荷塘阅色-CSDN博客

原创【氮化镓】p-GaN HEMTs空穴陷阱低温冻结效应

低温条件下空穴陷阱对p-GaN HEMTs栅极漏电的影响显著。通过C-DLTS测试和漏电电流拟合，揭示了冻结陷阱效应，并通过分析栅极漏电电流机制，为低温条件下p-GaN HEMTs的研究提供了宝贵的见解。

2024-04-27 14:11:48 435

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.6)SPC水模型

SPC 水模型指定了 3 个位点的刚性水分子，并为 3 个原子中的每个原子分配了电荷和 Lennard-Jones 参数。在 LAMMPS 中，fix shake命令可用于保持两个 O-H 键和 H-O-H 角刚性。还应使用 Harm 的键样式和 Harm 或 charmm 的角度样式。这些是为 O 和 H 原子以及水分子设置的附加参数（以实际单位表示），以运行严格的 SPC 模型。

2024-04-27 10:45:04 566

原创【软件】ERETCAD-Env：在轨空间环境3D动态仿真软件

文章介绍了Extreme-environment Radiation Effect Technology Computer-Aided Design – Environment (ERETCAD-Env)软件，文章的介绍和展示了ERETCAD-Env软件的功能和特点，这是一款用于动态模拟在轨卫星所处空间环境的计算机辅助设计软件。：ERETCAD-Env旨在为任何在轨航天器建立基于模型的数字孪生，动态模拟空间环境的复杂现象和卫星的运动状态。软件的主要架构包括动态模拟、高效计算和全面的数据展示。

2024-04-26 14:43:49 412

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.5)TIP5P水模型

五点 TIP5P 刚性水模型通过添加两个通常无质量的附加位点 L 来扩展three-point TIP3P model，其中放置与氧原子相关的电荷。这些位点 L 位于距氧原子固定距离处，形成从 HOH 平面旋转 90 度的四面角。因此，这些位点在某种程度上近似于氧的孤对，从而改善了水结构，与four-point TIP4P model相比变得更加“四面体”。

2024-04-26 00:00:03 781

原创【氮化镓】液态Ga在GaN(0001)和(0001̅)表面上的三维有序排列随温度的变化

这篇文章通过实验和理论模拟相结合的方法，深入研究了液态Ga在GaN不同晶面上的有序排列随温度的变化规律，揭示了Ga原子在GaN表面的动态迁移行为，为理解GaN的MBE生长机制提供了重要信息。这项工作对于优化GaN的外延生长条件，获得高质量的GaN薄膜具有重要的指导意义。

2024-04-25 11:55:54 653

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.4)TIP4P水模型

四点 TIP4P 刚性水模型通过添加一个通常无质量的附加位点 M 来扩展传统的three-point TIP3P模型，其中放置与氧原子相关的电荷。该位点 M 位于沿 HOH 键角平分线距氧固定距离处。还应使用 harmonic的键样式和 harmonic或charmm的角度样式。如果是刚性粘合，也可以使用bond stylezero和 angle stylezero。

2024-04-25 10:15:52 947

原创【氧化镓】影响Ga2O3器件沟道载流子迁移率的关键因素

这篇文章对β-Ga2O3 MOSFETs中的通道载流子迁移率进行了深入研究，通过实验测量和理论分析，揭示了影响迁移率的关键因素，特别是库仑散射的影响。研究结果对于理解和改进β-Ga2O3 MOSFETs的性能具有重要意义，为未来的研究和器件设计提供了有价值的指导。

2024-04-24 09:40:12 404

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.3)TIP3P水模型

此部分描述了如何使用为用户和开发人员执行各种任务。术语表页面还列出了 MD 术语，以及相应 LAMMPS 手册页的链接。LAMMPS 源代码分发的examples目录中包含的示例输入脚本以及示例脚本页面上突出显示的示例输入脚本还展示了如何设置和运行各种模拟。

2024-04-24 09:38:07 484

原创【氮化镓】高Al含量AlGaN势垒层GaN ISFETs在pH传感中的应用

本文提供了对高铝含量AlGaN势垒层GaN ISFETs在pH传感应用中的表面敏感性和稳定性的深入理解。通过实验和分析，文章揭示了这些设备在碱性环境中面临的挑战，并提出了可能的改进方向，如表面处理的优化和使用脉冲电流进行测量以减少测量时间。这项研究对于开发更可靠的pH传感器具有重要意义，并为未来的研究提供了有价值的见解。

2024-04-23 12:01:13 976

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.2)AMOEBA 和 HIPPO 力场

AMOEBA 和 HIPPO 极化力场是由华盛顿大学圣路易斯分校的 Jay Ponder 团队开发的。 LAMMPS 实现基于 Ponder 小组在其Tinker MD software软件中提供的 Fortran 90 代码。LAMMPS 中 AMOEBA 的当前实现（2022 年 7 月）与(Ponder),(Ren), and(Shi)中讨论的版本匹配。同样，LAMMPS 中 HIPPO 的当前实现与(Rackers)中讨论的版本相匹配。

2024-04-23 09:15:12 1409

原创【氮化镓】GaN HEMT SEEs效应影响因素和机制

AlGaN/GaN HEMT因其在高电压、高温和高频率下的操作能力而受到关注，尤其在航空航天和汽车应用中，其辐射响应变得尤为重要。重离子辐射可能导致绝缘体失效，即单事件效应（SEEs）引起的栅介质击穿。这篇论文提供了对AlGaN/GaN HEMT在辐射环境下性能影响的深入理解，对于设计和应用这些器件在高辐射环境中具有重要意义。：研究AlGaN/GaN HEMT在不同偏压、离子LET（线性能量传递）、辐射通量和总粒子数下对重离子辐射的耐受性。

2024-04-22 15:30:40 301

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(4.1)CHARMM、AMBER、COMPASS 和 DREIDING 力场

力场由两部分组成：定义力场的公式和用于特定系统的系数。这里我们只讨论 LAMMPS 中实现的公式，这些公式对应于 CHARMM、AMBER、COMPASS 和 DREIDING 力场中常用的公式。设置系数可以通过read_data 命令从输入数据文件中的特殊部分完成，也可以在输入脚本中使用pair_coeff和bond_coeff等命令完成。请参阅Tools文档页面，了解其他工具，这些工具可以使用 CHARMM、AMBER 或 Materials Studio 生成的文件来分配力场系数并

2024-04-22 08:55:02 1259

原创【氧化镓】Ga2O3 MOSFET器件的单SEB机制TCAD研究

本文是一篇关于氧化镓(Ga2O3)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在单粒子烧毁(single event burnout, SEB)事件中的机制研究的文章。文章通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模拟来探究侧向耗尽型氧化镓MOSFET设备在SEB中的敏感区域和安全操作电压，并提出了辐射损伤机制。

2024-04-21 13:39:57 843

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.9)输出结构化数据

LAMMPS可以使用print和fix print命令输出结构化数据。这为您提供了灵活性，因为您可以构建包含系统属性、热数据和变量值的自定义数据格式。该输出可以定向到屏幕和/或文件以进行后处理。

2024-04-21 13:38:03 719

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.8)计算扩散系数

可以使用 LAMMPS 中的各种选项以至少 2 种方式测量材料的扩散系数 D。请参阅examples/DIFFUSE 目录，了解实现此处讨论的简单 Lennard-Jones 流体模型的 2 种方法的脚本。

2024-04-20 20:11:50 579

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.7)计算粘度

可以使用 LAMMPS 中的各种选项以至少 6 种方式测量流体的剪切粘度 eta。请参阅examples/VISCOSITY 目录，了解实现此处讨论的简单 Lennard-Jones 流体模型的 5 种方法和 SPC/E水模型的 1 种方法的脚本。另请参阅计算热导率（calculating thermal conductivity）页面，了解热导率的类似讨论。

2024-04-20 08:50:34 824

原创【氮化镓】栅极漏电对阈值电压和亚阈值摆幅影响建模

本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。

2024-04-19 12:09:13 996

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.6)计算热导率

使用 LAMMPS 中的各种选项，至少可以通过 4 种方式测量材料的导热系数 kappa。请参阅示例/KAPPA 目录，了解实现此处讨论的简单 Lennard-Jones 流体模型的 4 种方法的脚本。另请参阅 Howto 粘度页面，了解有关粘度的类似讨论。

2024-04-19 10:22:35 1007

原创【氮化镓】GaN HEMT失效物理和可靠性

本文是一篇关于AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的失效物理和可靠性研究的综述文章，发表在2013年10月的《IEEE Transactions on Electron Devices》上。文章由Enrico Zanoni等人撰写，主要关注了影响栅极边缘和肖特基结的失效机制，并探讨了提高这些器件可靠性的方法。

2024-04-18 10:11:10 883

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.5)计算弹性常数

弹性常数表征材料的刚度。形式定义是由在无限小变形极限下应力和应变张量之间保持的线性关系提供的。在张量表示法中，这表示为 s_ij = C_ijkl * e_kl，其中重复的索引意味着求和。 s_ij 是对称应力张量的元素。 e_kl 是对称应变张量的元素。 C_ijkl 是弹性常数四阶张量的元素。在三维空间中，该张量有 3^4=81 个元素。使用 Voigt 表示法，张量可以写成 6x6 矩阵，其中 C_ij 现在是 s_i w.r.t 的导数。 e_j。因为 s_i 本身就是一个导数。 e_i，因此 C_

2024-04-18 10:09:52 733

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.4)温度计算

温度计算为动能除以一定数量的自由度（和玻尔兹曼常数）。由于动能是粒子速度的函数，因此通常需要区分粒子的平流速度（由于粒子的某些聚集运动）及其热速度。两者之和就是粒子的总速度，但后者通常是计算温度所需的。

2024-04-17 09:01:38 381

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.3)使用分布式网格

LAMMPS 具有创建覆盖模拟域的均匀间隔网格的内部功能。对于 2d 和 3d 模拟，这些分别是 2d 和 3d 网格。从概念上讲，网格可以被视为网格单元的集合。每个网格单元可以存储一个或多个值（数据）。

2024-04-17 00:15:00 542

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.2)使用chunks计算系统属性

在 LAMMS 中，“chunks”是原子的集合，由compute chunk/atom 命令定义，该命令将每个原子分配给一个块 ID（或根本不分配给任何块）。块的数量以及块 ID 到原子的分配可以是静态的或随时间变化。 “块”的例子是具有相似值（例如配位数或势能）的分子或空间仓或原子。

2024-04-16 02:15:00 982

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(3.1)LAMMPS 的输出

LAMMPS 输出有四种基本形式

2024-04-16 01:30:00 991

原创【氮化镓】微波脉冲对GaN HEMT失效的影响

恶劣的电磁环境对GaN HEMT的可靠性和安全运行构成威胁。为了解决这一问题，作者提出了一种在高功率微波（HPM）脉冲应力下对GaN HEMT进行瞬态热响应测试和表面电场分布测量的方法。研究发现，在低功率HPM注入时，最高温度出现在靠近栅极侧的栅极-漏极接触区域；而当HPM注入功率接近破坏阈值时，一个明显的热点出现在栅极-源极接触区域的栅极边缘，即微波信号的输入端。这一发现表明，是热电多物理场耦合而不是单纯的热烧毁导致了设备在HPM脉冲应力下的失效。

2024-04-15 12:21:26 779

原创【LAMMPS学习】八、基础知识(2.8)长程色散设置

PPPM 方法通过将对势分成两部分来计算相互作用，其中一部分以正常的成对方式计算，即所谓的实空间部分，而其中一部分则使用傅立叶变换计算，即所谓的倒数部分。 space 或 kspace 部分。对于这两个部分，电势并未精确计算，而是近似计算。因此，计算的两个部分都存在误差，即实空间误差和k空间误差。刚才提到的事实对于库仑的 PPPM 以及色散相互作用都是正确的。决定性的差异 - 也是必须更加谨慎选择 pppm/disp 参数的原因 - 是误差对结果的影响：库仑和色散相互作用的 PPPM 的 kspace 误差

2024-04-15 03:15:00 872

生物信息学课程学习笔记第四版2022版

【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用

汇编软件合集 masm link lib

空空如也