2019年12月_EVERSPIN

原创 STT-MRAM存储器技术结构图

目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的...

2019-12-17 14:02:35 2493

原创 flash存储器原理及作用是什么?

flash存储器的工作原理　　flash存储器又称闪存（快闪存储器），是一种电可擦可编程只读存储器的形式，是可以在操作中被多次擦或写，EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言flash存储器属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既...

2019-12-16 16:19:06 17871 2

原创 everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：•像不挥发一样闪烁•无编程...

2019-12-31 11:40:18 393

原创 everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

随着技术的进步，批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力，促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升，静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术，对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。智能电表需要进行数据记录以进行能源管理和计费，并具有增强的可靠性，以便在恶劣环境下长期使用。另外需要长时间保留数据，以便公用事业公司可...

2019-12-30 14:17:42 300

原创汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存（KAM）和非易失性内存（NVM））期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期，因为它们的写入周期数量有限。MRAM（磁阻式随机存取存储器）具有消除这种复杂性的潜力，并使KAM和NVM的管理过程更轻松，更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器，everspin MRA...

2019-12-27 15:13:26 347

原创精密的MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠，由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成，部分薄膜层的厚度仅达数埃，比人类的发丝还要薄500000倍，相近于一颗原子的大小，如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性、介面品质等参数是关键所在。因为在原子层级，任何极小的缺陷都会影响装置效能，所以这些新型存储器要想实现大规模量产，必须在硅上沉积和整合新兴材料能力方面取得实质突破。作为高密度存储器应用的候选...

2019-12-25 14:01:02 390

原创 MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而两次写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的存储器解决方案。...

2019-12-24 17:12:24 467

原创非易失性存储器MRMA具有吸引力的嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存...

2019-12-20 15:30:28 769

原创 everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（free layer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。everspin的...

2019-12-19 14:25:11 364

原创单片机内核Cortex-M3的八个知识点

单片机内核Cortex-M3的八个知识点1.指令集32位ARM指令集：对应ARM状态16位Thumb指令集：对应Thumb状态（是ARM指令集的一个子集）指令集演进图2.BKP备份寄存器（42个16位寄存器组成），用来存储用户应用程序数据。在Vdd掉电时由Vbat供电。。在待机复位、系统复位、电源复位后，这些寄存器不会被复位3.不再像别的ARM7那样从thumb状态和ARM状态来回切...

2019-12-18 14:33:02 1157

原创 STT-MRMA技术优点

到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。图1：STT-MRAMSTT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何...

2019-12-17 13:51:10 843

原创非易失性MRAM切换技术

下面介绍关于切换MRAM技术切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。在写入期间，来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元，但不会干扰任一条线上的其他单元。EVERSP...

2019-12-11 14:53:02 332

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