SLM27524一款能够有效驱动MOSFET和IGBT电源开关双通道低侧栅极驱动器

深力科电子为“数据中心服务器电源”推荐一款双通道大非反相低侧栅极驱动器 SLM27524，该产品能够有效驱动MOSFET和IGBT电源开关。SLM27524采用一种能够从内部极大地降低击穿电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，从而实现了轨到轨的驱动能力和典型值仅为13ns的极小传播延迟。SLM27524 具有两路独立的门级驱动能力，提供高达4.5A的峰值源电流和5.5A的峰值灌电流。

SLM27524产品特性

1.两路独立的门极驱动

2.4.5A的峰值源电流和5.5A的峰值灌电流能力

3.快速的传播延时（典型值为13ns）

4.快速的上升和下降时间（典型值为7ns和6ns）

5.4.5V到20V的单电源范围

6.VDD欠压闭锁功能

7.兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值

8.输入端能承受负5V的电压

9..两通道之间典型值为2ns的匹配延时

10.支持两通道的并联来获得更高的驱动电流

11.输入浮空时输出保持为低

12.工作温度范围为-40°C 到 140°C

广泛适用于电机控制和开关电源系统中，如通信电源、服务器电源、PC电源、砖块电源、逆变器、EV直流充电桩充电模块、汽车PTC、GaN 等新兴宽带隙功率器件等应用。

SLM27XXX系列产品选型图如下：

 

在开关电源系统中，需要利用栅极驱动器来有效地结合电平转换和缓冲器驱动功能。在控制器的PWM 输出和功率半导体器件的栅极之间采用栅极驱动器器件，可实现功率器件的快速开关以及减少开关功率损耗，提高系统的集成度和可靠性。在GaN 等新兴的宽带隙功率器件技术中，极高的开关频率操作对栅极驱动产品提出了特殊要求，比如在低 VDD 电压（5 V 或更低）下运行、低传播延迟、严格的延迟匹配以及具有良好散热能力的紧凑型低寄生电感的封装。SLM2752x 可满足上述场景中对栅极驱动器功能和性能的严苛要求。在12V的VDD 供电情况下，SLM27524能够提供4.5A的峰值源电流和5.5A的峰值灌电流，可有效减少MOSFET开关过渡期间产生的米勒效应。其输入端能够承受-5V的输入，高鲁棒性使其能够适应恶劣的系统环境中。