Netsol STT-MRAM芯片具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言,是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
S3R1608V1M是自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。数据始终是非易失性的,该设备可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性,它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
S3R1608V1M具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x8 I/O模式。x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。采用工业标准44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。商业(0℃至70℃)和工业(-40℃至85℃)工作温度范围。