FRAM性能比EEPROM好的三个优势

FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。

FRAM性能比EEPROM好的的三个优势：

1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数；

2、功耗，同样写入64byte的数据，FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/100，这样功耗越低，电池的使用寿命就越长；

3、读写速度，FRAM的写入速度可以达到纳米秒，写入一个数据的时间仅仅是EEPROM的1/3000。这么快的读写速度带来的另一个意想不到的好处就是瞬间断电的时候，FRAM的数据已经写入，而EEPROM肯定数据丢失。

跟FRAM比EEFROM简直就是战五渣啊！可是为什么用FRAM的客户还是少数呢？这就要谈到价格问题了。并不是技术好的产品就会流行，消费者更看重性价比。FRAM的Logic部分比重太大，成本难以降低是一个难点。相比EEPROM，FRAM的存储容量实在是有一点捉急。在工艺上，FRAM也很难突破100nm，因此大数据的存储还是更适合留给FLASH或者EEFROM，毕竟两者分工不同。

那么什么样的应用更适合FRAM而非EEFROM呢？如果对存储容量没有太高要求，而又需要频繁的记录重要数据，又不希望数据在断电中无法保护，这种应用比较适合FRAM。比如汽车中用到的黑匣子，主要记录刹车信息以及事故前几秒的情况。“在日本、在欧洲、在韩国如果你把发动机关了，或者意外事故掉地上了，当前的模式、当前的状态一定记下来，比如说进入隧道的时候，进入隧道那个通信没了，会先记录下来。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。