【顾邦方案】电池充放电、高功率密度、解决方案

    随着电动设备的普及和扩展，电池相关技术蓬勃发展，电池充放电设备以及电池化成分容设备的需求也随之高涨。伴随着技术的进步和成本的优化，电池相关设备也越来越追求小型化和精密化。

    为适应这种应用场合，顾邦推出了一款搭载自主研发的30V SGT MOSFET的高功率密度电池充放电解决方案。

顾邦30V SGT MOSFET介绍：

GBS032R4: 30V SGT MOSFET，典型内阻1.6mΩ，QGD=18nC

GBS032R4的FOMGD=28.8mΩ*nC，在同类产品中性能优秀，非常适用于低压电池充放电设备的开关器件。

GBS030R8T: 这款也是30V的SGT MOSFET，其典型内阻为0.85mΩ。顾邦针对这款器件专门优化导阻，使得该器件是理想开关的不二之选。

方案介绍：

顾邦15V-5V双向电池充放电解决方案搭载了10颗GBS032R4作为双向功率拓扑buck-boost的主开关管，另6颗GBS030R8T组成理想开关控制功率板和电池的通断。

该方案典型充电电压为15~18V；典型放电电压为0~6.5V。若需要更高放电电压，通过调整过压保护阈值，可支持最高10V的放电电压。

当前设计总电流最大60A，单相支持最大30A电流（选用的功率电感为WE的74436410470，若选用7443640330B可以做到单相40A，最大80A电流能力）。

该方案当前总设计为6.9cm*4cm*3cm，总体积82.8cm3包含输入输出端子以及电流调节电阻。扣除输入输出端子后的尺寸为5cm*4cm*3cm，总体积为60cm3。因此最大功率密度可达13W/cm3。

该方案采用八层PCB设计，正面布局为控制电路以及接插件和电感电容，背面布局为功率MOSFET以及采样电阻，内层辅以大量铺铜以增强MOSFET的散热。以达到效率、热管理以及器件应力的优化。

效率测试：

如下图为典型输入输出效率，整体方案在有理想开关的基础上最高效率达到96.8%。

热测试

典型输入输出热测试结果如下：可以看到整体最热器件为电流采样电阻，达到114.7℃，所有功率MOSFET的温度均小于此温度。其中buck-boost拓扑中的上管温升为84℃，下管温升为88.3℃。测试中环境温度为33.7℃，风力为4m/s。

所有MOSFET温升均在合理可控范围之内。

波形测试

第一相SW(粉色)和电感电流（绿色）波形        第二相SW(粉色)和电感电流（绿色）波形

从波形可以看出，两相电流完美均流，误差不超过2%。SW电压最高过冲到20.507V，满足30V MOSFET的降额设计要求。为更大电流拓展预留了应力裕量。

另外展开SW上升下降沿，可以看到上升沿为12.7ns，下降沿为8.5ns。在选用了顾邦GBS032R4做为开关器件后，即满足了极快的开关速度，也能达到优异的应力和EMI设计目的。

SW(粉色)上升沿展开波形                        SW(粉色) 下降沿展开波形  

总结

在选用了顾邦GBS032R4和GBS030R8T分别做为开关器件和理想开关设计双向充放电解决方案后，在满足各项性能指标的基础上具有以下优点：

1. 极高的功率密度：13W/cm3
2. 高效率：整体方案峰值效率可达96.8%
3. 优异的热管理：开关MOSFET满载温升为88.℃
4. 极小的应力和良好的EMI性能
5. 完美的双向均流和极低的噪声管理。各周期SW波形和电感电流波形完全一致，无大小波和低频纹波。

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