8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT替换IS61WV51216EEBLL-10B2I

ISSI IS61WV51216EEBLL是高速和低功耗、8M位SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。

这种高度可靠的工艺与包括ECC（SEC-DED：单纠错-双纠错）在内的创新电路设计技术相结合，可产生高性能和高度可靠的设备。通过使用芯片使能和输出使能输入提供轻松的内存扩展。有效的低写入使能(WE#)控制存储器的写入和读取。采用标准44引脚TSOP(TYPEII)封装。EMI国产SRAM厂家EMI508NL08VM-55IT可替换IS61WV51216EEBLL-10B2I。

8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽1MX8bit,电源电压为2.7V~3.6V，支持工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。该系列还支持低数据保留电压1.5V(Min.)，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。采用标准44TSOP2封装形式。

特征
●工艺技术：90nmFullCMOS
●组织：1MX8bit
●电源电压：2.7V~3.6V
●低数据保持电压：1.5V(Min.)
●三态输出，TTL兼容
●数据字节控制（x8模式）。
●标准44TSOP2，48FBGA封装。
●工业工作温度。