SiLM27517HAD-AQ可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关 单通道高欠压保护低边门极驱动器

SiLM27517HAD-AQ是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27517HAD-AQ在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27517HAD-AQ欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

SiLM27517HAD-AQ产品特性：

1.低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

2.4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

3.快速的传播延时（典型值为 18ns）

4.快速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

5.13.5V 到 20V 的单电源范围

6.欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

7.兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

8.双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置)

9.输入浮空时输出保持为低

10.工作温度范围为 -40°C 到 140°C

11.提供 SOT23-5 的封装选项

SiLM27517HAD-AQ产品运用领域：

通信设备
军工设备
工业自动化控制
POL、DC-DC转换器