计算机组成原理-存储系统-主存储器(芯片)和CPU连接

文章介绍了SRAM和DRAM两种内存芯片的差异,SRAM用于Cache,信息由双稳态触发器存储;DRAM则常用于主存,依赖栅极电容存储,需定期刷新。此外,讨论了ROM芯片,以及主存与CPU的连接方式,包括位扩展、字扩展和字位同时扩展,并提到了双端口RAM和多模块存储器在解决存储周期中的作用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

目录

一、SRAM和DRAM芯片

DRAM:栅极电容存储信息

SRAM:双稳态触发器存储信息

区别​编辑

二、ROM芯片

 三、主存于CPU的连接

位扩展法

字扩展法

 字位同时扩展法

 译码器

四、双端口RAM和多模块存储器

 4.1双端口RAM

4.2多模块存储器

4.2.1单体多字存储器

4.2.2多体并行存储器


一、SRAM和DRAM芯片

SRAM:静态随机存储器        主要用于(Cache) 

DRAM:动态随机存储器        主要用于(主存) 

DRAM:栅极电容存储信息

电荷维持2ms,(2ms刷新一次)

SRAM:双稳态触发器存储信息

不断电不会消失

区别

 刷新

二、ROM芯片

 三、主存于CPU的连接

位扩展法

字扩展法

 字位同时扩展法

 译码器

四、双端口RAM和多模块存储器

解决存储周期

 4.1双端口RAM

4.2多模块存储器

4.2.1单体多字存储器

4.2.2多体并行存储器

 

 

 

 

 

 

 

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