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RSS订阅原创 【氮化镓】GaN HEMT器件中Ec-0.9eV缺陷位置识别
2022 年 12 月 9 日，哈尔滨工业大学的万鹏飞等人在《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》期刊发表了题为《Location identify of EC - 0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors》的文章，实验结果表明，该研究的结果对深入理解 AlGaN/GaN HEMTs 的辐照效应、明确缺陷位置以及提升其抗辐射性能具有重要意义。
2025-06-12 09:32:17
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原创 【氧化镓】HTFB应力对β - Ga2O3 SBD的影响
西安电子科技大学Sunyan Gong等人研究了高温正向偏置（HTFB）应力对垂直Pt/Au β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）电学性能的影响。实验显示，在200℃、13V应力下持续10ks后，器件正向电流密度下降60%，反向漏电流增加四个数量级，且性能退化不可逆。通过电导-频率分析和STEM表征发现，Pt扩散导致界面态密度显著增加，进而影响势垒高度与载流子传输。研究揭示了界面退化是性能劣化的主因，为提升β-Ga₂O₃器件可靠性提供了关键依据。
2025-06-07 19:56:17
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原创 【缺陷】温度对半导体缺陷电荷态跃迁能级的影响
2022年3月8日，北京计算科学研究中心的黄兵等人在《Physical Review B》期刊发表研究，探讨了半导体中缺陷的电荷态转变能级（εα(q/q’)）随温度的变化规律。研究基于密度泛函理论结合准谐近似方法，推导了温度依赖的基本公式，并建立了分析施主和受主缺陷能级变化的两条基本规则。研究发现，εα(q/q’)随温度变化呈现多样化行为，包括变浅、变深或保持不变，这主要由自由能修正和带边变化的协同或拮抗效应决定。
2025-06-05 20:49:01
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原创 【氮化镓】钝化层对p-GaN HEMT阈值电压的影响
该研究基于二次离子质谱（SIMS）、光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）等方法，研究了在Au-free gate-first工艺中，SiN和SiO₂两种钝化层对p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）阈值电压（VTH）特性的影响。
2025-06-03 17:03:57
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原创 【氮化镓】GaN HMETs器件物理失效分析进展
文中先介绍失效分析流程，包括使用 EMMI 定位失败区、FIB 解剖、SEM 等观察截面与元素分析、TCAD 模拟找原因等步骤；再详细阐述静电放电（ESD）、高电应力、高热应力、高磁场以及辐照效应等不同条件下的失效机制，像 ESD 下金属迁移、寄生 SBD 击穿等，高电应力下电化学反应致结构变形等现象；最后讨论了表面钝化、栅极凹槽深度、接触结构以及几何结构优化等优化方法。
2025-06-03 16:17:01
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原创 【NATURE氮化镓】GaN超晶格多沟道场效应晶体管的“闩锁效应”
2025年X月X日，布里斯托大学的Akhil S. Kumar等人在《Nature Electronics》期刊发表了r-文章，基于AlGaN/GaN超晶格多通道场效应晶体管的研究，通过实验测量、模拟和电致发光成像，首次在GaN基多通道晶体管中观察到类似硅基器件的“闩锁效应”，即在高于14V的漏极偏压下，漏极电流会从“关断态”急剧变化到“高电流通态”，并在低于60 mV/decade的阈值电压范围内出现极陡峭的亚阈值斜率。
2025-05-29 14:38:08
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原创 【SiC】重离子辐照SiC功率器件缺陷的形成
本文研究了重离子辐照对SiC功率MOSFETs可靠性的影响。通过宽束和微束重离子辐照实验，结合成像光致发光（PL）光谱学分析，发现辐照后器件出现局部亮斑异常，微分PL方法揭示了零声子线（ZPL）与声子边带（PSB）耦合特征，证实堆垛层错（SF）的形成。研究表明，不同离子种类和辐照模式均会导致相似的缺陷结构，这些扩展缺陷可能是导致单事件泄漏电流（SELCII）退化的关键因素。该发现对提升空间应用SiC功率器件的抗辐射性能具有重要意义。
2025-05-25 02:00:00
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原创 【电池】极端环境对锂离子电池的影响-【2.5万字解析】
本文系统综述了极端物理场（辐射场、超声场、重力场、磁场和温度场）对锂离子电池工作行为的影响机制。研究表明，这些外部物理场通过改变液相传质、界面形成与电化学沉积过程，对电池性能产生双重影响：辐射场会引发电解液分解和电极结构损伤；超声场能优化传质动力学但可能破坏沉积结构；超重力场可增强传质和界面稳定性；磁场通过磁流体动力学效应改善离子分布；极端温度则显著影响电解液稳定性和界面动力学。文章还探讨了多物理场耦合效应及应对策略，为开发适用于深空和深海探测的高性能特种锂离子电池提供了理论指导。
2025-05-24 20:02:16
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原创 【缺陷】GaN和AlN中的掺杂特性
1997年5月9日，北卡罗来纳州立大学的P.Bogusławski和J.Bernholc等人在《Physical Review B》期刊发表了一篇关于碳（C）、硅（Si）和锗（Ge）在氮化镓（GaN）和氮化铝（AlN）中掺杂特性的研究。该研究采用量子分子动力学方法，详细分析了这些杂质在不同晶体位置上的取代构型、电子结构及掺杂效率。研究发现，Si和Ge在GaN中作为浅施主，而在AlN中Ge则变为深施主；C在GaN中为浅施主，在AlN中则为深施主。
2025-05-20 18:10:24
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原创 【氮化镓】低剂量率对GaN HEMT栅极漏电的影响
探讨了低剂量率辐照下基于GaN的p型栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅漏退化机制。研究通过60Co γ射线源对p-GaN HEMTs进行辐照，结合实验分析和TCAD仿真，发现负向阈值电压变化及栅漏电流增加主要由于p-GaN/AlGaN界面附近供体类陷阱的形成，这些陷阱由辐照过程中的去氢化作用引发。TCAD仿真进一步指出，陷阱辅助隧穿（TAT）过程是栅漏电流增加的主要机制。该研究为理解低剂量率辐照环境下p-GaN栅HEMTs的辐射诱导陷阱对电学参数退化的作用提供了重要理论支持。
2025-05-20 16:32:03
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原创 【氮化镓】偏置对GaN HEMT 单粒子效应的影响
2025年5月19日，西安电子科技大学的Ling Lv等人在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊发表了题为《Single-Event Effects of AlGaN/GaN HEMTs Under Different Biases》的文章，基于实验和TCAD仿真模拟方法，研究了单粒子效应对关断状态、半开启状态和开启状态下AlGaN/GaN HEMT器件的影响。
2025-05-19 18:52:52
355
原创 【氮化镓】关态下负栅压对 p-GaN HEMTs 单粒子效应的影响
2025年5月，电子科技大学的Xintong Xie和成都信息工程大学的Xiaorong Luo等人在《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》期刊发表了一篇关于p-GaN HEMTs在关断状态下负栅极电压（VGS）对单粒子效应（SEE）抗性影响的研究。该研究通过实验和Sentaurus TCAD仿真方法，探讨了100-V E模式p-GaN HEMTs在重离子辐照下的表现。实验使用回旋加速器产生的Ta离子进行辐照，仿真则构建了包含p-GaN层、AlGaN障碍层等结构的模型。
2025-05-19 16:59:56
191
原创 【PRB】1.5w字深度解析GaN中最浅的受主缺陷
2025年1月16日，Virginia Commonwealth University的M.A. Reshchikov和SUNY–Albany的B. McEwen等人在《Physical Review B》期刊发表了题为《Identity of the shallowest acceptor in GaN》的文章，研究了氮化镓（GaN）中最浅的受主缺陷。通过光致发光实验和第一性原理计算，研究团队发现Be掺杂GaN中的3.38 eV紫外发光带（UVLBe）是由BeGaONBeGa复合体引起的，其离化能仅为0.
2025-05-18 20:55:39
193
原创 【动态导通电阻】GaN HEMT动态导通电阻的精确测量
2023年7月，瑞士洛桑联邦理工学院的Hongkeng Zhu和Elison Matioli在《IEEE Transactions on Power Electronics》期刊发表文章，提出了一种稳态测量方法，用于研究氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的动态导通电阻（Ron）。实验结果显示，商业GaN器件在稳态下的动态Ron变化显著，稳定时间可达数分钟且与电压相关。传统的脉冲测量方法由于测试时间不足，可能导致结果不准确。该
2025-05-16 14:57:54
765
原创 【氮化镓】HfO2钝化优化GaN 器件性能
2025年，南洋理工大学的Pradip Dalapati等人在《Applied Surface Science》期刊发表研究，探讨了外延HfO₂钝化层对原位Si₃N₄/AlN/GaN基MIS-HEMTs性能的提升及其在高能X射线辐照下的退化抑制效果。研究通过X射线光电子能谱（XPS）和电学特性测试，发现HfO₂钝化层能有效钝化表面陷阱，显著提高器件的最大漏极电流和峰值跨导，同时降低电流崩溃现象。在X射线辐照后，具有HfO₂钝化层的器件性能退化率明显低于未钝化器件，展现出较好的辐射硬化特性。
2025-05-15 18:41:48
187
原创 【氮化镓】AlGaN合金中成分相关的辐射响应
2025年，宾夕法尼亚州立大学Miaomiao Jin团队通过分子动力学模拟，研究了AlGaN合金中铝含量对辐射响应的影响。研究发现，随着铝含量增加，单次碰撞产生的缺陷减少，但富铝系统在高剂量下更易形成扩展间隙缺陷簇，导致损伤加剧。25%铝含量的合金表现出最小的整体辐射损伤。该研究为优化AlGaN材料的抗辐射性能提供了原子尺度的理论支持，有助于开发适用于高辐射环境的电子器件。研究还揭示了缺陷形成与铝含量之间的复杂关系，为未来材料设计提供了重要参考。
2025-05-14 23:39:06
159
原创 【nature communications】负微分电阻（NDR）诱导的CNT-TFTs电流超饱和现象
2025年，北京大学的Guanhua Long等人研究了基于碳纳米管薄膜晶体管（CNT-TFTs）的超饱和特性，发现其具有由负微分电阻（NDR）效应诱导的电流超饱和现象。实验表明，CNT-TFTs在不同工作点可实现从10²到10⁶的内在增益变化，且在器件尺寸缩小至深亚微米区域时仍能维持高增益特性，展现出对缩放过程的免疫性。与传统的硅基晶体管相比，CNT-TFTs在柔性电子器件中表现出优异的性能，如高增益、宽NDR窗口和出色的静电控制能力。
2025-05-14 16:25:55
148
原创 【氮化镓】电子辐照下温度对GaN位移阈能的影响
2024年，华东师范大学彭胜国团队利用从头算分子动力学（AIMD）方法，探究了低能电子束辐照下温度对氮化镓（GaN）位移阈能（TDE）的影响。研究发现，在40至80eV的初始动能范围内，镓（Ga）和氮（N）原子作为初级击出原子（PKAs）时，其位移行为对温度的响应不同：Ga的TDE随温度升高而增加，且位移不确定性增强；而N的TDE受温度影响较小，位移更易发生。该研究为理解GaN在辐照环境下的缺陷形成机制提供了理论依据，对提升电子器件的辐射抗性具有重要意义。
2025-05-13 17:47:00
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原创 【氮化镓】GaN在不同电子能量损失的SHI辐射下的损伤
氮化镓（GaN）作为一种高效能半导体材料，在高频应用和极端辐射环境中展现出显著优势。本文通过原子级模拟（TTM-MD）和透射电子显微镜（TEM）实验，深入研究了快速重离子（SHI）辐射对GaN的影响。研究结果表明，SHI辐射在GaN中形成熔融轨迹，随后通过再结晶过程恢复晶体结构。模拟与实验结果高度一致，验证了TTM-MD模型在预测GaN损伤行为中的有效性。此外，研究还揭示了电子能量损失与材料损伤阈值之间的关系，为未来在辐射环境下的GaN应用提供了重要参考。
2025-05-12 15:55:51
1089
原创 【氮化镓】横向GaN 器件注入隔离区的电场相关载流子传输特性
2025年，宾夕法尼亚州立大学的Mansura Sadek团队研究了GaN横向功率器件中注入隔离区的电场依赖载流子传输特性。通过制备不同条件的隔离测试结构并进行电学特性测试，发现泄漏电流和击穿特性主要由注入的GaN区域决定，与缓冲层和未故意掺杂GaN无关。研究揭示了载流子传输在低、中、高电场下的不同特性，并指出击穿主要发生在注入区。该研究为优化GaN功率器件性能、提高击穿电压提供了理论依据，对推动GaN功率器件的发展和应用具有重要意义。
2025-05-12 15:39:32
159
原创 【动态导通电阻】软硬开关下GaN器件的动态RDSON
2019年，浙江大学的Rui Li、Xinke Wu等人基于双脉冲和多脉冲测试方法，研究了在硬开关和软开关条件下商用氮化镓（GaN）功率器件的动态导通电阻（R DSON ）特性。实验结果表明，不同GaN器件在硬开关和软开关条件下的动态R DSON 表现出不同的行为，这些行为受关断电压和频率的影响，且与器件技术相关。该研究还通过数值模拟验证了导致动态R DSON 增加的主要陷阱机制。研究结果对GaN基转换器的设计和损耗估算具有重要意义，为深入理解GaN功率器件的动态特性提供了实验和理论基础。
2025-05-10 17:25:26
225
原创 【动态导通电阻】p-GaN HEMTs正向和反向导通下的动态导通电阻
2024年，浙江大学的研究团队通过多组双脉冲测试方法，深入研究了两种商用p-GaN栅极HEMTs在正向和反向导通模式下的动态导通电阻（RON）特性。研究发现，肖特基型p-GaN栅极HEMTs在反向导通时动态RON比正向导通高3%-5%，而混合漏极嵌入栅注入晶体管在反向导通时动态RON降级较轻，降低约10%。此外，随着漏极电流（IDS）的增加，两种器件在反向导通时动态RON先减小后增加，形成“谷底”现象。
2025-05-09 19:50:48
399
原创 【TACD模拟】质子辐照对GaN器件临界电压增加的影响机制
2013年，佛罗里达大学的Erin Patrick等人研究了质子辐照对AlGaN/GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管）的影响，旨在探索辐照后临界电压增加及器件可靠性提升的物理机制。AlGaN/GaN HEMTs因其宽禁带、高击穿场强和高电子迁移率等特性，在商业和军事领域具有广泛应用前景，但其长期可靠性问题，尤其是栅极边缘的坑状缺陷，限制了其性能。研究通过实验和仿真结合的方法，利用TRIM和FLOODS模型，分析了质子辐照对器件电学性能的影响。
2025-05-09 17:30:26
178
原创 【动态导通电阻】 GaN PiN二极管电导调制对动态 RON 的影响
文章通过对垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中电导调制的瞬态行为及其对动态 RON 性能的影响的研究发现，通过增加 tON 和 ION，可以进一步增强垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中的传导调制，从而实现负动态 RON 性能。直接带隙 GaN 垂直 PiN 二极管能够实现传导调制、负动态 RON 和超短本征少数载流子寿命，因此在高功率和高频应用中具有很大的潜力。
2025-04-29 20:08:43
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原创 【动态导通电阻】GaN功率器件中动态导通电阻退化的机制、表征及建模方法
研究目的：鉴于动态RON退化对GaN功率器件性能的显著影响，本文旨在全面综述和讨论GaN功率器件中动态RON退化的机制、表征方法、建模技术以及解决方案，以期为GaN功率器件的设计、优化和应用提供理论指导和实践参考。内容概述：文章首先分析了缓冲层陷阱和栅极不稳定导致动态RON退化的物理机制，并通过物理基础的TCAD模拟与高压背栅测量结果进行对比，揭示缓冲层陷阱的充电/放电过程如何影响动态RON。接着，讨论了不同GaN器件技术中栅极不稳定引起的动态RON增加以及栅极过驱动的作用。
2025-04-29 15:32:57
455
原创 【氮化镓】p-GaN AlGaN/GaN HEMTs 栅极击穿机制
2021 年，南方科技大学的 Guangnan Zhou 等人基于多栅扫描测量法，深入研究了 p-GaN 栅极 AlGaN/GaN HEMTs 的栅极击穿（BD）机制。首先，他们详细介绍了 GaN 材料因其高临界电场和高饱和速度等优异物理特性，在功率开关应用领域具有巨大潜力，特别是在低电压应用中，横向高电子迁移率晶体管（HEMTs）展现出成熟且优越的性能。
2025-04-29 01:45:00
160
原创 【氮化镓】质子辐照对 GaN-on-GaN PiN 二极管电导调制的影响
2025 年，中国科学技术大学的 Xuan Xie 等人采用实验研究的方法，深入探究了 10-MeV 和 50-MeV 质子辐照（ fluence 最高达 1×1014 cm−2）对 kV 级垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管的导电调制影响。研究背景在于空间应用中的功率电子电路易受质子、α 粒子和重离子等影响而降级甚至失效，而宽禁带半导体器件在恶劣辐射环境中有应用潜力，但其在辐照后的导电性和击穿电压优势需进一步研究。
2025-04-28 17:55:25
315
原创 【机器学习】人工智能在电力电子领域的应用
本文概述了电力电子系统的人工智能 (AI) 应用。设计、控制和维护这三个独特的生命周期阶段与人工智能要解决的一项或多项任务相关，包括优化、分类、回归和数据结构探索。讨论了专家系统、模糊逻辑、元启发法和机器学习四类人工智能的应用。我们对 500 多篇出版物进行了审查，以确定人工智能在电力电子应用中的共同理解、实际实施挑战和研究机会。本文附有一个 Excel 文件，其中列出了统计分析的相关出版物。
2025-04-28 15:47:44
324
原创 【机器学习】碳化硅器件剩余使用寿命稀疏数据深度学习预测
2025 年，哈尔滨工业大学的 Le Gao 等人基于物理信息深度学习（PIDL）方法，研究了在稀疏数据条件下碳化硅（SiC）MOSFET 的剩余使用寿命（RUL）预测问题，尤其关注了其在辐射环境下的可靠性。
2025-04-28 15:14:04
159
原创 【氮化镓】同质结GaN PiN二极管的重离子单粒子烧毁SEB
综合上述实验结果，可以得出以下结论：HET 技术在提升 GaN 垂直 PIN 二极管的抗辐射能力方面具有显著优势。通过优化边缘终止结构设计，HET 器件能够有效改善阳极边缘的电场分布，降低电场拥挤现象，从而提高器件的 SEB 阈值并减少辐射诱导的 SELC 和 SEB 效应。相比之下，JTE 器件由于其较差的电场管理能力，在重离子辐射环境下更容易发生失效。阳极厚度是影响器件辐射响应的重要因素之一。
2025-04-23 12:27:52
133
原创 【氧化镓】掺杂在β-Ga2O3材料中引入的深能级缺陷
本研究通过热缺陷谱（DLTS）和光缺陷谱（DLOS）等实验技术，深入研究了碳、氮和镁掺杂在β-Ga2O3中引入的补偿深能级缺陷。研究结果表明，不同掺杂元素引入的缺陷能级位置和补偿效率各不相同，对材料的电学性能有显著影响。
2025-03-23 18:48:54
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原创 【可靠性】高κ-SrTiO3 MoS2 FET的稳定性和可靠性
2025年，维也纳工业大学的Seyed Mehdi Sattari-Esfahlan和Tibor Grasser等人基于实验研究，深入探究了单晶SrTiO3（STO）基MoS2场效应晶体管（FETs）的性能、稳定性和可靠性。研究团队通过脉冲激光沉积（PLD）方法制备了STO薄膜，并将其与MoS2薄片集成，构建了背栅FET器件。实验结果表明，STO作为栅介质展现出诸多优异特性。首先，STO具有超高介电常数（约300），能够有效降低漏电流，使器件在等效氧化物厚度（EOT）约为4.8 nm时，漏电流密度低至约10
2025-03-23 16:11:27
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原创 【氮化镓】开态GaN HEMTs中氧诱导Vth漂移的缺陷演化
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Rong Wang等人基于实验研究和第一性原理计算，研究了开启态偏置下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中氧诱导的阈值电压（Vth）漂移的缺陷演化机理。实验结果表明，在开启态应力作用下，T型栅AlGaN/GaN HEMT的Vth发生了明显的负向漂移，且这种漂移与GaN通道中约0.8 eV处的缺陷能级的减少密切相关。进一步的1/f噪声测量和温度依赖性实验揭示了开启态应力下GaN通道中缺陷的演化情况，表明热载流子应力导致了缺陷能级的变化。
2025-03-10 17:33:29
348
原创 【氮化镓】高输入功率应力诱导的GaN 在下的退化LNA退化
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Tong等人基于实验与第一性原理计算方法，研究了Ka波段GaN低噪声放大器（LNA）在高输入功率应力下的退化机制。实验结果表明，在27 GHz下施加1 W连续波（CW）输入功率应力后，LNA的增益下降约1 dB，噪声系数（NF）增加约0.7 dB。进一步的测量发现，阈值电压（Vth）的正向偏移导致了增益的下降，而栅极漏电流（Ig）的增加则是NF退化的主要原因。
2025-03-10 15:53:01
150
原创 【氮化镓】基于SiC脉冲I-V系统研究Schottky型p-GaN HEMT正栅极ESD机制
探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型（HBM）静电放电（ESD）条件下的鲁棒性和机制。通过使用基于碳化硅（SiC）MOSFET的高速脉冲I-V测试系统，作者们详细分析了在显著但非破坏性的放电事件中观察到的高瞬态正向门极漏电流（IG），并揭示了其主要由AlGaN势垒的电子热发射所主导，这一过程受到p-GaN门极堆叠内部动态电容电压分配的影响。
2025-03-04 10:54:44
343
原创 【氮化物】纤锌矿结构晶体中自发极化方向
自发极化是纤锌矿结构的一个关键特性，它是由晶体内部的电荷分布不均匀造成的。这种固有的极化现象对材料的电子性质有着深远的影响，包括载流子的类型和密度，这些都是设计和优化半导体器件时必须考虑的因素。例如，在HEMTs中，自发极化会影响二维电子气的形成和其迁移率，进而影响器件的性能。这篇文章通过理论分析和实验验证，成功地解决了纤锌矿结构晶体中自发极化方向的混淆问题。作者的发现对于半导体器件的设计和性能优化具有重要意义，特别是在III-N化合物的应用中。
2025-03-04 10:26:19
133
原创 【TCAD】AlGaN 器件的Sentaurus仿真
否则，必须在 LatticeParameters Sentaurus Device 的参数文件中的部分。Sentaurus Device 有两个工具实例：第一个工具实例， sd_fdiv ，模拟正向偏置特性，第二个工具实例， sd_rviv ，模拟反向偏置特性直至击穿。对于牛顿求解器，通常应该将非线性迭代次数限制为一个足够小的值，例如 Iterations=20 ，同时通过指定非阻尼迭代次数高于允许的牛顿迭代次数来避免解的阻尼（ NotDamped=30 ）。晶胞中的 Ga-N 键为橙色。
2025-02-26 14:49:05
502
原创 【TCAD】Sentaurus 中的“陷阱trap”仿真设置
允许使用有限的数据集名称 SFactor 规范，例如 DeepLevels ， xMoleFraction ， 和 yMoleFraction （从兴奋剂档案中读取） eTrappedCharge 和 hTrappedCharge （从指定的文件中读取 DevFields 在 File 部分）或 PMI 用户字段 PMIUserField0...10 （从指定的文件中读取 PMIUserFields 在 File 部分）。给定的陷阱截面 eNeutral 陷阱是多种多样的 Xsec 项目参数。
2025-02-26 14:31:34
590
【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用
2024-04-03
空空如也
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