RAMSUN分享非易失性MRAM芯片MR0A16A

于 2024-08-27 17:34:49 发布
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分类专栏： 非易失性MRAM 文章标签： 存储芯片
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Everspin非易失MR0A16A是一个容量为1Mb的存储芯片，位宽64K x 16，提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的续航能力。数据在超过20年的时间内始终是非易失性的。通过低电压抑制电路在电源损失时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。是快速永久存储和检索关键数据和程序的应用程序的理想内存解决方案。封装采用BGA48和TSOP44引脚。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。

特征
•3.3伏电源
•快速35ns读/写周期
•SRAM兼容时序
•无限的读写能力
•商用、工业和扩展温度
•数据在温度下不易失性超过20年
•可提供符合RoHS的TSOP2和BGA封装
•所有产品均符合MSL-3水分敏感性等级
•提供汽车AEC-Q100 1级选项

优势
•一个存储器取代FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM在系统中实现更简单、更高效的设计
•通过更换电池支持的SRAM提高可靠性
•断电时的自动数据保护

EVERSPIN
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非易失性MRAM关键特性-MR2A16A
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09-15 304
经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚。 这种设计具有系统灵活性并防止了总线争用。单独的字节使能引脚还提供了灵活的数据总线控制，其中数据可以以8位或16位的形式写入和读取。 它使用0.18微米工艺技术以及专有的MRAM工艺技术制造而成，以创建位单元。两种技术形成了五层互连。 该器件采用3.3V电源供电，对称高速读取/写入访问时间为35ns。它还提供了完全
非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM
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本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　铁电存储器(FeRAM) 　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前...
RAMSUN分享国产超低功耗温湿度传感器芯片替代SHTC3
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RAMSUN分享国产无噪声高分辨率24bit模数转换器ADC
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06-20 683
24Bit ADC产品无噪声分辨率高达23Bit，支持4档电流调节，具有出色的直流性能和线性度，数据输出速率可达60kSPS，并带有各种监测功能。·高鲁棒性通信：CRC校验、超时复位、寄存器完整性检查、LOCK等。多种工作功耗模式：平衡功耗，速度和性能，灵活可选。·完善的监测：温度，电源电压，命令执行状态等。·AVDD PSRR：91dB（增益=1）内置PGA，多种增益可选，最大128倍增益。·时钟监测：外部时钟丢失自动切换内部时钟。·失调漂移：75nV/℃（增益=1）·非线性失真：2ppm（增益=1）
专用播放功能娱乐应用程序非易失性MRAM-MR2A16A
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09-14 195
磁阻RAM（MRAM）是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。 MRAM还适用于具有简历播放功能的娱乐应用程序。掉电期间，指示播放媒体时间戳的书签会快速存储在非易失性MRAM中。然后几乎立即进行后续播放并继续播放（下图1）。 图1：掉电期间，书签存储在MRAM中，以允许媒体继续播放应用程序 通过管理加密，安全系统也可
Everspin 4Mb非易失性MRAM--MR2A16ACYS35
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Everspin Technologies公司4Mb M_作为标准产品，批量供货，这款名为MR2A16ACYS35的产品存取时间为25及30纳秒，具体参数可以参考规格书。 Everspin MR2A16ACYS35位宽256Kx16的4M非易失性MRAM存储器。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用。 MR2A16ACYS35是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用程序的理想存储器。具有商
推荐一款血液透析机专用非易失性Everspin MRAM芯片
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血液透析是为人工肾、洗肾，是血液净化技术的一种。其利用半透膜原理，通过扩散、对人体内各种有害以及多余的代谢废物和过多的电解质移出体外，达到净化血液的目的，并吸达到纠正水电解质及酸碱平衡的目的。本篇文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了系统的可靠性，这在高可靠性医疗设备市场中至关重要。 Eversp
Everspin非易失性双电源并口MRAM-MR0D08BMA45R
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非易失性MRAM数据写入与读取
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一般来说，存储结构设计的核心是确保磁性隧道结所表征的数据可以快速读出，并且能够根据需要快速进行改变，另外还有一些工程上的设计比如堆叠设计、数据密度提升等。而在数据读写方面，还会存在使用磁场写入法和电流写入法两种完全不同的方法。 先来看看磁场法写入数据。这种方法的核心在于数据的写入是通过字线和位线电流流过时同时产生的磁场实现对数据的改写。需要注意的是当字线或者位线二者中的一个有电流流过时，产生的磁场仅仅是自由层矫顽力的一半,因此不能改变自由层磁场的方向，且磁场相互正交。只有当字线和位线同时通过电流并产生磁场时
非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
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磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。 MRAM替代SRAM做L2高速缓存 首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写入密集时,动态功耗显著增加,使减少能耗的效果变差。若直
行业分类-设备装置-非易失性存储元件的数据写入方法和非易失性存储装置.zip
08-26
这个压缩包文件“行业分类-设备装置-非易失性存储元件的数据写入方法和非易失性存储装置.zip”似乎包含了关于非易失性存储元件的数据写入方法以及相关的存储装置的详细资料，主要集中在PDF文档“非易失性存储元件的...
嵌入式系统/ARM技术中的飞思卡尔3伏4Mbit扩展温度范围非易失性RAM
12-04
飞思卡尔是一家知名的半导体制造商，他们推出了3伏4Mbit扩展温度范围的非易失性RAM（nvRAM），这是基于磁电阻式随机存储器（MRAM）技术的产品。这款nvRAM设计独特，能够承受从-40度到+105度的极端温度，非常适合在...
如何给汽车系统选择合适的非易失性存储器
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目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器，如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器)，MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标...
NVM是什么？
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非易失性存储器（NVM）是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据的存储器。与易失性存储器不同，NVM 不需要定期刷新其存储器数据。它通常用于二级存储或长期一致的存储。 Non-Volatile Memory 非易失性存储器在数字媒体中非常流行; 它广泛用于 USB 记忆棒和数码相机的存储芯片。NVM消除了对相对慢速类型的辅助存储系统的需求。 非易失性存储器也称为非易失性存储器。非易失性数据存储可分为两种类型： •机械解决的系统 •电子寻址系统 机械寻址系统利用接触结构在所选存储介质上进行写入和读取。以这
MRAM工作原理分析
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目前主流的MRAM利用巨磁阻效应( GMR）和磁性隧道结(MTJ)）的隧穿电阻效应来进行存储。以MTJ为例,其元胞结构包括自由层、隧道层和固定层3个层面（如图1所示)。自由层的磁场极化方向是可以改变的,而固定层的磁场方向是固定不变的,在电场作用下电子会隧穿绝缘层势垒而垂直穿过器件，电流可隧穿的程度及MTJ的电阻均由2个磁性层的相对磁化方向来确定3’。当自由层的磁场方向与固定层的磁场方向相同时,存储单元呈现低阻态“0”;当两者磁场方向相反时,存储单元呈现高阻态“1”。MRAM器件通过检测存储单元电阻的高低来判
STT-MRAM存在的两个弊端
EVERSPIN的博客
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随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性. 早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-Plane Magnetic Anisotropy）。它存在如下两个弊端： 1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒...
STT-MRAM存储器技术结构图
EVERSPIN的博客
12-17 2498
目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的...
汽车系统非易失性存储器选择指南
"如何选择汽车系统中的非易失性存储器" 在现代汽车系统中，由于高级驾驶辅助系统（ADAS）、图形仪表、车身控制和信息娱乐系统的快速发展，系统的复杂度日益增加。为了确保这些系统在各种条件下都能稳定、安全地运行...
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