国产SRAM芯片EMI502NL16VM可替换IS61WV12816EDBLL

EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。此款EMI国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。

特征
●工艺技术：全CMOS
●位宽：128Kx16位
●电源电压：2.3V〜3.6V
●低数据保持电压：1.5V（最小值）
●三态输出和TTL兼容
●标准44TSOP2，48BGA
●工业操作温度

引脚封装

ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位静态RAM，以131,072个字乘16位组织。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。

特征
CMOS待机
•单电源
-Vdd2.4V至3.6V（10ns）
-Vdd3.3V±10％（8ns）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•高低字节数据控制
•工业和汽车温度支持
•无铅可用
•错误检测和错误纠正

引脚封装