深N阱工艺剖面图及端口接法

最近用深N阱工艺做了一个项目，记录一下深N阱工艺的剖面图，以及各个端口的接法接法（NMOS深N阱）。

首先是CMOS工艺的深N阱技术的剖面图，图源自拉扎维课本；NMOS也有了自己的“阱”，所以它相当于是把NMOS隔离起来，避免其他模块对NMOS的扰动。

接下来，看一下SMIC工艺中深N阱NMOS的symbol，以及寄生diode；

比普通的NMOS管子多了两个端口：B2和T；

要想寄生diode不正向导通，其P端一定接最低电位，N端一定接最高电位，所以B2要接到“地”，T最好要接到最高电压域，如果系统中存在多个电压，要考虑到，最高电压会不会使得D4反向击穿。

如果NMOS工作在负电压域时，要考虑到，T接高电压会不会导致D3反向击穿。