中国第三代半导体行业应用动态与十四五发展格局展望报告2022版

中国第三代半导体行业应用动态与十四五发展格局展望报告2022版
HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--
【修订日期】：2021年11月
【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容！】 
第一章　第三代半导体相关概述
 1.1　第三代半导体基本介绍
 1.1.1　基础概念界定
 1.1.2　主要材料简介
 1.1.3　历代材料性能
 1.1.4　产业发展意义
 1.2　第三代半导体产业发展历程分析
 1.2.1　材料发展历程
 1.2.2　产业演进全景
 1.2.3　产业转移路径
 1.3　第三代半导体产业链构成及特点
 1.3.1　产业链结构简介
 1.3.2　产业链图谱分析
 1.3.3　产业链生态体系
 1.3.4　产业链体系分工
 第二章　2019-2021年全球第三代半导体产业发展分析
 2.1　2019-2021年全球第三代半导体产业运行状况
 2.1.1　标准制定情况
 2.1.2　国际产业格局
 2.1.3　市场发展规模
 2.1.4　市场结构分析
 2.1.5　新品研发情况
 2.1.6　研发项目规划
 2.1.7　应用领域格局
 2.1.8　企业发展动态
 2.1.9　企业发展布局
 2.1.10　企业竞争格局
 2.2　美国
 2.2.1　研发支出规模
 2.2.2　产业技术优势
 2.2.3　技术创新中心
 2.2.4　技术研发动向
 2.2.5　战略层面部署
 2.3　日本
 2.3.1　产业发展计划
 2.3.2　研究成果丰硕
 2.3.3　封装技术联盟
 2.3.4　照明领域状况
 2.3.5　研究领先进展
 2.4　欧盟
 2.4.1　研发项目历程
 2.4.2　产业发展基础
 2.4.3　前沿企业格局
 2.4.4　未来发展热点
 第三章　2019-2021年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析
 3.1　政策环境（Political）
 3.1.1　中央部委政策支持
 3.1.2　地方政府扶持政策
 3.1.3　重点支持政策解读
 3.1.4　中美贸易摩擦影响
 3.2　经济环境（Economic）
 3.2.1　宏观经济概况
 3.2.2　工业运行情况
 3.2.3　经济结构升级
 3.2.4　未来经济展望
 3.3　社会环境（Social）
 3.3.1　社会教育水平
 3.3.2　知识专利水平
 3.3.3　研发经费投入
 3.3.4　技术人才储备
 3.4　技术环境（Technological）
 3.4.1　专利技术构成
 3.4.2　科技计划专项
 3.4.3　国际技术成熟
 3.4.4　产业技术联盟
 第四章　2019-2021年中国第三代半导体产业发展分析
 4.1　中国第三代半导体产业发展特点
 4.1.1　企业以IDM模式为主
 4.1.2　制备工艺不追求顶尖
 4.1.3　衬底和外延是关键环节
 4.1.4　各国政府高度重视发展
 4.1.5　军事用途导致技术禁运
 4.2　2019-2021年中国第三代半导体产业发展运行综述
 4.2.1　产业发展现状
 4.2.2　产业整体产值
 4.2.3　产线产能规模
 4.2.4　产业标准规范
 4.2.5　国产替代状况
 4.3　2019-2021年中国第三代半导体市场运行状况分析
 4.3.1　市场发展规模
 4.3.2　细分市场结构
 4.3.3　市场应用分布
 4.3.4　企业竞争格局
 4.3.5　企业发展布局
 4.3.6　产品发展动力
 4.4　2019-2021年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析
 4.4.1　上游金属硅产能释放
 4.4.2　上游金属硅价格走势
 4.4.3　上游氧化锌市场现状
 4.4.4　上游材料产业链布局
 4.4.5　上游材料竞争状况分析
 4.5　中国第三代半导体产业发展问题分析
 4.5.1　产业发展问题
 4.5.2　市场推进难题
 4.5.3　技术发展挑战
 4.5.4　材料发展挑战
 4.6　中国第三代半导体产业发展建议及对策
 4.6.1　产业发展建议
 4.6.2　建设发展联盟
 4.6.3　加强企业培育
 4.6.4　集聚产业人才
 4.6.5　推动应用示范
 4.6.6　材料发展思路
 第五章　2019-2021年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析
 5.1　GaN材料基本性质及制备工艺发展状况
 5.1.1　GaN产业链
 5.1.2　GaN结构性能
 5.1.3　GaN制备工艺
 5.1.4　GaN材料类型
 5.1.5　技术专利发展
 5.1.6　技术发展趋势
 5.2　GaN材料市场发展概况分析
 5.2.1　市场发展规模
 5.2.2　材料价格走势
 5.2.3　材料技术水平
 5.2.4　应用市场结构
 5.2.5　应用市场预测
 5.2.6　市场竞争状况
 5.3　GaN器件及产品研发情况
 5.3.1　器件产品类别
 5.3.2　GaN晶体管
 5.3.3　射频器件产品
 5.3.4　电力电子器件
 5.3.5　器件产品研发
 5.4　GaN器件应用领域及发展情况
 5.4.1　电子电力器件应用
 5.4.2　高频功率器件应用
 5.4.3　器件应用发展状况
 5.4.4　应用实现条件与对策
 5.5　GaN器件发展面临的挑战
 5.5.1　器件技术难题
 5.5.2　电源技术瓶颈
 5.5.3　风险控制建议
 第六章　2019-2021年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析
 6.1　SiC材料基本性质与制备技术发展状况
 6.1.1　SiC性能特点
 6.1.2　SiC制备工艺
 6.1.3　SiC产品类型
 6.1.4　单晶技术专利
 6.1.5　技术发展趋势
 6.2　SiC材料市场发展概况分析
 6.2.1　材料价格走势
 6.2.2　材料市场规模
 6.2.3　材料技术水平
 6.2.4　市场应用结构
 6.2.5　市场竞争格局
 6.2.6　企业研发布局
 6.3　SiC器件及产品研发情况
 6.3.1　电力电子器件
 6.3.2　功率模块产品
 6.3.3　器件产品研发
 6.3.4　产品发展趋势
 6.4　SiC器件应用领域及发展情况
 6.4.1　应用整体技术路线
 6.4.2　电网应用技术路线
 6.4.3　电力牵引应用技术路线
 6.4.4　电动汽车应用技术路线
 6.4.5　家用电器和消费类电子应用
 第七章　2019-2021年第三代半导体其他材料发展状况分析
 7.1　Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析
 7.1.1　基础概念介绍
 7.1.2　材料结构性能
 7.1.3　材料制备工艺
 7.1.4　主要器件产品
 7.1.5　应用发展状况
 7.1.6　发展建议对策
 7.2　宽禁带氧化物半导体