Labview忆阻器惠普模型建模与测试

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前言

提示：该文摘录自论文《忆阻器电学特性虚拟仿真研究》

忆阻器是无源非线性基础二端元件，具有天然的记忆功能，能够记忆流经其的电流变化，可以通过调节电压（或电流）而改变其阻值大小。忆阻器的记忆功能表现为能快速记忆大量连续数据，这为制造出速度更快、更节能的“即开型”计算机铺平了道路，也将会大大简化混沌电路结构，同时也将使纳米量级的忆阻器在大规模、超大规模集成电路中表现出独特的优越性。忆阻器在关闭电源之后依旧能够保存信息，因此忆阻器也正挑战着数码设备中通用的闪存，成为新的储存技术中使能器件的研究对象。忆阻器独特的电学性能以及可观的应用前景引起了人们广泛而强烈的关注。

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一、忆阻器labview建模

程序流程示意图

主程序VI框图

程序前面板

二、复现模型下载

1.链接

Labview忆阻器惠普模型

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总结

该模型是论文《忆阻器电学特性虚拟仿真研究》的复现，作者邓光芒。使用Labview进行忆阻器的建模与电学特性测试。采用的是忆阻器惠普模型参数搭建，可以通过它来了解忆阻器电学特性。也可以作为独立的忆阻器件 在其基础上进行相应的拓展。