SLMi350DB-DG适用于驱动低边侧和高边侧的MOSFET和IGBT 兼容光耦的单通道隔离驱动器

SLMi350DB-DG是一款兼容光耦的单通道隔离驱动器，具有4A/7A源电流/灌电流以及3.75kVRMS隔离耐压值，适用于驱动低边侧和高边侧的MOSFET和IGBT。与光耦栅极驱动器相比，SLMi350DB-DG具有高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和较小的脉宽失真等关键性能的提升，同时保持了对光耦栅极隔离驱动器的管脚兼容性。

SLMi350DB-DG的输入级是一个“模拟二极管”，与传统光耦相比，没有老化问题，具有高可靠性。SLMi350DB-DG采用 SMP8 封装，爬电距离和空气间隙距离大于7.0mm，相对漏电起痕指数  (CTI) > 600V。

SLMi350DB-DG产品优势：

1.输入端抗负压能力更强

2.输出端电压耐压范围更宽

3.CMTI抗干扰能力更加出众

4.工作温度更宽

SLMi350DB-DG产品特性：

1.4A/7A 拉电流/灌电流, 峰值输出电流

2.120ns  (最大) 传输延迟

3.25ns  (最大) 器件间延迟匹配

4.35ns  (最大) 脉宽失真

5.150kV/us (最小) 共模瞬态抗扰度 (CMTI)

6.驱动器输出电源电压范围 14V 到 40V

7.30V 输入反向耐压能力

8.管脚兼容光耦栅极隔离驱动器

9.提供 DIP8GW 封装，爬电距离和空气间隙距离 >7.0mm

10.工作结温范围, TJ: –40°C ~ +150°C

SLMi350DB-DG典型应用：

电机驱动

不间断电源（UPS）

EV充电

逆变器