everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：
•像不挥发一样闪烁
•无编程/擦除周期（最快的写入周期）
•快速的SRAM接口
•对称的读/写周期
•字节寻址能力
•并行（x16）接口的35ns/2Bytes
•带有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）
•无限耐力（无限使用）
•长期保留数据（高温下超过20年）

带有动力总成微控制器演示的MRAM
团队（以及迄今为止的行业）面临的挑战之一是，这些新的内存技术（例如mram（目前已嵌入到某些处理器中））尚未嵌入动力总成芯片中。因此，在此演示中，团队采用了一种离散的“处理器外”解决方案。在此演示中，团队设计了MRAM评估板以与Powertrain微控制器母板接口。开发了新的低级驱动器（LLD），以取代动力总成芯片供应商提供的LLD。在本演示中，新修订的LLD用于验证串行/并行MRAM协议，不同模式下的读/写操作以及时序周期要求（通过在具有各种时钟频率的原型板上运行应用程序）。