计组期末复习-第三章存储系统（白中英教材）

这章cache是重点，必须会cache和主存的三种映射。

推荐题目：【考研】计组习题：存储器_某计算机主存按字节编址,由4个-CSDN博客

目录

一、根据存储容量计算地址数和数据位数

二、SRAM和DRAM

三、存储器容量的扩展

四、cache命中率计算

五、多模块交叉存储器

六、主存与Cache地址映射【必须会！！！】

1. 块冲突

2.计算装入的组号，行号等

3. 大题【一定要注意按字编址还是按字节编址】

七、虚地址与主存地址转换

八、页表容量大小计算

九、TLB

十、LRU最近最久未使用算法

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一、根据存储容量计算地址数和数据位数

存储单元个数决定地址线个数（2^N个单元，对应N个地址线），字长决定数据线个数。

 由于cache存放的是主存活跃块的副本，所以不能认为总容量为两个层次容量的简单相加。

二、SRAM和DRAM

1. SRAM主要用于构成cache
2. DRAM主要用于构成主存，必须定期刷新。采用地址复用技术，地址线是原来的一半。
3. SRAM和DRAM的主要区别在于基本存储元不同。
4. 刷新方式：集中式刷新（存在死区时间）和分散式刷新。

例题：

8位对应8根数据线，4M对应22根地址线，但这是DRAM，采用地址复用技术，地址线减半，11根地址线。8+11=19

分散刷新例题：（我们作业题只考了这个分散刷新，没考集中式刷新）

三、存储器容量的扩展

分为位扩展，字扩展和字位扩展。

1. 位扩展：数据线增加。
2. 字扩展：地址线增加。
3. 字位扩展：先位扩展再字扩展

四、cache命中率计算

五、多模块交叉存储器

六、主存与Cache地址映射【必须会！！！】

这个最好找个视频课详细看一下课程。直接映射方式、全相联映射方式、组相联映射方式。三个都要会。注意组相联的组是按cache的容量计算的。

题目中有按字编址、按字节编址等字眼。他们的意思解释：

存储容量的计算是存储单元数 * 存储字长（每单元比特数）。

它说按照字节编址，那就是每个单元都是一个字节，8位，数据线有8个。

如果按照字编址，那就是每个单元都是1个字。这个字的大小取决于计算机的位数。如果计算机是32位，那么1个字是32位。

1. 块冲突

2.计算装入的组号，行号等

1.

2.

先计算出2593在主存中的块数：2593/32=81.....1，因为从零开始编号，所以他在81号。 由于cache与主存的映射是通过"模m"交叉编址，即对cache行数求余的余数相同的行放在cache中的同一行。所以81%64=17；

3. 大题【一定要注意按字编址还是按字节编址】

七、虚地址与主存地址转换

页面大小4KB，按字节编址，2^12*1B，低12位为页内地址。005120H，其中120H是页内地址。高位页号005在表中对应2B，则主存地址为2B120H

【这个图没有记录截的哪篇博客，如果有人知道请提醒我，我标注上。】

八、页表容量大小计算

页表总容量=页表项大小*页表项个数。 页表项个数即页个数等于虚存容量/页面大小。

页表项个数=页个数=页表长度。

注意页表容量的计算和页表长度计算的区别。

例题：

九、TLB

TLB是页表子集，TLB命中，页表一定命中。

十、LRU最近最久未使用算法

主存地址：主存标记+组号+块内地址。   组号占1位（4/2=2个组，1位可表示），块内地址占1位（因为按字编址，块大小为1个字。）

这两个组所表示的块内地址都有2个。

这些主存地址首先计算他们的组，然后按照LRU策略争夺组内那两个位置。