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RSS订阅原创 【辐射】伽马辐射对GaN-on-Si MIS-HEMT 的影响
2025 年 5 月 24 日，中国台湾阳明交通大学的 Tian-Li Wu 等人在 IEEE 会议上发表了题为《Comprehensive Analysis of DC, Pulsed, and RF Performance of Submicron GaN-on-Si MIS-HEMTs Under Gamma Radiation》的文章，基于实验研究方法，研究了伽马辐照对硅基 GaN 器件直流、脉冲和射频性能的影响。
2026-01-19 18:03:20
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原创 【氮化镓】氩离子注入对GaN外延层的损伤
研究了180 keV氩离子（Ar+）以不同注入 注量（4.8×10¹³至6×10¹⁵ cm⁻²）对n型GaN外延层辐射损伤的影响。实验结果表明，Ar+注入会导致GaN中电子浓度降低、晶格应变增加、光学性能退化以及电阻率上升；当fluence达6×10¹⁵ cm⁻²时，载流子浓度下降约32.5%，且在GaN晶体中形成局部非晶层。该研究的结果对优化GaN基功率器件的边缘终结技术具有重要意义，为权衡离子注入改善电场分布与对载流子迁移率、晶体结构和光电子性能的不利影响提供了实验依据。
2026-01-14 19:24:01
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原创 【氮化镓】传统超结（DSJ）和极化超结（PSJ）GaN双向CAVET的静态和动态性能比较
基于Sentaurus仿真工具，研究了1.2–10 kV电压等级下传统、掺杂超结（DSJ）和极化超结（PSJ）GaN双向电流孔垂直电子晶体管（CAVET）的静态和动态性能。仿真结果表明，PSJ CAVET在全电压范围内展现出最低的导通电阻（RON,sp）和开关电荷（QT,sp），其性能指标（FoM）显著优于传统和DSJ CAVET，且在开通和关断过程中表现出对称的动态性能。该研究结果对高压、高效电力电子系统的设计具有重要的指导意义。
2026-01-14 19:22:07
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原创 【氮化镓】p-GaN HEMTs中栅极可靠性的负激活能现象
基于电气特性表征、光谱分辨的电致发光测量以及退化测试相结合的方法，研究了p-GaN肖特基栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）中栅极可靠性的负激活能现象。实验结果表明，栅极漏电流源于三种不同机制，且高温下器件寿命延长是由于空穴注入和复合增加，减少了发生雪崩倍增的电子数量，从而推迟了击穿。该研究结果对提高GaN基功率器件的可靠性和优化其在高温环境中的应用具有重要意义。
2025-12-22 18:58:56
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原创 【氮化镓】峰值电流诱导的级联GaN HEMT在单脉冲浪涌电流应力下的失效
东南大学Weihao Lu团队在《IEEE Transactions on Electron Devices》发表研究，通过实验与仿真结合的方式揭示了650V级Cascode GaN HEMT在单脉冲浪涌电流应力下的失效机制。研究表明，器件失效源于耗尽型GaN HEMT漏极处的高峰值电流引发焦耳热积聚，导致金属烧蚀并形成栅-源短路。TCAD仿真证实漏极电场与电流密度集中引发的热失控是根本原因。研究提出优化漏极金属焊盘热沉设计的方案，可显著提升器件浪涌耐受能力。
2025-10-28 12:30:39
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原创 【氮化镓】高压射频应力导致的GaN HEMT退化
南京大学研究人员在《Applied Physics Letters》发表关于GaN HEMT射频可靠性的研究。通过2GHz大信号实验结合热成像和电学表征，发现阻抗匹配条件下器件仅出现轻微陷阱效应导致的性能衰退，而50Ω失配时反射功率引发的焦耳热会显著升高沟道温度，形成双电场峰并加剧局部热应力，导致输出功率、跨导等参数严重退化。该研究揭示了阻抗匹配对GaN射频器件可靠性的关键影响，为5G功放设计提供了重要依据。
2025-10-28 12:21:16
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原创 【氮化镓】GaN辐射诱导缺陷簇的原位TEM观测
北京大学、西北核技术研究所与厦门大学等多家单位的XUE等人，基于原位透射电子显微学方法，在800 °C下对GaN材料进行400 keV N离子辐照，系统研究了缺陷簇尺寸与密度随辐照剂量（最高达2.48 dpa）的动态演化规律，实验结果表明GaN在高剂量下仍保持晶体结构未非晶化，缺陷簇以位错、层错和空洞为主，且几乎不在本征位错处聚集，N₂气泡在极低剂量（0.02 dpa）即可形核，该研究的结果对揭示GaN本征抗辐照机制及指导极端环境下功率电子器件与辐射探测器的辐射加固设计具有重要意义。
2025-10-07 17:17:12
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原创 【LAMMPS】lammps施加电场或磁场
摘要：LAMMPS中电磁场模拟方法包括电场施加（恒定/交变电场，需带电体系）、磁场模拟（SPIN包处理自旋系统或自定义洛伦兹力）。关键要点：电场需设置电荷属性和边界条件，时变场通过变量实现；磁自旋模拟需预编译SPIN包并配置阻尼参数。高级应用涉及恒电势(USER-CONP2)和电荷平衡方法(QTPIE)。常见问题包括原子逸出（需调整边界）、电荷缺失等，验证时需检查偶极取向或进动频率。建议根据需求选择基础命令或定制方案，注意单位一致性和物理合理性。
2025-10-03 16:57:03
284
原创 【氮化镓】P-GaN：提高高温栅极寿命的解决方案
原文首先指出，GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借更宽带隙、更高临界电场及电子迁移率，相对于 Si 与 SiC 器件在功率电子系统表现出“unrivaled switching speed”，从而带来更轻、更小、更高效的电源、快充、数据中心和 LiDAR 等应用[1]–[5]。然而，作者指出，上述手段在高温（≥150 °C）DC 或脉冲应力下仍受限于一种新的失效机制——隔离区 N 注入导致的栅指暴露区域击穿，该机制在文献 [15]、[27] 中首次被观察到。
2025-10-03 16:54:54
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原创 【氮化镓】C缺陷络合物导致的GaN黄光发射
2013年2月21日，美国弗吉尼亚联邦大学的 Demchenko 等人在《Physical Review Letters》发表了题为《Yellow Luminescence of Gallium Nitride Generated by Carbon Defect Complexes》的文章，基于混合密度泛函理论（HSE06）与低温光致发光实验，系统研究了 GaN 中备受争议的 2.2–2.3 eV 黄光发射带；
2025-09-15 16:06:08
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原创 【氮化镓】GaN中受主的氢相关钝化与激活
2025 年 1 月 7 日，弗吉尼亚联邦大学与纽约州立大学 Albany 分校的 Reshchikov 等人在《Nanotechnology》期刊发表文章，基于光致发光（PL）实验与第一性原理 HSE 计算，系统研究了 GaN 中 BeGa、CN 及 MgGa 受主与氢的复合、钝化和再激活过程；结果表明，350–800 °C 退火释放的氢会钝化 BeGa 与 CN 受主，导致其特征黄光带强度骤降，而 900 °C 以上退火则通过氢脱附恢复受主发光，且 BeGaHi 复合体解离能高达 2.2 eV，显著高于
2025-09-15 14:25:36
275
原创 【氮化镓】GaN基半导体器件电离辐射损伤及可靠性综述
2024年6月25日，印度J. Charles Pravin等人发表文章，基于对质子、中子、γ射线、α粒子和电子等多种辐射源下GaN基HEMT、肖特基及薄膜二极管的实验与文献综述，系统研究了总电离剂量效应、位移损伤、单粒子效应及协同效应导致的缺陷形成机制与可靠性退化规律。结果表明，GaN材料因其高位移阈值能量而展现出优于传统III-V族器件的抗辐射能力，但在高剂量辐射下仍会出现载流子迁移率降低、阈值电压漂移及漏电流增加等性能退化。
2025-09-11 14:05:24
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原创 【氮化镓】GaN同质外延p-i-n二极管中星形与三角形扩展表面缺陷的电子特性
美国国家标准与技术研究院（NIST）与海军研究实验室团队在《Applied Physics Letters》发表了关于同质外延GaN二极管中扩展表面缺陷电子特性的研究。通过光电发射电子显微术（PEEM）、导电原子力显微术（cAFM）及电致发光表征，对比分析了HVPE“点芯”与氨热法GaN衬底上的星形和三角形缺陷。结果表明：星形缺陷源于螺位错，显著增加漏电流并降低击穿电压，属于致命缺陷；三角形缺陷可能由层错引起，其随机分布导致器件性能离散和失效风险升高。
2025-07-28 15:53:49
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原创 【氮化镓】GaN取代GaAs作为空间激光无线能量传输光伏转换器材料
摘要：西班牙圣地亚哥-德孔波斯特拉大学的研究团队通过TCAD数值仿真，论证了氮化镓（GaN）替代砷化镓（GaAs）作为空间激光无线能量传输光伏转换器基材的优越性。研究表明，GaN器件在10W/cm²功率密度下转换效率达78.5%，较现有GaAs纪录提升9.6%，且在100W/cm²下峰值效率达79.6%。GaN展现出更好的耐高温性（温度系数-1.5mV/K）、耐辐射性和抗串联电阻损耗能力，在1000W/cm²极端条件下仍保持75%以上效率。
2025-07-25 19:46:21
280
原创 【Nature Communications】GaN外延层中位错辅助的电子和空穴输运
中国科学院微电子研究所Yixu Yao团队在《Nature Communications》发表研究，揭示了氮化镓(GaN)外延层中位错对载流子输运的影响机制。研究发现螺位错通过形成电子势垒促进电子泄漏，而刃位错则通过引入空穴陷阱增强空穴输运。结合多种表征技术，证实较高刃位错比例的器件能有效缓解电流崩溃退化。该研究为GaN外延生长优化和缺陷工程提供了重要依据，对提升GaN基电子器件性能具有指导意义。
2025-07-20 19:09:54
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原创 【非辐射复合】半导体中非辐射载流子复合的双能级机制
2016 年 2 月 16 日，美国国家可再生能源实验室的 Ji-Hui Yang 等人（通讯作者为 Su-Huai Wei）发表文章研究了半导体 CdTe 中非辐射载流子复合的增强机制。文章提出了一个新的双能级复合机制：缺陷先通过一个能级捕获一种载流子形成亚稳态，随后缺陷结构快速变化至稳定态，再通过另一个能级捕获另一种载流子完成复合。以 CdTe 中的 TeCd 2+ 缺陷为例，研究表明这种双能级过程可使复合速率显著提升三个数量级，与实验结果吻合。
2025-07-18 19:44:48
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原创 【氮化镓|PRL】氮空位（VN）解决 LED中载流子注入不对称问题
本文研究了通过缺陷工程优化III族氮化物LED中载流子注入不对称性的问题。研究发现，在GaN/AlN量子阱界面引入氮空位(VN)可显著改善电子弛豫特性，使电子弛豫时间从8.61皮秒缩短至0.15皮秒，接近空穴弛豫时间(0.12皮秒)。通过第一性原理计算和非绝热分子动力学模拟，揭示了VN缺陷态在导带内形成"阶梯"，增强电子-声子耦合，从而加速热电子冷却过程。该研究为优化III族氮化物光电器件性能提供了新思路，通过精确控制缺陷工程解决载流子注入不对称问题。
2025-07-17 16:34:23
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原创 【氮化镓】非辐射复合载流子诱导的瞬态缺陷机制
本文通过第一性原理计算研究了InGaN发光器件中的新型非辐射复合机制。研究发现电子激发态下，弗兰克尔对(FP)缺陷形成能显著降低(从4.42eV降至0.56eV)，形成瞬态缺陷并促进非辐射复合。该过程与传统SRH和AR模型不同，是宽禁带半导体的特有现象。计算表明FP形成时间(160ns)与辐射复合时间(88ns)相当，解释了器件效率下降的机制。研究结果为理解非辐射复合提供了新视角，对提高InGaN器件效率具有重要指导意义。
2025-07-14 17:51:51
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原创 【氮化镓】势垒厚度对GaN短期可靠性的影响
法国IEMN-CNRS研究所Kabouche等人研究了AlN势垒厚度对GaN HEMT器件可靠性的影响。通过对比3nm与4nm AlN势垒器件在40GHz下的24小时射频应力测试，发现3nm器件在30V、室温下性能稳定，140℃高温下仍保持良好可靠性；而4nm器件在12V即出现显著性能衰减，更高电压下快速失效。研究指出3nm势垒接近临界厚度，缺陷密度低，具有更优的应变特性。该成果为5G/卫星通信等毫米波应用的GaN器件优化提供了重要依据。
2025-07-12 15:21:15
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原创 【氮化镓】100 V GaN晶体管在关态应力下的双退化
摘要：意大利帕多瓦大学Riccardo Fraccaroli团队在《Microelectronics Reliability》发表关于100V GaN晶体管关态应力退化机制的研究。通过Weibull分析和电致发光测量发现，器件存在双退化模式：强夹断条件下（VGS=-3V）因介质击穿快速失效（β=2.93）；弱夹断条件下（VGS=0V）因热电子陷阱导致电场降低而延长寿命（β=0.92），并伴随正电荷陷阱相关的亚阈值电流增加。电致发光信号显示局部漏电路径与表面缺陷相关。
2025-07-11 20:07:41
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原创 【氮化镓】不同偏压应力下电荷俘获效应导致的P-GaN HEMT阈值电压不稳定性【此文缺陷存在部分错误之处】
摘要：意大利研究人员在《Applied Physics Letters》发表关于p-GaN HEMTs阈值电压不稳定性的研究。通过监测不同偏置应力下的栅极电流密度，发现金属/p-GaN/AlGaN/GaN系统中界面电荷俘获是导致阈值电压漂移的主因：低偏置时电子俘获导致正向漂移（VG<6V），高偏置时空穴俘获引起负向漂移（VG>6V）。实验测得电子陷阱能级（67meV和83meV）与氮空位相关，空穴陷阱能级（410meV）与镓空位相关。STEM分析还发现高应力下会产生贯穿界面的错位类缺陷。
2025-07-11 17:06:29
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原创 【Nature Electronics】【高κ栅介质】（Hf₀.₅Zr₀.₅O₂, HZO）铁电膜集成的二硫化钼（MoS₂）晶体管
2025年6月26日，台湾中兴大学、成功大学等机构的Che-Yi Lin等人在《Nature Electronics》期刊发表文章。基于脉冲激光沉积（PLD）和范德华集成方法，该研究开发了独立式铪锆氧化物（Hf₀.₅Zr₀.₅O₂, HZO）铁电膜并将其集成至二硫化钼（MoS₂）晶体管中作为高κ栅介质。
2025-07-07 18:23:11
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原创 【氮化镓】GaN帽层对HEMTs栅极漏电机制的影响
浙江大学研究团队通过实验揭示了GaN帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极漏电流的影响机制。研究表明，去除GaN帽层的凹栅器件在高反向偏压下表现出更高的0.86eV陷阱能级，导致漏电流增加。高温反向偏压应力测试显示，凹栅器件在低反向偏压区的漏电机制由温度无关转变为温度相关，但通过高温退火可修复应力引入的陷阱态。该成果为优化高频应用器件可靠性提供了重要依据，建议未来研究可聚焦刻蚀工艺优化和新型介质层引入。论文发表于《AppliedPhysics Letters》2025年7月期。
2025-07-07 13:22:55
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原创 【氮化镓】氮化镓中应变诱导的深电子态
摘要：德国研究团队通过高分辨率透射电镜与多尺度模拟，发现氮化镓（GaN）中存在新型四核位错结构。研究表明，即使在完全配位的重构核心中，GaN晶格常数小和巨大应变场仍会诱导深电子态，这一发现颠覆了传统认为位错电活性源于核心悬挂键的观点。该成果对理解GaN电子特性及优化光电器件性能具有重要意义，指出应变诱导的深电子态与核心重构无关，为器件设计提供了新思路。相关研究发表于《物理评论快报》（2004）。
2025-06-26 15:22:39
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原创 【Nature Communications】超高介电常数材料 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）
复旦大学AnQuanJiang团队在《NatureCommunications》发表研究，通过原子层沉积技术制备Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜电容器，结合等离子体处理获得突破性性能：介电常数达921，储能密度584J/cm³，效率近100%。研究揭示了铁电性消失后氧空位有序排列产生超高介电常数的机制，并通过同步辐射衍射和STEM分析证实了微观结构转变。该材料在85-300K温度范围内保持稳定，经1万亿次循环后仍能维持100μC/cm²电荷密度，为高密度DRAM和CMOS器件集成提供了新方案。
2025-06-22 21:11:55
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原创 【nature review】原子尺度上光与物质的相互作用
2021年发表在《Nature Reviews Physics》上的原子尺度光-物质相互作用研究综述。通过将扫描隧道显微镜(STM)与光子学技术结合，实现了皮米级空间分辨率和亚飞秒时间分辨率，揭示了光与原子、分子及纳米结构相互作用的四种主要机制：光诱导隧穿、非弹性隧穿、光激发态产生及辐射衰减。研究展示了太赫兹脉冲对电子隧穿的相干控制能力，实现了单分子荧光与等离子体耦合观测，发展了尖端增强拉曼光谱(TERS)和单原子电子自旋共振(ESR)等先进技术。
2025-06-21 14:30:21
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原创 【电声耦合】TaOsSi和NbOsSi超导中的电子-声子耦合
摘要：雷兵华和David J. Singh团队通过电子-声子耦合方法研究了TaOsSi和NbOsSi的超导特性，发现它们具有高度各向异性的连续变化能隙，且存在近费米能级的狄拉克点。研究表明其超导性可用常规电子-声子耦合解释，而非传统两能隙模型。该成果对理解拓扑超导体的机制及探索强自旋轨道耦合的超导体具有重要意义。相关成果发表于2025年6月的《Physical Review B》期刊。
2025-06-14 12:48:41
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原创 【氮化镓】GaN HEMT器件中Ec-0.9eV缺陷位置识别
2022 年 12 月 9 日，哈尔滨工业大学的万鹏飞等人在《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》期刊发表了题为《Location identify of EC - 0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors》的文章，实验结果表明，该研究的结果对深入理解 AlGaN/GaN HEMTs 的辐照效应、明确缺陷位置以及提升其抗辐射性能具有重要意义。
2025-06-12 09:32:17
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原创 【氧化镓】HTFB应力对β - Ga2O3 SBD的影响
西安电子科技大学Sunyan Gong等人研究了高温正向偏置（HTFB）应力对垂直Pt/Au β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）电学性能的影响。实验显示，在200℃、13V应力下持续10ks后，器件正向电流密度下降60%，反向漏电流增加四个数量级，且性能退化不可逆。通过电导-频率分析和STEM表征发现，Pt扩散导致界面态密度显著增加，进而影响势垒高度与载流子传输。研究揭示了界面退化是性能劣化的主因，为提升β-Ga₂O₃器件可靠性提供了关键依据。
2025-06-07 19:56:17
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原创 【缺陷】温度对半导体缺陷电荷态跃迁能级的影响
2022年3月8日，北京计算科学研究中心的黄兵等人在《Physical Review B》期刊发表研究，探讨了半导体中缺陷的电荷态转变能级（εα(q/q’)）随温度的变化规律。研究基于密度泛函理论结合准谐近似方法，推导了温度依赖的基本公式，并建立了分析施主和受主缺陷能级变化的两条基本规则。研究发现，εα(q/q’)随温度变化呈现多样化行为，包括变浅、变深或保持不变，这主要由自由能修正和带边变化的协同或拮抗效应决定。
2025-06-05 20:49:01
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原创 【氮化镓】钝化层对p-GaN HEMT阈值电压的影响
该研究基于二次离子质谱（SIMS）、光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）等方法，研究了在Au-free gate-first工艺中，SiN和SiO₂两种钝化层对p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）阈值电压（VTH）特性的影响。
2025-06-03 17:03:57
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原创 【氮化镓】GaN HMETs器件物理失效分析进展
文中先介绍失效分析流程，包括使用 EMMI 定位失败区、FIB 解剖、SEM 等观察截面与元素分析、TCAD 模拟找原因等步骤；再详细阐述静电放电（ESD）、高电应力、高热应力、高磁场以及辐照效应等不同条件下的失效机制，像 ESD 下金属迁移、寄生 SBD 击穿等，高电应力下电化学反应致结构变形等现象；最后讨论了表面钝化、栅极凹槽深度、接触结构以及几何结构优化等优化方法。
2025-06-03 16:17:01
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原创 【NATURE氮化镓】GaN超晶格多沟道场效应晶体管的“闩锁效应”
2025年X月X日，布里斯托大学的Akhil S. Kumar等人在《Nature Electronics》期刊发表了r-文章，基于AlGaN/GaN超晶格多通道场效应晶体管的研究，通过实验测量、模拟和电致发光成像，首次在GaN基多通道晶体管中观察到类似硅基器件的“闩锁效应”，即在高于14V的漏极偏压下，漏极电流会从“关断态”急剧变化到“高电流通态”，并在低于60 mV/decade的阈值电压范围内出现极陡峭的亚阈值斜率。
2025-05-29 14:38:08
480
原创 【SiC】重离子辐照SiC功率器件缺陷的形成
本文研究了重离子辐照对SiC功率MOSFETs可靠性的影响。通过宽束和微束重离子辐照实验，结合成像光致发光（PL）光谱学分析，发现辐照后器件出现局部亮斑异常，微分PL方法揭示了零声子线（ZPL）与声子边带（PSB）耦合特征，证实堆垛层错（SF）的形成。研究表明，不同离子种类和辐照模式均会导致相似的缺陷结构，这些扩展缺陷可能是导致单事件泄漏电流（SELCII）退化的关键因素。该发现对提升空间应用SiC功率器件的抗辐射性能具有重要意义。
2025-05-25 02:00:00
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原创 【电池】极端环境对锂离子电池的影响-【2.5万字解析】
本文系统综述了极端物理场（辐射场、超声场、重力场、磁场和温度场）对锂离子电池工作行为的影响机制。研究表明，这些外部物理场通过改变液相传质、界面形成与电化学沉积过程，对电池性能产生双重影响：辐射场会引发电解液分解和电极结构损伤；超声场能优化传质动力学但可能破坏沉积结构；超重力场可增强传质和界面稳定性；磁场通过磁流体动力学效应改善离子分布；极端温度则显著影响电解液稳定性和界面动力学。文章还探讨了多物理场耦合效应及应对策略，为开发适用于深空和深海探测的高性能特种锂离子电池提供了理论指导。
2025-05-24 20:02:16
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原创 【缺陷】GaN和AlN中的掺杂特性
1997年5月9日，北卡罗来纳州立大学的P.Bogusławski和J.Bernholc等人在《Physical Review B》期刊发表了一篇关于碳（C）、硅（Si）和锗（Ge）在氮化镓（GaN）和氮化铝（AlN）中掺杂特性的研究。该研究采用量子分子动力学方法，详细分析了这些杂质在不同晶体位置上的取代构型、电子结构及掺杂效率。研究发现，Si和Ge在GaN中作为浅施主，而在AlN中Ge则变为深施主；C在GaN中为浅施主，在AlN中则为深施主。
2025-05-20 18:10:24
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原创 【氮化镓】低剂量率对GaN HEMT栅极漏电的影响
探讨了低剂量率辐照下基于GaN的p型栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅漏退化机制。研究通过60Co γ射线源对p-GaN HEMTs进行辐照，结合实验分析和TCAD仿真，发现负向阈值电压变化及栅漏电流增加主要由于p-GaN/AlGaN界面附近供体类陷阱的形成，这些陷阱由辐照过程中的去氢化作用引发。TCAD仿真进一步指出，陷阱辅助隧穿（TAT）过程是栅漏电流增加的主要机制。该研究为理解低剂量率辐照环境下p-GaN栅HEMTs的辐射诱导陷阱对电学参数退化的作用提供了重要理论支持。
2025-05-20 16:32:03
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原创 【氮化镓】偏置对GaN HEMT 单粒子效应的影响
2025年5月19日，西安电子科技大学的Ling Lv等人在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊发表了题为《Single-Event Effects of AlGaN/GaN HEMTs Under Different Biases》的文章，基于实验和TCAD仿真模拟方法，研究了单粒子效应对关断状态、半开启状态和开启状态下AlGaN/GaN HEMT器件的影响。
2025-05-19 18:52:52
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【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用
2024-04-03
空空如也
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