本文介绍了FDP51N25UniFETTMMOSFET，一种结合平面条纹和DMOS技术的高压器件，特别强调了其低导通电阻、优良的开关特性和高雪崩能量强度，适用于PFC、FPDTV电源等高性能开关电源转换器应用。
FDP51N25 UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET。适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。FDP51N25适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
FDP51N25产品特性：
•RDS(on) = 60mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 25.5A
•低栅极电荷（典型值 55nC）
•低 Crss（典型值 63pF）
FDP51N25产品运用领域：
PDP电视
照明
不间断电源
AC-DC电源
1858
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
