪声的特性，其性能领先于第二代半导体砷化镓（GaAs）传感器技术。

搭配氮化镓（GaN）霍尔传感器，高斯计G81 运用在弱磁测量场合

普通的高斯计在使用过程当中，主机和探头由于温度的变化和磁滞的影响，磁场零点会发生偏移，因此探头必须经常放入校零腔内进行校零操作。

高斯计G81采用独特的 Bypass Zero Technology专利技术和高稳定度GaN霍尔传感器，主机和探头都拥有极佳的零点稳定度和极低的噪声，60秒内的峰峰值（PEAK TO PEAK)噪声小于0.05G。温度和磁滞不影响高斯计的零点，使用过程中无需校零，大大提高了数据的准确度和使用便利性。

因此，除了可以用来测量强磁场外，搭配了氮化镓霍尔传感器的高斯计G81还可以用来测量微弱磁场，如工件剩磁，地球磁场等等。

以下是使用搭配了氮化镓霍尔传感器的高斯计G81去测量地球磁场的模拟测试。 探针固定在平台上，然后绕平台的中心轴旋转（逆时针）。 每10度记录一次读数，可以获得36组数据。 然后，这些数据形成相应的图形，如图所示，该曲线近似为正弦曲线。

模拟测试的测量数据如下表所示：