数模电冷门问题

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数模电较重要的问题

7.锁相环的原理

许多电子设备要正常工作，通常需要外部的输入信号与内部的振荡信号同步，利用锁相环路就可以实现这个目的。
锁相环路是一种反馈控制电路，简称锁相环（PLL,Phase-Locked Loop）。锁相环的特点是：利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号的频率和相位。
因锁相环可以实现输出信号频率对输入信号频率的自动跟踪，所以锁相环通常用于闭环跟踪电路。锁相环在工作的过程中，当输出信号的频率与输入信号的频率相等时，输出电压与输入电压保持固定的相位差值，即输出电压与输入电压的相位被锁住，这就是锁相环名称的由来。
锁相环通常由鉴相器（PD,Phase Detector）、环路滤波器（LF,Loop Filter）和压控振荡器（VCO,Voltage Controlled Oscillator）三部分组成，锁相环组成的原理框图如图所示。

锁相环中的鉴相器又称为相位比较器，它的作用是检测输入信号和输出信号的相位差，并将检测出的相位差信号转换成 uD（t）电压信号输出，该信号经低通滤波器滤波后形成压控振荡器的控制电压 uC（t），对振荡器输出信号的频率实施控制。

因此差分放大电路一般做集成运算 的输入级和中间级。

42 学过哪些器件 mos 器件中三个非线性效应(衬偏效应、短沟道、沟道长度调制效应 不知道对不对)
衬偏效应：衬偏电压是为了防止 MOSFET 的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。即体效应。
短沟道效应：缓变沟道的近似不再成立，这个二维电势分布会导致阈值电压随 L 的缩短而下降，亚阈值特征的降级以及由于隧穿穿透效应而使电流饱和失效，在沟道出现二维电势分布以及高电场，这些不同于长沟道 MOS 场效应晶体管特性的现象，统称为短沟道效应。
沟道长度调制效应：MOS 晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大 Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使 Id 增大的效应。
（非常数表面迁移率，窄沟道效应也是）
（# 这题太偏，赌他不考）

43.电路不稳定的原因(自激振荡) 解决办法 相位裕度能不能越大越好(不能 老师提示了增益带宽积)
原因：自激振荡
解决：可以采用频率补偿（又称相位补偿）的方法，消除自激振荡。常用补偿方法有电容滞后补偿：在放大电路中选择时间常数最大的回路内对地并联一个小电容，这样当相移处于 180 度时，其高频放大倍数幅值下降到 0 以下，由于这种补偿是该频率所对应的相位滞后，故称滞后补偿。其他还有 RC 滞后补偿和密勒效应补偿。
模电书上给出消除负反馈电路自激振荡的方法： 一、滞后补偿
1.简单滞后补偿
2.RC 滞后补偿
3.密勒效应补偿二、超前补偿
不能，增益带宽积：放大器带宽和带宽的增益的乘积，是用来简单衡量放大器的性能的一个参数。在频率足够大的时候，增益带宽积是一个常数。
获得大的相位裕度，会使带宽降低，增益变大，最高特征频率会下降，影响高频放大能力。所以不能过大。
（# 这题太偏，赌他不考）

锁相环所能构成的电路有什么？闭环追踪电路

55.有源滤波器和无源滤波器有什么区别和特点
有源和无源滤波器的区别我们最简单的分别办法是看看是否需要电源，在作用上最大的区别在于有源滤波器可以有增益，无源滤波器无增益是衰减的。
1）、有源滤波（APF）与无源滤波（FC）在滤波原理上是不同的。
无源滤波主要是利用阻容元器件的 LC 谐振特性，对系统中的某一特定频率形成一个低阻通道，这个低阻通道与系统阻抗形成并联分流关系，让谐波成份从滤波系统中流过。也就是说无源滤波器是利用电容器和电抗器形成 LC 谐振回路对电网系统中某一次或几次谐波进行滤波，从而达到对系统滤波的作用。
有源滤波 APF 则是利用现代电力电子器件主动产生一个与系统谐波大小相等相位相反的谐波，以“抵消”系统产生的谐波。
概括地说 FC 属于并联分流，APF 是主动抵消。2）、功耗的区别
无源滤波器由于电阻以及电感的阻抗存在，功耗在同等情况下还是比有源滤波器要高一些，而且电路的延迟要要大一些。有源滤波器的功耗相对而言会小很多， 而且在通带内不会有衰减，而通过设定滤波器的 Q 值，可以改变放大倍数。
3）应用领域的区别
无源滤波电路通常用在功率电路中，比如直流电源整流后的滤波，或者大电流负载时采用 LC（电感、电容）电路滤波。
有源滤波电路一般由 RC 网络和集成运放组成，因而必须在合适的直流电源供电的情况下才能使用，同时还可以进行放大。但电路的组成和设计也较复杂。
有源滤波电路不适用于高电压大电流的场合，只适用于信号处理。

66.mos 有哪些？
MOS 利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流。（JFET 利用耗尽区宽度变化引起导电沟道的宽窄来控制漏极电流。）MOS 有 N 沟道增强型 MOS 场效应管，N 沟道耗尽型 MOS 场效应管，P 沟道增强型 MOS 场效应管,P 沟道耗尽型 MOS 场效应管。
其优势：1、输入阻抗高，速度可达百兆以上；2、工作频率范围宽，开关速度高
（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小；3、功率 mosfet 可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流；4、Mosfet 是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级，其电路较简单；5、有较优良的线性区，并且 mosfet 的输入比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小。

模电

20.在共射极放大电路，一般有哪几种放大电路？ 答：有上基偏、分压式和集-基反馈式。

放大器的图解法适合去分析哪些放大电路？ 放大器的图解法一般适合共射式上基偏单管放大器和推挽式功率放大器。

39、在共发射极放大电路中一般采用什么方法稳定工作点? 答：引入电流串联式负反馈。

多级放大电路的级间耦合一般有几种方式？ 答：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合

45、直接耦合放大电路的特殊问题是什么?如何解决? 答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。最根本的解决方法是用差分放大器。

46、为什么放大电路以三级为最常见? 答：级数太少放大能力不足，太多又难以解决零点漂移等问题。

60、电压跟随器是一种电压串联反馈放大器。

61、电压跟随器主要用途在哪里？

答：电压跟随器主要用途：一般用于多级放大电路的输入级、输出级，也可连接两电路，起缓冲作用。

63、一般说来功率放大器分为几类？
答：按照晶体管在整个周期导通角的不同，可以分为甲类、乙类、甲乙类、丙类、丁类。按照电路结构不同，可以分为变压器耦合、无输出变压器OTL、无输出电容OCL、桥式推挽功率放大电路BTL。

84、高通电路频率特性有什么特点？
答：高通电路在低频段放大倍数数值下降，且产生超前相移。

85、低通电路频率特性有什么特点？
答：低通电路在高频段放大倍数数值下降，且产生滞后相移。

93、 什么是变压器耦合功率放大电路？
答：既有输入耦合变压器，又有输出耦合变压器的功率放大电路称为变压器耦合功率放大电路

94、 变压器耦合功率放大电路有什么优缺点？
答：变压器耦合功率放大电路的优点是可以实现阻抗变换，缺点是体积庞大、笨重，消耗有色金属，且频率较低，低频和高频特性均较差。

95、 什么是OCL电路？
答：OCL电路是指无输出耦合电容的功率放大电路。

96、OCL电路有什么优缺点？
答：OCL电路具有体积小重量轻，成本低，且频率特性好的优点。但是它需要两组对称的正、负电源供电，在许多场合下显得不够方便。

97、什么是OTL电路？
答：OTL电路就是没有输出耦合变压器的功率放大电路。

98、OTL电路有什么优缺点？
答：OTL电路的优点是只需要一组电源供电。缺点是需要能把一组电源变成了两组对称正、负电源的大电容；低频特性差。
(# 因为有输出耦合电容？)

99、什么是BTL电路？
答：为了实现单电源供电，且不用变压器和大电容，可采用桥式推挽功率放大电路，简称BTL电路。

100、BTL电路有什么优缺点？
答：BTL电路的优点有只需要单电源供电，且不用变压器和大电容，输出功率高。缺点是所用管子数量多，很难做到管子特性理想对称，且管子总损耗答，转换效率低。

101、目前使用最广泛的功率放大电路是什么？
答：目前使用最广泛的功率放大电路是OTL和OCL电路。

105、OTL功率放大器的最大输出功率

109、功率放大电路的最大不失真的输出电压是多少？
答：功率放大电路的最大不失真的输出电压幅值等于电源电压减去晶体管的饱和压降，即：Uom＝Vcc－UCES。

113、什么是功放管的一次击穿？
答：功放管的一次击穿是指，当晶体管的CE间电压增大到一定数值时，集电极电流骤然增大的现象。

114、什么是功放管的二次击穿？
答：功放管的二次击穿是指，当晶体管一次击穿后，若不限制集电极电流，晶体管的工作点将以高速度变化，从而使电流猛增而管压降减小的现象。
119、抑制零点漂移的方法有哪些？
答：抑制零点漂移的方法有：
⑴在电路中引入直流负反馈；
⑵采用温度补偿的方法，利用热敏元件来抵消放大管的变化；
⑶采用"差动放大电路"。

122、 共模信号和零点漂移以及温度漂移有什么联系？
答：温度漂移是引起零点漂移的主要原因，所以一般讲的零点漂移就是指温度漂移。温度的变化对差动放大电路来说，实际上就相当于一个共模信号。

124、 什么是差模信号？
答：差模信号是两个输入信号之差。

125、 什么是共模信号？
答：共模信号是两个输入信号的算术平均值。

130、差动放大电路的四种接法是什么？
答：根据输入、输出端接地情况不同，差动放大电路分为双入双出、双入单出、单入双出、单入单出四种。

131、在差动放大电路中，当输入共模信号时，对于每边晶体管而言，发射极等效电阻是多少？
答：发射极等效电阻为2Re。

132、在差动放大电路中，当输入差模信号时，对于每边晶体管而言，发射极等效电阻是多少？
答：发射极等效接地。

133、在双出接法的差动放大电路中，当输入差模信号时，对于每边晶体管而言，接在两个晶体管输出端间的负载等效电阻是多少？
答：负载等效电阻是1/2RL。

134、四种接法的差动放大电路，输入电阻会不会发生变化？
答：输入电阻不会发生变化。

135、四种接法的差动放大电路，输出电阻会不会发生变化？
答：双出接法的输出电阻是单出接法的两倍。

136、四种接法的差动放大电路，差模放大倍数会不会发生变化？
答：双出接法的差模放大倍数是单出接法的两倍。

137、常见的电流源电路有哪些？
答：常见的电流源电路有：镜像电流源电路、比例电流源电路、微电流源电路。

138、电流源电路在放大电路中有什么作用？
答：电流源电路在放大电路中的作用是：
⑴为放大管提供稳定的偏置电流；
⑵作为有源负载取代高阻值的电阻。

139、镜像电流源电路结构有什么特点？
答：镜像电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；同时两只管子的发射极都没有接电阻。

140、比例电流源电路结构有什么特点？
答：比例电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；同时两只管子的发射极都接有电阻。

141、微电流源电路结构有什么特点？
答：微电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；另一只管子的发射极接电阻。

142、 集成运算放大器是什么器件？
答：集成运算放大器就是高放大倍数的直流放大器。

143、集成运算放大器的频率特性具有什么特点？
答：集成运算放大器的频率特性具有低通特点，上限截止频率不高，一般在1M以内。

145、 什么是理想运放？
答：集成运放特性理想化就是理想运放，即理想运放的Rid ->∞、Rod ->0、开环电压放大倍数 ->∞等。

148、 集成运算放大器几乎可以应用于模拟电路的各个方面，试举例说明。

答：集成运算放大器可实现各种运算电路，如比例器、加法器、减法器、微分器及积分器等。

149、 集成运算放大器几乎可以应用于模拟电路的各个方面，试举例说明。
答：集成运算放大器可实现各种信号处理，如滤波器等。
答：集成运算放大器可实现各种交流、直流放大。
答：集成运算放大器可用于产生正弦波及实现各种波形变换。

155、集成运算放大器构成的电路级与级之间的联接有什么特点？
答：由于集成运算放大器的输入电阻Rid很高、输出电阻Rod很低，容易实现级与级之间的联接。

158、 正弦波振荡器主要由哪些部分组成？
答：正弦波振荡器主要由处于放大状态的放大器、选频网络和反馈网络组成。

159、 产生正弦波振荡的条件是什么？
答：产生正弦波振荡的条件是
（1）起震时满足起震条件：AF＞2nπ
（2）平衡后满足平衡条件：AF＝2nπ

160、 ++ 振荡器内容？？？

183、 什么是滤波器的特征频率f0？
答：滤波器的特征频率f0是一个由电路决定的具有频率量纲的常数。

184、什么是滤波器的品质因数Q？
答：滤波器的品质因数Q是一个描述滤波器过渡特性的常数。

185、当Q＝0.707时的滤波器有什么特点?
答: 当Q＝0.707时的滤波器,其过渡特性平坦,且截止频率数值上等于特征频率。

194、 ++ 三端式稳压器，开关稳压电源？？？

从信号反馈的角度来看，振荡器属于正反馈放大电路。

数电

模电需要注意的点

放大状态下BJT的工作原理：
1、BJT内部的载流子传输过程
1、因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
2、发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。
3、因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。
总结载流子转移：
IE
1、发射结加正向电压，e区的多子电子通过发射结扩散到基区形成IE,与电子方向相反。
2、发射区发射的电子在基区积累,并以发射结边沿形成浓度梯度。
IB：基区电子两个方向
1 、基区正电源VBB从基区拉电子形成IB（电子与空穴复合）。
2 、其余大部分到达集电结。（基区很薄，掺杂浓度低。）
IC：
1、集电结反向电压，形成反向饱和电流Icbo,少数载流子形成漂移电流。
2、集区对基区扩散到集电结边缘的电子强吸引，电子很快漂移到集电区形成Ic。
三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

JFET:
以N沟道为例说明其工作原理。
当UGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当UGS<0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，UGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS(off)。

MOSFET:
耗尽型MOSFET
N沟道耗尽型的结构和符号如图3(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当UGS>0时，将使ID进一步增加。UGS<0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。N沟道耗尽型的转移特性曲线如图30(b)所示。
增强型MOSFET：
结构与耗尽型类似。但当UGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0UGS(th)时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在UGS=0V时ID=0，只有当UGS>UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

双电源乙类互补对称电路又称为OCL电路

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Reference

https://wenku.baidu.com/view/3793ea250aa1284ac850ad02de80d4d8d05a0177.html
https://www.wendangwang.com/doc/9bb1da109ebec47d22cc9e3cbec7b969e3b07690/11
https://blog.csdn.net/baidumcu/article/details/4787148

https://www.docin.com/p-420859956.html