分享一款容量8Mb位串行NOR闪存,阵列被组织成4096个可编程页面,每个页面256字节。在单个1.65V至3.6V电源上工作,活动电流消耗低至1mA,断电时消耗0.1μa。支持标准串行外围接口(SPI)、高性能双/四路输出以及双/四线I/O SPI。支持高达120MHz的SPI时钟频率,当使用快速读取双/四I/O指令时,允许双I/O的等效时钟速率为240MHz(120MHz x 2),四I/O的等效频率为480MHz(120MHz x 4)。
保持引脚、写入保护引脚和可编程写入保护,具有顶部、底部或互补阵列控制,提供了进一步的控制灵活性。具有串行外围接口和软件协议,允许在单I/O模式下在简单的3线总线上操作。采用SOIC8、WSON8、USON8和WLCSP8封装。